元器件型号命名方式

元器件型号命名、规格参数标志方法一、固定电阻器、固定电容器型号命名、规格参数标志方法1、固定电阻器型号命名、规格参数标志方法⑴固定电阻器型号命名方法①②③④第四部分：序号第三部分：特征第二部分：材料第一部分：主称⑵固定电阻器规格参数标志方法①②③④第四部分：允许偏差第三部分：标称阻值第二部分：额定功率第一部分：元件型号⑶电阻器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例RJ71第四部分：序号第三部分：特征（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）规格参数标志示例RJ71－0.125—510—±1%第四部分：允许偏差（1%）第三部分：标称阻值（510）第二部分：额定功率（1/8W）第一部分：元件型号（精密金属膜）⑴固定电容器型号命名方法①②③④第四部分：序号第三部分：特征第二部分：材料第一部分：主称⑵固定电容器规格参数标志方法①②③④第四部分：允许偏差第三部分：标称容值第二部分：额定耐压第一部分：元件型号2、固定电容器型号命名、规格参数标志方法⑶电容器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例CD11第四部分：序号第三部分：特征（箔式）第二部分：材料（铝电解）第一部分：主称（电容器）规格参数标志示例CD11-16V-100μF-±20％第四部分：允许偏差(±20%）第三部分：标称容值（100μF）第二部分：额定耐压（16V）第一部分：元件型号（CD11）二、贴片电阻器、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法1、贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法⑴贴片电阻器型号命名方法①②③④⑤⑥⑦第七部分：包装方式第六部分：允许偏差第五部分：标称阻值第四部分：温度系数第三部分：封装尺寸第二部分：额定功率第一部分：主称⑵贴片电阻器规格参数标志方法①②—③—④—⑤第五部分：允许偏差第四部分：标称阻值第三部分：封装尺寸第二部分：额定功率第一部分：元件主称⑶贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例RS-05K1002FT第七部分：包装方式（T：编带）第六部分：允许偏差（F±1%）第五部分：标称阻值（1002：10K）第四部分：温度系数（K：±100ppm/℃）第三部分：封装尺寸（05：0805）第二部分：额定功率（S：1/8W）第一部分：器件主称（R：电阻器）规格参数标志示例RS-0805-5.1K-±1%第五部分：允许偏差（±1%）第四部分：标称阻值（5.1K）第三部分：封装尺寸（0805）第二部分：额定功率（S系列）第一部分：元件主称（R：电阻器）2、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法⑴贴片电容器型号命名方法①②③④⑤⑥⑦⑧⑨第九部分：包装方式第八部分：个别规格第七部分：允许偏差第六部分：标称容值第五部分：额定电压第四部分：材质第三部分：厚度第二部分：封装尺寸第一部分：产品型号⑵贴片电容器规格参数标志方法①②③④⑤第五部分：允许偏差第四部分：标称容值第三部分：额定耐压第二部分：封装尺寸第一部分：元件型号⑶贴片电容器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例GRM188R71C225KE15D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨第九部分：包装方式（D：纸编带）第八部分：个别规格（E15）第七部分：允许偏差（K：±10%）第六部分：标称容值（2.2μF）第五部分：额定电压（1C：16V）第四部分：材质（R7：X7R）第三部分：厚度（8：0.8mm)第二部分：封装尺寸（18：0603）第一部分：产品型号(GRM:普通陶瓷)规格参数标志示例CC41-1210-50V-22μF-±20％第五部分：允许偏差（±20%）第四部分：标称容值（22μF）第三部分：额定耐压（50V）第二部分：封装尺寸（1210）第一部分：元件型号(CC41)三、固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法⑴固定电感器型号命名方法固定小型电感器型号命名方法由下列四部分组成：①②③④第四部分：序号第三部分：形式第二部分：特征第一部分：主称⑵固定电感器规格参数标志方法固定小型电感器规格参数标志方法由下列四部分组成：①②③④第四部分：允许偏差第三部分：标称电感第二部分：额定电流第一部分：元件型号⑶固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例LGX1第四部分：序号第三部分：形式（小型）第二部分：特征（高频）第一部分：主称（电感器）规格参数标志示例LGX1—A—10μH—±5%第四部分：允许偏差（5%）第三部分：标称电感（10μH）第二部分：额定电流（50mA)第三部分：元件型号（高频小型电感）四、小型贴片电感器型号命名、规格参数标志方法⑴贴片电感器型号命名方法①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩第十部分：包装第九部分：电极第八部分：特征第七部分：允许偏差第六部分：标称电感第五部分：类型第四部分：应用特性第三部分：封装尺寸第二部分：结构形式第一部分：产品型号⑵贴片电感器规格参数标志方法①②③④⑤第五部分：允许偏差第四部分：标称电感第三部分：额定电流第二部分：器件封装第一部分：元件型号⑶小型贴片电感器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例LQH32MN331K23L①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩第十部分：包装（L：编带）第九部分：电极（3：无铅焊剂）第八部分：特征（2：标准型）第七部分：允许偏差（K：±10%)第六部分：标称电感（331：330μH）第五部分：类型（N：标准型）第四部分：应用特性（M：薄膜型）第三部分：封装尺寸（32：1210）第二部分：结构形式（H：绕线型，铁氧体芯）第一部分：产品型号（LQ)规格参数标志示例LQ-1210-65mA-330μH-±10%第五部分：允许偏差（±10%）第四部分：标称电感(330μH)第三部分：额定电流（65mA)第二部分：器件封装（1210）第一部分：元件型号（LQ）五、半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法1、半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法⑴半导体分立器件型号命名方法①②③④⑤第五部分：规格号第四部分：序号第三部分：器件类别第二部分：材料极性第一部分：电极数目⑵半导体分立器件规格参数标志方法①②③④第四部分：附加参数第三部分：规格参数第二部分：封装形式第一部分：元器件型号⑶半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例3AD50C第五部分：规格号（C）第四部分：序号（50）第三部分：器件类别（D：低频大功率）第二部分：材料极性（A：PNP型、锗材料）第一部分：电极数目（3：三极管）规格参数标志示例1N4732A-（DO-41）-4.7V-1W第四部分：附加参数（功率）第三部分：器件参数（稳压值）第二部分：器件封装（DO-41)第一部分：器件型号(1N4732A）第四部分：附加参数（功率）第三部分：规格参数（稳压值）第二部分：器件封装（1206）第一部分：器件型号（1N4698）型号命名示例CS2B第五部分：规格号（B）第四部分：序号（2）第三部分：器件类别（场效应晶体管）规格参数标志示例1N4698-1206-11V-1/2W第四部分：附加参数(1/2W)第三部分：规格参数(11V)第二部分：封装尺寸（1206）第一部分：器件型号（1N4698)六、半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法1、半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法⑴半导体集成电路型号命名方法①②③④⑤第五部分：器件封装第四部分：温度范围第三部分：品种代号第四部分：器件类型第五部分：符合国家标准⑵半导体分立器件规格参数标志方法①②第二部分：器件封装第一部分：器件型号⑶半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例CF741CT第五部分：器件封装（T：金属圆形）第四部分：温度范围（C：7～70℃）第三部分：品种代号（741）第二部分：器件类型（F：线性放大器）第一部分：符合国家标准（C）规格参数标志示例ADC0809—（DIP-28）第二部分：器件封装（DIP-28）第一部分：器件型号（ADC0809）七、变压器型号命名、规格参数标志方法1、中频型号命名、规格参数标志方法⑴中频变压器型号命名方法①②③第一部分：级数第二部分：尺寸第三部分：主称⑵中频变压器规格参数标志方法①②第二部分：器件封装第一部分：器件型号⑶中频变压器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例TTF—3—1第三部分：级数（第一级）第二部分：尺寸（12×12×16）第一部分：主称（磁性瓷心式调幅用中频变压器）规格参数标志示例TTF—3—1—（12×12×16）第二部分：器件封装第一部分：器件型号（DB-60-2）2、低频型号命名、规格参数标志方法⑴低频变压器型号命名方法①②③第一部分：序号第二部分：功率第三部分：主称⑵低频变压器规格参数标志方法①②第二部分：器件封装第一部分：器件型号⑶低频变压器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例DB—60—2第三部分：序号（2）第二部分：功率（60VA）第一部分：主称（DB：电源变压器）规格参数标志示例DB—60—2—（器件封装）第二部分：器件封装第一部分：器件型号（DB-60-2）