基本放大电路(全部)解读

第15章基本放大电路15.2基本放大电路的组成15.3放大电路的静态分析15.5静态工作点的稳定15.7多级放大电路15.6射极输出器15.4放大电路的动态分析15.8差动放大电路15.1半导体三极管15.1半导体三极管一、三极管结构、符号NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极2、符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管由2个PN结组成；根据结构不同，可分为：NPN型和PNP型1、结构：基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大二、电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVBVCVBVEVC﹤VB﹤VE注意：EB、EC极性不能接反，且EC＞EB保证：2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性。BECNNPEBRBECRC2）ICIB，ICIE3）ICIBIBICIE实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。使T具有放大作用的条件：内部条件：外部条件：基区要做的很薄，且掺杂质浓度小，使IB很小发射结正偏，集电结反偏从基区扩散来的电子由于外部电源的作用而被拉入集电区形成ICE。3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数BCCBOBCBOCBECEIIIIIIIIBCCEOIII，有忽略集－射极穿透电流,温度ICEO(常用公式)若IB=0,则ICICE0CEOBCBOBC)(1IIIII三、特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路1.输入特性CEBBE()UIfU常数特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管：UBE0.6~0.7VPNP型锗管：UBE0.2~0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO2.输出特性IB=020A40A60A80A100ABCCE()IIfU常数36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区特点：IC=IB，也称为线性区条件：发射结正偏、集电结反偏（2）截止区IB0以下区域为截止区，有IC0。条件：发射结反偏，集电结反偏在饱和区，IBIC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES0.3V，锗管UCES0.1V。（3）饱和区当UCEUBE时，晶体管处于饱和状态。当UCE=UBE时，晶体管处于临界饱和。饱和区截止区四、主要参数1.电流放大系数，直流电流放大系数___CBIICBΔΔII交流电流放大系数表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。CB1.537.50.04IICBΔ2.31.540Δ0.060.04II在以后的计算中，一般作近似处理：=。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大允许电流ICM5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许耗散功耗PCMPCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PCPCM=ICUCE硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEO一、基本放大电路组成及各元件作用使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE晶体管T:放大元件利用电流放大作用，获得较大的iC基极电源EB与基极电阻RB：为电路提供能量。并保证集电结反偏。将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容C1、C2：集电极电源EC：集电极电阻RC：隔离输入、输出与放大电路直流的联系RS、eS：交流信号源RL：负载15.2基本放大电路的组成+UCCRSesRBRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE二、省去EB的放大电路原因：(1)用到两个直流电源不方便，可省去EB,IB、IC由RB、RC控制(2)放大电路中，通常设公共端为“地”电位为0(参考点)(3)为简化电路，而只在连接正极的一端标出电压值三、放大电路工作原理：UBEIBICUCE无输入信号(ui=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCE+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOUBEIB无输入信号(ui=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCE？有输入信号(ui≠0)时uCE=UCC－iCRCuo0uBE=UBE+uiuCE=UCE+uoIC+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO四、放大电路中各处电流、电压由eS和UCC共同作用产生直流量+交流量iB=IB+ibiC=IC+icuCE=UCE+uceuBE=UBE+ube其中：ib，ic表示交流分量的瞬时值对放大电路的分析可分为：(1)求IB、IC、UCE称为静态分析(2)求Au、ri、ro称为动态分析ICUCEOIBUBEO结论：(1)无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、UBE和IC、UCE。(IB、UBE)和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。QIBUBEQUCEIC(2)加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。+集电极电流直流分量交流分量动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析(3)若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。(4)输出电压与输入电压在相位上相差180°，即共发射极电路具有反相作用。uitOuotO15.3放大电路的静态分析静态：当放大电路无信号输入（ui=0）时的工作状态。所用电路：放大电路的直流通路。(1)使放大电路的放大信号不失真；(2)使放大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。IB、IC、UCE静态分析：确定放大电路的静态值。静态工作点Q：分析方法：估算法、图解法。分析对象：各极电压电流的直流分量。设置Q点的目的：例：画出下图放大电路的直流通路直流通路直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE)对直流信号电容C可看作开路（即将电容断开）断开断开+UCCRBRCT++–UBEUCE–ICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE一、用估算法确定静态值2.由输入回路求IB：CCBEBBUUIR所以+UCCRBRCT++–UBEUCE–ICIB由KVL:UCC=IBRB+UBEUCE=UCC–ICRC1.画直流通路（C开路）3.由输出回路求IC、UCE：IC=βIB例1：用估算法计算图示电路的静态工作点。EECCCCCERIRIUUEBBECCB)1(RβRUUIBCIβIEEBEBBCCRIURIUEBBEBB)1(RIβURI当电路不同时，计算静态值的公式也不同。由KVL可得：由KVL可得：IE+UCCRBRCT++–UBEUCE–ICIB二、用图解法确定静态值用作图的方法确定静态值1.作出电路非线性部分的V-I特性曲线——晶体管输出特性即：由电路工作情况的负载线与非线性元件的伏安特性曲线的交点确定，此交点称为工作点2.做直流负载线：由输出特性确定IC和UCE常数B)(CECIUfIUCE=UCC–ICRC+UCCRBRCT++–UBEUCE–ICIB直流负载线方程步骤：(1)先求出IB：IB=UCC/RB(2)确定IC=f(UCE)/IB用图解法确定静态值BBECCBRUUICtanR1直流负载线斜率ICQUCEQCCCRUUCC常数B)(CECIUfIUCE=UCC–ICRCUCE/VIC/mA直流负载线Q由IB确定的那条输出特性与直流负载线的交点就是Q点OIB大小不同，Q点位置也不同，IB称为偏置电流，其大小可由改变RB来调整。讨论：当RB、RC、UCC变化时，其Q点的变化情况:11CCECCCCIUURRCCCRUUCCUCE/VIC/mAQO(1)当RB增大时：由IB=UCC/RB知，当RB增加时，IB减少。直流负载线不变，Q沿负载线下移到Q′Q′(2)当RC增大时：IC=f(UCE)/IB不变，直流负载线斜率变化，Q沿特性曲线左移到Q″Q″(3)当UCC增大时：对IB=UCC/RB知，UCC↑→IB↑斜率不变，但向右平移，Q变为Q°11CCECCCCIUURRQ°15.4放大电路的动态分析动态：放大电路有信号输入（ui0）时的工作状态。所用电路：放大电路的交流通路。计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro各极电压和电流的交流分量。目的：找出Au、ri、ro与电路参数的关系，为设计打基础。动态分析:分析对象：分析方法：微变等效电路法，图解法。0uiUAUiiiUrI000UrI电压放大倍数放大电路输入电阻放大电路输出电阻一、微变等效电路法晶体管线性化的条件：把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路保证在静态工作点附近小范围内微变等效电路：在小信号情况下工作1、晶体管的微变等效电路当信号很小时，在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。UBEIB)mA()mV(26)1()(200EbeIβrCEBBEbeUIUr(1)输入回路QCEbbeUiu输入特性晶体管的输入电阻晶体管的输入回路(B、E之间)可用rbe等效代替