名词解释

名词解释弗伦克尔缺陷：在晶格热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置后，挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位。这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。肖特基缺陷：如果正常格点上的原子，热起伏过程中活的能量离开平衡位置迁移到晶体的表面，在晶体内正常格点上留下空位，这即是肖特基缺陷。刃型位错：伯格斯矢量b与位错线垂直的位错称为刃型位错。螺形位错：位错线和滑移方向（伯格斯矢量b）平行，由于位错线垂直的平行面不是水平的，而是像螺旋形的，故称螺旋位错。类质同晶：物质结晶时，其晶体结构中原有离子或原子的配位位置被介质中部分类质类似的它种离子或原子占存，共同结晶成均匀的，单一的混合晶体，但不引起键性。同质多晶：化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下结晶或结构不同的晶体。正尖晶石：二价阳离子分布在1/8四面体空隙中，三价阳离子分布在1/2八面体空隙的尖晶石。反尖晶石：如果二价阳离子分布在八面体空隙中，而三价阳离子一半在四面体空隙中，另一半在八面体空隙中的尖晶石。晶子学说：硅酸盐玻璃是由无数“晶子”组成，“晶子”的化学性质取决于玻璃的化学组成。所谓“晶子”不同于一般微晶，而是带有晶格变形的有序区域，在“晶子”中心质点排列较有规律，愈远离中心则变形程度愈大。“晶子”分散在无定形部分的过渡是逐步完成的，两者之间无明显界线。晶子学说的核心是结构的不均匀性及进程有序性。无规则网络学说：凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样，也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体（三角体或四面体）构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成，而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。分化过程:架状[SiO4]断裂称为熔融石英的分化过程。缩聚过程:分化过程产生的低聚化合物相互发生作用，形成级次较高的聚合物，次过程为缩聚过程。网络形成剂：正离子是网络形成离子，单键强度大于335?kJ/mol，能单独形成玻璃的氧化物。网络变性剂：正离子是网络变性离子，单键强度小于250KJ/mol，不能单独形成玻璃，但能改变玻璃网络结构和性质的氧化物。?单键强度：化合物的分解能除以化合物的配位数得出的商数即为单键强度。表面：固体的表面现象与液体相似，通常把一个相与它本身蒸汽接触的分界面称为表面。界面：相邻晶粒不仅位向不同，而且结构、组成也不相同，即它们代表不同的两个相，则其间界称为界面。非稳定扩散：扩散物质浓度分布随时间变化的一类扩散。稳定扩散：扩散物质浓度分布不随时间变化的扩散过程。无序扩散：无化学位梯度、浓度梯度。无外场推动力，由热起伏引起的扩散。质点的扩散是无序的、随机的。互扩散推动力：多元系统中几种离子同时进行扩散，扩散过程中化学位梯度的变化。间隙扩散：质点从一个间隙到另一个间隙。本征扩散：主要出现肖特基和弗兰克尔点缺陷，由此点缺陷引起的扩散称为本征扩散。非本征扩散：因扩散受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制，故称为非本征扩散。菲克第一定律：在扩散体系中，参与扩散质点的浓度因位置而异，且可随时间而变化。正扩散：受热力学因子作用，物质由高浓度处流向低浓度处，扩散结果使溶质趋于均匀化，Di0。逆扩散：受热力学因子作用，物质由低浓度处流向高浓度处，扩散结果使溶质趋于均匀化，Di0。矿化剂：在固相反应中加入少量非反应物，反应过程中不与反应物起化学反应，只起加速反应作用的物质。一级相变：体系由一相变为另一相时，如两相的化学势相等但化学势的一级偏微商不相等的称为一级相变。二级相变：相变时两相化学势相等，其一级偏微商也相等，但二级偏微商不等。玻璃析晶：指由于玻璃的内能较同组成的晶体为高，所以玻璃处于介稳状态。在一定条件下存在着自发地析出晶体的倾向，这种出现晶体的现象叫做析晶。又称失透或反玻璃化。玻璃分相：一个均匀的玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成两个互不溶解或部分溶解的玻璃相，并相互共存的现象称为玻璃分相。均匀成核：晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处相同。非均匀成核：借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程。马氏体相变：一个晶体在外加应力的作用下通过晶体的一个分立方体积的剪切作用以极迅速的速率而进行相变称为马氏体相变。烧结：由于固态中分子的相互吸引，通过加热，使粉末体产生颗粒粘结，经过物质迁移使粉末体产生强度并导致致密化和再结晶的过程称为烧结。烧成：把一定温度范围内烧制成为致密体的一系列物理、化学、变化过程，人们把完成这样一个烧结过程的工艺称之为烧成。体积密度：材料在包含实体积、开口和密闭孔隙的状态下单位体积的质量称为材料的体积密度。理论密度：多孔材料中固相的密度，即同种材料在无孔状态下的密度。相对密度：多孔体的密度与无孔状态下同成分材料的密度之比，通常以百分率表示。固态烧结：没有液相参与，完全是由固体颗粒直接的高温烧结过程。液态烧结：有液相参与的烧结。晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下连续增大的过程。二次再结晶：少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。玻璃——玻璃是由熔体过冷所制得的非晶态材料。水泥——水泥是指加入适量水后可成塑性浆体，既能在空气中硬化又能在水中硬化，并能够将砂，石等材料牢固地胶结在一起的细粉状水硬性材料。耐火材料——耐火材料是指耐火度不低于1580摄氏度的无机非金属材料。硅质耐火材料，镁质耐火材料，熔铸耐火材料，轻质耐火材料，不定形耐火材料。高聚物——高聚物是由一种或几种简单低分子化合物经聚合而组成的分子量很大的化合物。胶粘剂——胶粘剂是指在常温下处于粘流态，当受到外力作用时，会产生永久变形，外力撤去后又不能恢复原状的高聚物。合金——合金是由两种或两种以上的金属元素，或金属元素与非金属元素形成的具有金属特性的新物质2晶体结构晶胞——晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体周期性和对称性的重复单元。空间点阵——空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后，描述晶体结构的周期性和对称性的图像。晶面指数——结晶学中经常用（hkl）来表示一组平行晶面，成为晶面指数。晶面族——在对称性高的晶体（如立方晶系）中，往往有并不平行的两组以上的晶面，它们的原子排列状况是相同的，这些晶面构成一个晶面族。氢键——氢键是指氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子（O,F,N等）相结合所形成的键。空间利用率（原子堆积系数）——晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。配位数——一个原子（或离子）周围同种原子（或异号离子）的数目成为原子或离子的配位数，用CN来表示。哥希密特化学定律——晶体结构取决于其组成基元（原子，离子或离子团）的数量关系，大小关系及极化性能。同质多晶——这种化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象，成为同质多晶。由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，成为变体。类质同晶——化学组成相似或相近的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种现象称为类质同晶现象。位移性转变——仅仅是结构畸变，转变前后结构差异小，转变时并不打开任何键或改变最邻近的配位数，只是原子的位置发生少许位移，使次级配位有所改变。重建性转变——不能简单地通过原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键，形成一个具有新键的结构。解理——晶体沿某个晶面劈裂的现象称为解理。热释电性——热释电性是指某些像六方ZnS型的晶体，由于加热使整个晶体温度变化，结果在与该晶体c轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一端出现负电荷的性质。晶体的热释电性与晶体内部的自发极化有关。声电效应——通过半导体进行声电相互转换的现象称为声电效应。电光效应——电光效应是指对晶体施加电场时，晶体的折射率发生变化的效应。铁电晶体——铁电晶体是指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。声光效应——声光效应是指光波被声光介质中的超声波所衍射或散射的现象。正尖晶石和反尖晶石——在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。正尖晶石（A）[B2]O4反尖晶石（B）[AB]O4同晶取代——[SiO4]四面体中心的Si4+离子可部分地被Al3+所取代，取代后的结构本身并不发生大的变化，即所谓的同晶取代，但晶体的性质却可以发生很大的变化。3晶体结构缺陷热缺陷——热缺陷称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位和（或）间隙质点（原子或离子）。热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置，其特征是空位和间隙质点成对出现。肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置，在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部留下空位，其特征是正负离子空位成比例出现。位错滑移——位错滑移是指在外力作用下，位错线在其滑移面（即位错线和伯氏矢量b构成的晶面）上的运动，结果导致晶体永久变形。位错攀移——位错攀移是指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。固溶体——将外来组元引入晶体结构，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分，仍保持一个晶相，这种晶体成为固溶体。4非晶态结构与性质缩聚——由分化过程产生的低聚合物不是一成不变的，它可以相互发生作用，形成级次较高的聚合物，同时释放出部分Na2O。这过程成为缩聚。硼反常现象——这种由于B3+离子配位数变化引起性能曲线上出现转折的现象，称为硼反反常现象。5表面结构与性质弛豫表面——为使体系能量尽可能降低，表面上的原子常常会产生相对于正常位置的上、下位移，结果表面相中原子层的间距偏离体相原子层的间距，产生压缩或膨胀。表面上原子的这种位移称为表面弛豫。重构表面——重构是指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内，但垂直方向的层间距离与体内相同。范德华力——分子引力，一般是指固体表面与被吸附质点（例如气体分子）之间相互作用力。6相平衡和相图凝聚系统——没有气相或虽有气相但其影响可忽略不计的系统称为凝聚系统。独立析晶——独立析晶通常是在转熔过程中发生的，由于冷却速度较快，被回吸的晶相有可能会被新析出的固相包裹起来，使转熔过程不能继续进行，从而使液相进行另一个单独的析晶过程，这就是所谓的独立析晶。7基本动力学过程——扩散扩散——扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在做热运动。当物质内有梯度（化学位、浓度、应力梯度等）存在时，由于热运动而触发（导致）的质点定向迁移即所谓的扩散。稳态扩散与非稳态扩散——稳态扩散的特征是空间任意一点的浓度不随时间变化，扩散通量不随位置变化；非稳态扩散的特征是空间任意一点的浓度随时间变化，扩散通量随位置变化。稳态扩散——在扩散系统中，若对于任一体积元，在任一时刻流入的物质量与流出的物质量相等，即任一点的浓度不随时间变化，则称这种状态为稳态扩散。本征扩散与非本征扩散——本征扩散是由本征点缺陷（即热缺陷）引起的扩散；非本征扩散是由非本征点缺陷引起的扩散，又包括掺杂点缺陷和非化学计量化合物两种情况。克肯达尔效应——由于多元系统中各组元扩散速率不同而引起的扩散偶原始界面向扩散速率快的一侧移动的现象称为克肯达尔效应。8材料中的相变一级相变——在临界温度、临界压力时，两相化学位相等，但化学位的一阶偏导数不相等的相变。二级相变——相变时化学位及其一阶偏导数相等，而二阶偏导数不相等的相变。扩散型相变——在相变时，依靠原子（离子）的扩散来进行的相变成为扩散型相变。非扩散型相变——相变过程不存在原子（离子）的扩散，或虽存在扩散但不是相变所必需的或不是主要过程的相变即为无扩散型相变。10烧结初次再结晶——是指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。二次再结晶——正常的晶粒长大是晶界移动，晶粒的平均尺寸增加。如果晶界受到杂质等第二相质点的阻碍，正常的晶粒长大便会停止。但是当坯体中若有大晶粒存在时，这些大晶粒变数较多，晶界曲率较大，能量较高，使晶界可以越过杂质或气孔而继续移向邻