ASIC芯片设计生产流程

ASIC芯片设计开发ASIC芯片生产ASIC芯片设计开发ASIC芯片生产集成电路设计与制造全过程中的主要流程框架设计芯片检测单晶、外延材料掩膜版芯片制造过程封装测试系统需求物理域结构域行为域系统级芯片/板级处理器/存储器系统规范算法级模块控制器算法RTL级宏单元ALU寄存器传输逻辑级标准单元门电路布尔等式电路级晶体管版图晶体管晶体管函数ASIC项目的主要步骤包括：预研阶段；顶层设计阶段；模块级设计阶段；模块实现阶段；子系统仿真阶段；系统仿真，综合和版图设计前门级仿真阶段；后端版面设计阶段；测试向量准备阶段；后端仿真阶段；生产签字；硅片测试阶段。概念+市场研究结构级说明和RTL编码RTL模拟逻辑综合、优化和扫描插入形式验证（RTL和门级）布图前的STA布图规划、布局，CT插入和全局布线时序正确转换时钟树到ＤＣ形式验证（扫描插入的网表与ＣＴ插入的网表）全局布线后的STA时序正确详细布线布图后的STA时序正确定案YNYYNN结构及电学特性编码HDL中的RTL编码为包含存储单元的设计插入DFTmemoryBIST为了验证设计功能，进行详尽的动态仿真实际环境设置，包括将使用的工艺库及其他环境属性使用DesignCompiler工具对具有扫描插入的设计进行约束和综合设计使用DesignCompiler的内建静态时序分析机进行模块级静态时序分析设计的形式验证，使用Formality将TRL和综合后的网表进行对比使用PrimeTime进行整个设计布图前的静态时序分析对布图工具进行时序约束的前标注11)具有时序驱动单元布局，时钟树插入和全局布线的初始布局划分将时钟树转换到驻留在DesignCompiler中原始设计（网表）在DesignCompiler中进行设计的布局优化使用Formality在综合网表和时钟树插入的网表之间进行形式验证在全局布线后（11步）从版图提取估计的延时从全局布线得到的估计时间数据反标注到PrimeTime使用在全局布线后提取的估计延时数据在PrimeTime在中进行静态时序分析设计的详细布局提取来自详细布局设计的实际时间延迟实际提取时间数据反标注到PrimeTime使用PrimeTime进行布图后的静态时序分析布图后的门级功能仿真（如果需要）在LVS（版图对原理图）和DRC（设计规则检查）验证后定案结构规范定义了芯片的功能并划分为一些能够处理的模块，电学特性规范通过时序信息定义模块之间的关系设计可用三个抽象层次来表示：行为级，寄存器传输级RTL和结构级。通过仿真RTL代码以检查设计的功能，目前的仿真器都能够仿真行为级及RTL级编码以前：手工将ＨＤＬ转换为电路图并描述元件间的互连来产生一个门级网表。综合：用工具完成RTL级到门级网表的转换，这个过程就称为综合定义综合环境的文件，详细说明了工艺单元库和DC在综合过程中使用的其它相关信息。形式验证技术使用数学的方法来确认一个设计，不考虑工艺因素，如时序，通过与参考设计的对比了检查一个设计的逻辑功能。形式验证和动态仿真，形式验证技术通过证明两个设计的结构和功能是逻辑等价的来验证设计；动态仿真只能检查敏感路经。形式验证的目标是要验证RTL与RTL，门级网表与RTL代码，两个门级网表之间的对应关系是否正确在整个设计中，静态时序分析是最重要的步骤，一个迭代过程。静态时序分析充许用户详细分析设计的所有关键路经并给出一个有条理的报告。对布图前后的门级网表进行静态时序分析，在布图前，PrimeTime使用由库指定的线载模型估计线网延时。如果所有关键路径的时序是可以接受的，则由PrimeTime或DC得到一个约束文件，目的是为了预标注到布图工具。在布图后，实际提取的延迟被反标注到PrimeTime以提供真实的延迟计算。布图工具完成布局和布线。布图规划包括单元的布局和时种树的综合，在步图工具中完成。布线一般有两步，全局布线和详细布线。ASIC芯片生产ASIC芯片设计开发CYIT提供如下文件:GDSII文件，物理验证环境，物理验证报告生产厂家进行Merg生产厂家提供物理验证报告CYIT确认和eviewjob生产资料确认过程制造一块IC芯片通常需要400到500道工序。但是概括起来说，它一般分为两大部分：前道工序（front-endproduction）和后道工序（back-endproduction）。[1]前道工序◦(1)将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。◦(2)在wafer上制造各种IC元件。◦(3)测试wafer上的IC芯片[2]后道工序◦(1)对wafer划片（进行切割）◦(2)对IC芯片进行封装和测试第一步硅棒的拉伸◦将多晶硅熔解在石英炉中，然后依靠◦一根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。第二步切割单晶硅棒◦用金刚石刀把单晶硅棒切成一定的厚度◦形成WAFER（晶片、圆片）。注：一片wafer上可以生产出很多颗裸芯片（die）,一般都上千颗第三步抛光WAFER◦WAFER的表面被抛光成镜面。第四步氧化WAFER表面◦WAFER放在900度——1100度的氧化炉中，并通入纯净的氧气，在WAFER表面形成氧化硅。第五步覆上光刻胶◦通过旋转离心力，均匀地在WAFER表面覆上一层光刻胶。第六步在WAFER表面形成图案◦通过光学掩模板和曝光技术在WAFER表面形成图案。第七步蚀刻◦使用蚀刻来移除相应的氧化层。第八步氧化、扩散、CVD和注入离子◦对WAFER注入离子（磷、硼），然后进行高温扩散，形成各种集成器件。第九步磨平（CMP）◦将WAFER表面磨平。第十步形成电极◦把铝注入WAFER表面的相应位置，形成电极。第十一步WAFER测试◦对WAFER进行测试，把不合格的芯片标记出来。注：此阶段的测试主要有两种WAT和CP：CP：circuitprobe，也叫中测，测试项目主要针对器件功能，目的是在封装前将不良品进行标记便于剔除。Wafer级，由CYIT主导WAT：waferacceptancetest，测试项目主要针对的不是功能器件，而是一些表征工艺结果的量，用来监控制程中的工艺执行情况。Wafer级，由芯片生产厂自测第十二步切割WAFER◦把芯片从WAFER上切割下来。形成一颗颗die第十三步固定芯片◦把芯片安置在特定的FRAME上第十三步连接管脚◦用25微米的纯金线将芯片和FRAME上的引脚连接起来。第十三步封装◦用陶瓷或树脂对芯片进行封装。第十六步修正和定型（分离和铸型）◦把芯片和FRAME导线分离，使芯片外部的导线形成一定的形状。第十七步老化（温度电压）测试◦在提高环境温度和芯片工作电压的情况下模拟芯片的老化过程，以去除发生早期故障的产品第十八步成品检测及可靠性测试◦进行电气特性检测以去除不合格的芯片◦成品检测：◦电气特性检测及外观检查◦可靠性检测：◦实际工作环境中的测试、长期工作的寿命测试注：FT测试，finaltest，也叫成测（终测），是指封装过后的成品测试，测试项目主要也是针对器件功能，目的将封装后的不良品剔除。Chip级第十九步标记◦在芯片上用激光打上产品名。