常用元器件的好坏的判别

常用元器件好坏的判定方法电阻：用外用表的两个表笔分别和电阻器的两端相接，如果显示0或数字不停的变动或显示的数字与电阻器上的标示值相差很大，则说明电阻器已损坏。如果与电阻上表示值相等或接近，则表示该电阻正常。电容：1uF以下选20K档1uF-100uF用2K档100uF以上用200档红笔接电容器的正极，黑笔接电容器的负极。如果显示值从000开始逐渐增加，最后显示溢出符号1，表明电容器正常。如果万用表始终显示000则说明电容内部短路；如果始终显示1，则可能是电容器内部极间断路。电感：将数字万用表量程开关拨至合适的电感档，然后将电感器的两个引脚与两个表笔相连即可从显示屏上显示出该电感器的电感量。若显示的电感量与标称电感量相近，则说明该电感器正常；若显示的电感量与标称值相差很多，则说明该电感器有问题。（保险的检测方法同电感一样）方法二.用数字万用表的二极管档测量电感的电阻值，如果在零点几欧到几欧之间，则表明该电感正常。如果电阻很大，说明电感线圈中有几股断线；电阻值为零说明电感线圈严重短路。二极管：正负极判断：将万用表的两只表笔分别接触二极管的两个电极，若测出的电阻约为几十、几百欧或几千欧，则黑表笔所接触的电极为二极管的正极，红表笔所接触的电极为二极管的负极。好坏判断：将万用表的两个表笔分别链接二极管的两个引脚，然后再将两个表笔分别对调连接二极管的两个引脚，然后对比显示屏的测量结果。如果测量的正反向电阻值均为1，则二极管内部断路。如果正反向电阻值均为0，则二极管内部被击穿短路。如果正反向电阻值相差不大，则二极管质量太差，不能使用。如果正反向电阻值相差较大，则该二极管正常。三极管：先找基极b：红笔固定任接某个引脚，用黑笔依次接触其他两个引脚。如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号1，则红笔所接的引脚就是基极b。如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号1，表明红笔接的引脚不是基极b，此时应换其他引脚重新测量，直到找出基极b。再测型号：将数字万用表置于二极管档，将红笔接基极b，用黑表笔先后接触其他两个引脚。如果都显示0.500V~0.800V，则被测管属于NPN型；若两次都显示溢出符号1，则表明被测管属于PNP型。进而测好坏：以NPN型为例。将基极b开路，测量c、e间的电路。万用表红笔接发射极，黑笔接集电极，若阻值较高（几十千欧以上），则说明穿透电流较小，管子能正常工作。若c、e极间电阻小，则穿透电流大，受温度影响大，工作不稳定。在技术指标要求高的电路中不能使用这种管子。若测得阻值近似为0，表明管子已被击穿，若阻值为无穷大，则说明管子内部已断路。场效应管：原理：当栅极接的负偏压增大时，沟道减少，漏极电流减少。当栅极接的负偏压减少时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流增大。所以说场效应管是电压控制器件，即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大等目的。判断：方法一.将黑表笔接触D，红表笔先接触S，此时有阻值（515欧左右）；将红笔接触G，阻值为1；将红表笔再次接触S，导通（001欧）；放电：红表笔接触D，黑表笔接触G。方法二.将万用表放到R*100档，两表笔分别接漏极D和源极S，然后用手握住螺丝刀的绝缘柄，再用螺丝刀的金属杆接触栅极G（注入感应电压），万用表的显示屏中的数字将会变大或变小，数字变化越大说明场效应管的放大能力越强，如果数字不变，则该场效应管已损坏。串口管理芯片：测量串口插座到串口管理芯片中的数据线对地阻值，如串口管理芯片正常，所有数据线对地阻值应该相同，如果不同，则说明串口管理芯片损坏。BIOS芯片：首先检测供电是否正常，测量Vcc脚和Vpp脚的电压，如果电压不正常，检测主板电源插座到BIOS芯片的Vcc和Vpp脚之间的电路总的元器件故障；如果供电正常，接着测量BIOS芯片的CE/CS脚是否有片选信号，如果没有则说明CPU没有选中BIOS，故障应该出现在CPU本身和前端总线，检查CPU和前端总线的故障，并排除故障；如果可以检测到片选信号，接着检测BIOS芯片的OE脚是否有跳变信号，如果没有则是南桥或I/O芯片或PCI总线的故障所致，重点检查南桥或I/O芯片；如果能测到跳变信号，则可能是BIOS内部的程序损坏或BIOS芯片损坏，可以先刷新BIOS的程序，如果故障没有排除，则更换BIOS芯片。CMOS电池：用万用表测量其电压，2.6V-3V左右为正常。低压差三端稳压器1117：带电测试1117的中间脚的电压值大小，如果为0或小于3V，则该稳压器损坏。（进5v输出3.3v）32.768晶振：用万用表直流20v档，红黑表笔分别接晶振的两个引脚，测试其两个引脚的电压差，如果为0.2v左右表明晶振正常。另外可以用开关机方法测量，如果用手捏住万用表表笔去接触晶振的一个脚时，主板能开机，再接触另一个脚时能关机，则说明晶振损坏。电源管理芯片：首先测量芯片的供电脚（5v或12v）有无电压，如有，接着测量电源管理芯片的输出脚和PG信号脚有无电压信号，如果无电压信号，则是电源管理芯片损坏。（加电保护80%是场效应管坏，很少是IC坏）LM358芯片：该芯片损坏后，其输出端无电压信号输出，将无法控制场效应管工作，无法为内存提供供电。判断方法：首先测量芯片的供电脚有无12v电压，如果，接着测量电源管理芯片的输出脚有无电压信号，如果无电压信号，测量LM358芯片的正相输入脚有无2.5v电压，如果，则是LM358芯片损坏，如不是则可能是分压电阻（R1、R2）损坏。14.318晶振：用示波器测晶振两脚的波形和两脚之间的阻值。如晶振的两脚有波形且两脚之间的阻值在450-700欧之间，则晶振正常。系统时钟发生器芯片：该芯片损坏将导致主板无法启动。检测方法：测量晶振两脚的电压（正常情况下晶振两脚各有1v左右的电压），如果有电压说明系统时钟芯片内部的分频器正常，否则分频器损坏。接着测量PCI插槽的B16针脚和ISA插槽的B30针脚的时钟信号，如果没有则是系统时钟发生器芯片损坏。门电路芯片：该芯片损坏将导致主板的复位电路无复位信号，首先检测门电路芯片的供电脚有无供电，如没有检测电源插座到门电路芯片的Vcc引脚间的线路中的故障元器件；如有接着检测门电路芯片链接南桥的针脚有无高电平信号，如没有则是南桥坏，如有则是门电路芯片坏。常见二极管识别应用及检测2009-10-3012:31二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3、限幅元件二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。5、检波二极管在收音机中起检波作用。6、变容二极管使用于电视机的高频头中。7、显示元件用于VCD、DVD、计算器等显示器上。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。7、合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。8、外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。二、根据用途分类1、检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（10