氧化物TFT发明专利总结

发明名称专利权人申请日期申请号双重自对准金属氧化物TFT希百特股份有限公司2010.03.12CN201080017247.4CN201110146477.7CN201110257880.7中科院微电子研究所2011.09.012011.06.02高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管上海大学一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法浙江大学2009.06.25CN200910099947.1薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置京东方2012.06.04CN201210181618.3半导体器件和薄膜晶体管三星显示2012.04.02CN201210554742.XTFT结构基板源漏极有源层*IGZO、HIZO、IZO、a-IZO、ZnO:F、ITO、In2O3：Mo、Cd2SO4、AZO、TiO2:Nb、Cd-Zn-S**包含Cu的单层第一氧化物层/第二氧化物层：（Zn、Sn氧化物，含有In，添加1~30at%的镓、硅、铌、铪、锗）/(In、Zn、Sn氧化物)*0.5~60nm/0.5~60nm*沟道导电层/沟道保护层：高氧或高In（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）/低氧或低In（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）；（ZnO、AZO、ZTO、SnOx）/（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）；高Zn的(AZO、ZTO）/低Zn的(AZO、ZTO）；X=Ga、Hf、Ta、Zr、Y、Al、Sn*5~150nm/1~50nmAu、Ag、Al、Cu、Mo、Cr、Ti、Mg、CaZnO、IGZO真空蒸发、溅射磁控溅射、蒸发底栅结构*ZnO、InO、AZO、IZO、IAZO、IGZO、ZTO、GTO、InGaCuO、InCuO、AiCuOITO、AZO、GZO、IZO或不透明的金属铝IZTO溅射或蒸发，100~500nm磁控溅射，20~200nm底栅结构玻璃顶栅结构硅片、玻璃、陶瓷底栅结构基板*硅片、玻璃、石英、塑料、镂空的硅片基底基板底栅结构缓冲层绝缘层栅极钝化层*****************氧化硅、氮化硅、高K材料Mo、Pt、Al、Ti、Co、Au、Cu、多晶硅、TiN、TaN氧化硅、氮化硅、高K材料****SiOTa2O5、Al2O3、SiO2、TiO2、SiN1-1.5ITO、Au、Al、Cu、Mo、Ag、Cr、Ti、W、Ta*真空蒸发溅射、蒸发溅射、蒸发***MgF2、TaO、SiO2*SiO2、Si3N4ITO**PECVD,50~300nm50~500nm*