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1.当你输出功率太大,会使PA操作在饱和区,产生非线性效应,如下图:而非线性效应,会衍生许多噪声,例如DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图:1而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍,因此会使两旁频谱上涨,如下图[1]:而IMD3,又牵扯到IIP3,IIP3越大,其产生的IMD3就越小。所以简单讲,ACLR就是TX电路IMD3的产物,测ACLR等于是在测你TX电路端的IIP3。由上式可知,如果输入功率小,使PA操作在线性区,或是这颗PA的IIP3够大,那么ACLR就可以压低。22.另外,厂商多半会有PA的Loadpull图,由上图可知,ACLR跟耗电流是Trade-off,这是因为PA的线性度与效率,是反比的,你ACLR要低,那就是IIP3要高,线性度要好,因此效率就低,耗电流就大。反之,你要耗电流小,那就是牺牲线性度,ACLR就会差。所以一般而言,调PA的Load-pull时,多半就是调到最常用的50奥姆,以兼顾ACLR跟耗电流33.WCDMA的TX是BPSK调变,非恒包络,因此其PA须靠Back-off,来维持线性度[1-2]。当然,Back-off越多,线性度越好(但耗电流也越大)。而WCDMA的方块图如下[1]:4PA输出端的Loss,例如ASM,Duplexer,Matching,走线的InsertionLoss,统称为PostLoss。如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm),一旦PostLoss越大,意味着你PA的输出功率就越大,如下式跟下图[3]:如果PA输出功率打越大,那就是Back-off越少,越接近饱和点,当然其线性度也越差,其ACLR会跟着劣化。54.由上图可知,PA的input,同时也是DA(DriverAmplifier)的Load-pull。如果PAinput的阻抗,离50奥姆太远,亦即此时DA的线性度不够好,ACLR就差,加上PA是最大的非线性贡献者,如果PAinput的ACLR已经很差,那么PAout的ACLR,只会更差。一般而言,一线品牌大厂,其PA输出端正负5MHz的ACLR,都要求至少-40dBc[1]。亦即表示PAinput的ACLR,至少要小于-50dBc,(由于DA的输出功率,远小于PA输出功率,因此ACLR也会来得较低,再次证明ACLR与输出功率有关)。65.LOLeakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3,进而使ACLR劣化[4]。所以若在PA前端,先用SAWFilter把2倍谐波砍掉,可降低其IMD3,进一步改善ACLR。而若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,因此理论上,使用BAW的ACLR,会比使用SAW来得好[1]。7而FBAR的带外噪声抑制能力,又会比BAW来得好,当然,有些平台,在PA前端,是没加SAWFilter的。而拿掉SAWFilter之后,其ACLR也不会比较差[1,4]。8这是为什么呢?其实由以上分析可以知道,PA前端的SAWFilter,之所以能改善ACLR,主要原因是抑制Transceiver所产生的OutbandNoise(包含谐波)。换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的OutbandNoise很小,其实PA前端是可以不用加SAWFilter的,但要注意,虽然PA前端的SAWFilter可抑制带外噪声,改善ACLR,但若其PA输入端SAWFilter的InsertionLoss过大,意味着DA需打出更大的输出功率,以符合PA的输入范围(若低于下限,则无法驱动PA),如下式:9而不管是PA,还是DA,若输出功率越大,则ACLR越差,如下图[1]:若DA输出功率大,使得PA输入端的ACLR差,那么PA输出的ACLR,肯定只会更差。当然,若用FBAR,既可抑制带外噪声,InsertionLoss又小,是个风险低的方案,但成本不低。106.由下图可知,Vcc越小,其ACLR越差[5]:这是因为,放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,即Cgd,如下图[2]:11而当电压极低时,其Cgd会变大。上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真。简单讲,低压会让PA线性度变差,因此若Vcc走线太长或太细,会有IRDrop,使得真正灌入PA的Vcc变小,那么ACLR就会差[6-8]。当然,除了PA电源,收发器的电源也很重要,否则若DA的电源因IRDrop而变小,使得PA输入端的ACLR变差,那PA输出端的ACLR,只会更差。127.在校正时,常会利用所谓的预失真,来提升线性度[1-2]:而由下图可知,做完预失真后,其ACLR明显改善许多,(因为提升了PA的线性度)因此当ACLR差时,不仿先重新校正一下。138.一般而言,PA电源,是来自DC-DCConverter,其功率电感与Decoupling电容关系如下[6-10]:由于DC-DCConverter的SwitchingNoise,会与RF主频产生IMD2,座落在主频两侧:虽然IMD2的频率点,只会落在主频左右两旁1MHz之处,理论上不会影响正负5MHz的ACLR。但因为一般而言,DC-DCConverter的SwitchingNoise,其带宽都很宽,大概10MHz。因此上述IMD2的带宽,分别为5MHz与15MHz,(WCDMA主频频宽为5MHz),换言之,上述的IMD2,是很宽带的Noise,故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR。14因此,如果能有效抑制DC-DCConverter的SwitchingNoise,便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR。故可利用磁珠或电感,来抑制DC-DCConverter的SwitchingNoise,如下图[6-10]:我们作以下6个实验:15就假设DC-DCSwitchingNoise为1MHz,我们可以看到,在Case2,Case3,Case4,其1MHz的InsertionLoss都变大,这表示在DC-DC与PA的稳压电容之间,插入电感或磁珠,对于SwitchingNoise,确实有抑制作用。而由下图可知,其WCDMA的ACLR,也跟着改善。由于Case3的InsertionLoss最大,因此Case3的ACLR也确实改善最大。169.承第8点,DC-DCConverter的稳压电容,与PA的稳压电容,绝不可共地,因为该共地,对DC-DCSwitchingNoise而言,是低阻抗路径,若共地,则DC-DCSwitchingNoise,会避开磁珠或电感,直接灌入PA,产生IMD2,导致ACLR劣化。换言之,共地会使第8点的磁珠或电感,完全无抑制作用。而功率电感,磁珠或电感的内阻,也不宜过大,否则会产生IRDrop,使PA线性度下降,ACLR劣化。17因此总结一下,ACLR劣化时,可以注意的8个方向:1.PA输出功率2.PALoad-pull3.PAPostLoss4.PA的输入阻抗5.PA输入端的SAWFilter6.Vcc的IRDrop7.校正8.DC-DCconverterSwitchingNoise18Reference[1]WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析,百度文库[2]极化调制之EDGE功率放大器,百度文库[3]多频功率放大器之输出损耗(PostPALoss)对效率与线性度之影响,百度文库[4]SAWFilter对WCDMA发射性能的影响,百度文库[5]SKY66001-11:2100to2200MHz,+19dBmLinearPowerAmplifier,SKYWORKS[6]上集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[7]中集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[8]下集_磁珠_电感_电阻_电容于噪声抑制上之剖析与探讨,百度文库[9]磁珠对GSM调制频谱的影响,百度文库[10]功率电感对GSM调制频谱的影响,百度文库19
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