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第一章半导体器件1-1当T=300K时,锗和硅二极管的反向饱和电流IS分别为1A和0.5pA。如将此两个二极管串联起来,有1μA的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少?解:二极管正偏时,TDUUSeII,STDIIlnUU对于硅管:mV6.179A1mA1lnmV26UD对于锗管:mV8.556pA5.0mA1lnmV26UD1-2室温27C时,某硅二极管的反向饱和电流IS=0.1pA。(1)当二极管正偏压为0.65V时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C或降至10C时,分别计算二极管的反向饱和电流。此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少?解:(1)mA2.7e101.0eIImA26mA65012UUSTD(2)当温度每上升10℃时,SI增加1倍,则pA107.72101.02)27(I)10(IpA6.12101.02)27(I)67(I37.312102710SS412102767SST=300k(即27℃),30026qKmA26300qKqKT)27(UT即则67℃时,mA7.716pA107.7mA2.7ln8.22U,C10mA7.655pA6.1mA2.7ln5.29U,C67mV8.2226330026)10(UmV5.2934030026)67(U3DDTT时时1-3二极管电路如图P1-3(a)所示,二极管伏安特性如图P1-3(b)所示。已知电源电压为6V,二极管压降为0.7伏。试求:(1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻DR和交流电阻Dr。解:(1)mA53100V7.06ID(2)49.0mA53mA26ImA26r2.13mA53V7.0RDDD1-4当T=300K时,硅二极管的正向电压为0.7V,正向电流为1mA,试计算正向电压加至0.8V时正向电流为多少?解:mA26mA800SmA26mA700SUUSeIIeI1mAeIITD则mA35.1eITU1001-5双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。反之二只背靠背连接的二极管可等效为一个三极管吗?解:不能。因为它们不可能同时满足如下条件,即:发射区掺杂浓;集电结面积大;基区薄。放大时发射结正偏,集电结反偏,用二极管等效集电结反偏时不可能有电流,而晶体管二个结因具有上述特点载流子可输出到集电极去。1-6已知晶体管工作在线性放大区,并测得各极电压如图P1-6所示。试画出晶体管的电路符号IDUD0.753mA图P1-36VR100ΩDID(a)(b)图P1-5NPNPNPbbbbcccceeee并注明是硅管还是锗管。解:GeSi1-7已测得晶体三极管各极对地电位如图P1-7所示。判断它们处于何种工作状态(饱和,放大,截止或损坏)。解:放大截止损坏临界饱和UBE=UCE1-8共射电路如图P1-8所示。已知晶体管参数为β=50,ICBO=0,EB=5.6V,RB=100KΩ,EC=12V,UBE(on)=0.6V。(1)如果RC=2KΩ,试求ICQ、UCEQ,并说明电路的工作状态;(2)如果RC=5.1KΩ重复(1);(3)如晶体管工作在放大状态,调节RB使ICQ=2mA。如bbr50,画出晶体管的低频混合型等效电路,并标出元件值。解:(1)V7RIEUmA5.2IIA50RUEICCCCEQBQCQB)on(BEBBQ放大状态-2.3V图P1-6-7V-2V8V3.7V3V(a)(b)图P1-7-8.2V(a)-12V-8V2V8V2.3V3V8V1V8.2V8.2V8V2V2VR1R23AD63DG63CG23BX1(b)(c)(d)图P1-8ECEBRBRC-2.3V-7V-2V3.7V8V3V(2)V75.0K1.5mA5.2V12UCEQ饱和状态(3)ms9.76I5.38gK7.0ImA26)1(rrK125IUERA40IImA2ICQmCQ'bbbeBQ)on(BEBBCQBQCQ1-9某晶体管的输出特性如图P1-9(a)所示。将在0~1mA之间的特性放大后如图P1-9(b)所示。(1)计算该晶体管的β和PCM。(2)当UCE分别为5V和10V时,IC分别允许为多大。(3)确定该晶体管的U(BR)CEO和U(BR)CBO的值。解:(1)mW40V20mA2UIP100A10mA1IICECMCMBC(2)mA4IV10UmA8IV5UCMCECMCE时,时,(3)V40UV25UCBO)BR(CEO)BR(图P1-9(a)43251015612050UCE/VIC/mA-ICBO1.50UCE/VIC/mA102030400.5110μAICEO(b)RBRCβIbrbe1-10已知三个场效应管的转移特性曲线或输出特性曲线分别如图P1-10所示,试判别其类型,并说明UDS=|10V|的饱和电流。解:(a)N沟耗尽型MOSFET,mA2IDSS,V3UoffGS(b)P沟JFET,mA3IDSS,V3UoffGS(c)N沟增强型MOSFET,DSSI无意义,V5.1UT1-11已知各FET的各极电压值如图P1-11所示,设各管的│UP│=2V,试分别说明它们的工作状态(可变电阻区,饱和区,截止区或不能正常工作)。解:(a)是增强型NMOS,TGSDSTGSUUV1U,V2UV3U,所以工作于临界饱和状态。(b)是耗尽型NMOS,V5UV7)V2(V5UU,V2UV5UDSPGSPGS,所以工作于可变电阻区。(c)是增强型PMOS,V5UV3UU,V2UV5UDSPGSPGS,所以工作于恒流区。(d)是N沟JFET,V2UV3UPGS,所以工作于截止区。GGGGDDDDSSSS5V5V3V-5V0V2V0V0V-3V(a)(d)(c)(b)图P1-112431图P1-10(a)UGS/V1-2ID/mA-3-1UDS=10V20(b)211ID/mAUGS/V-1-23-34.5V25UDS/VID/mA1015468UGS=2V3V3.5V4V(c)2.5V1-12场效应管电路如图P1-12所示,已知ED=12V,EG=-5V,R1=300K,R2=200K,RD=10K,JFET的IDSS=2mA,UP=-3V。(1)试求此时的UGS和ID的值;(2)求此时UDS和gm;(3)画出FET的小信号交流等效图。解:(1)mA2.0)UU1(IIV2URRRU2PGSDSSDG211GS,(2)ms04.0)UU1(UI2g,V10RIEUPGSPDSSmDDDDSEDRDR2R1EG图P1-12RB1RDgmUgsRB2第二章基本电路2-1电路如图P2-1所示,二极管参数UDQ=0.6V,E=5V,R=5K,ui=0.1sinωt(V),分析该电路,分别求出直流输出电压及交流输出电压。解:直流输出电压:V4.4RIU,mA88.0K5V6.0V5RUEIDQODQDQ交流输出电压:)V(tsin1.0UO2-2削波/限幅电路如图P2-2所示,是一个并联削波电路,设二极管均工作于理想开关状态,画出输出电压uo的波形图。为简单起见,假定UD=0,rD=0,即两个二极管工作于理想开关状态。解:V2UDDV2Uo21i截止,导通,时当V4UDDV4Uo21i导通,截止,时当io21iUUDDV2UV4截止,截止,时当2-3二极管的整流应用如图P2-3(a)、(b)所示,分别为全波和桥式整流器,假定输入电压是交流220V,50HZ,要求输出峰值电压Uo=9V,二极管的死区电压UD=0.7V。(1)比较两种电路变压器初、次级的匝数比以及对二极管的反向击穿电压的要求;(2)分别画出这两种整流电路的输出波形。图P2-1uiuoiDuIERD+_+-图P2-3(a)电路图RD1D2ui+-us+-us+-N1N2N2uo+-R+-D1D2D3D4ui+-uo(b)电路图图P2-2uoui=6Sinωt(V)R1=10K+_R2=10KE1=2VD1D2E2=4V+_+-+-uiuott-4V2V6V-6V解:(a)若要求输出峰值电压Uo=9V时,则V7.97.09UUUD(max)O(max)S相应的有效值为:V86.627.9US1.3286.6220NN21,反向峰值电压PIV为V7.18UU2UPIVDmaxSmaxR(b)V4.107.07.09U(max)S相应的有效值为:V35.724.10US3035.7220NN21反向峰值电压PIV为V7.9UUUPIVDmaxSmaxR2-4设二极管工作于理想开关状态,试判别图P2-4所示各电路中各二极管的状态(导通或截止),并予以说明。图P2-4R325KR118KR5140KR610KR45KR22KD15V+-Uo+-10V(f)R325KR118KR5140KR610KR45KR22KD15V+-Uo-+10V(e)6V0V(g)D1D2UoD3D48V12V-12V6K6KD1D212V3K6K-24V(a)125V(b)R11KR21KD1D2R39KUoD1R110KD2R22KUo4V(c)8V10V(d)+-D1D24KUo12V9V+-+-+-++--uiuo(a)波形uiuo(b)波形解:(a)D1导通,D2截止,Uo=0V(b)D1导通,D2截止,Uo=10.8(c)D1导通,D2截止,Uo=10V(d)D1导通,D2截止,Uo=0V(e)D截止,Uo=1V(f)D截止,Uo=1V(g)D1截止,D2导通,D3截止,D4导通,Uo=8V2-5稳压管电路如图P2-5所示。设稳压管UZ1和UZ2的稳定电压分别为8V和10V,正向导通电压为0.7V,Ui为20V。试求各电路的输出电压Uo的值。解:(a)Uo=8V,(b)Uo=18V,(c)Uo=10.7V,(d)1Z21LOURRRU,(e)Uo=10.7V,(f)Uo=8V。2-6稳压管电路如图P2-6所示。(1)图P2-6(a)中,UZ=6V,R=0.1K,Ui=10V,试分别求RL为0.2K和0.05K时的输出电压Uo和稳压管电流IZ的值;(2)图P2-6(a)中,如Ui=15V,UZ=12V,稳压管正常工作时允许的最大电流为20mA,最小电流为5mA,试求最小限流电阻R和最小负载电阻RL的值;(3)电路改为图P2-6(b)所示,Ui=22V,UZ1=10V,UZ2=8V,UZ1和UZ2的IZmin均为5mA,求输出电压Uo的值。解:(1)时K2.0RV6ULO图P2-5+-Uo(a)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(b)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(c)+-UiUZ1RUZ2+-Uo(d)+-UiUZ1R1RLUZ2R2+-Uo(e)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(f)+-UiUZ2R1RLUZ1R2图P2-6R17KRL1K+-Uo(b)+-UiUZ1UZ2R21KR+-Uo(a)+-UiRLUZmA10IIImA30RUImA40RUUILZLZLZi0IV76.4RRRUU,ImA120I,V6UK05.0RZLLiOLOL起稳压作用不可能,此时稳压管未则时,若(2)150mA20V3IUURmaxZZiminminZmaxLZimaxZminLZiIIRUUIIRUU800mA15UR0IRZminLminLL,则设(3)两个稳压管均未起到稳压作用,所以V44.2U
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