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开关电容电路基本概念采样开关MOS开关误差速度问题电荷注入抵消开关电容放大器开关电容积分器开关电容共模反馈基本概念连续时间电路:输入是连续时间信号,输出也是连续时间信号。如图:若运放增益无限大,则:12RRVVinout−=9若运放的增益不是无限大,则可能引入误差。是一个反相放大器。9当输出阻抗很高时,电阻R2使运放增益下降,误差增加。9电阻的工艺绝对误差很大,而电容的工艺绝度误差相对较小问题:为什么不能用电容代替电阻?基本概念在反相放大器中,用电容代替电阻。如图:若运放增益无限大,则:21CCVVinout−=同样实现信号反相放大的功能。问题:考虑电路中的x点:没有任何的电流通路。因此对x点,有电荷守恒。电荷量和电路的初态有关。解决方法:必须有电流通路设置x点的偏置电压。在反相放大器中,采用开关并联电容的方式代替电阻,当开关关闭时,提供了一条对x点的电流通路。基本概念采用开关电容如图:同样假设运放增益无限大,开关电容电路工作分二个阶段:a)S1、S2接通,S3断开0==⇒xoutVVxVxVAV−=Q因此,C2两端的电压为零,C1两端的电压为Vin。电荷为:inVCQ1b)当t=t0时,S1、S2断开,S3接通C1两端的电压为零,C2的电压为Vout=()0100VCQVtVin=⇒==Q⇒≈0xVQ021012VCCVVCVCQoutout=⇒==∴采样信号放大C1/C2倍基本概念上述开关电容电路的特点:9工作分二个过程:采样:对模拟输入信号进行采样,没有放大功能。放大:对采样输入信号进行放大,而不是处理连续信号9放大需要一定的时间,使输出达到一定的精度。因为放大过程是电荷转换过程,需要充放电电流。9电路需要一个时钟来确定每个阶段。因此开关电容电路是一种离散时间系统。9和电阻负载相比,电容负载不会影响运放的输出阻抗。9电容易匹配,精度高。9虚地必须是高阻,使电荷不会损失。因此,适用于MOS管采样开关一个简单的采样电路需要一个开关和电容,控制开关对输入信号采样,信号的幅度转化为电荷保持在电容上。用MOS管作为采样开关:NMOS开关:9当CK=1时,Vout随Vin变化。CK=0时,Vout保持常数。9NMOS开关是双向传输的9强“0”、弱“1”当Vin=1时,thnDDoutDDinVVVVV−=⇒=实际上,输入信号值远低于上述值。thnDDinVVV−≤∴采样开关导通电阻:若栅极电压VDD远大于Vin和Vout电压值一个阈值电压以上,则NMOS保持在线性区。()()thninDDoxnonVVVLWCR−−=μ1↑↑⇒oninRV导通电阻和输入电压成反比。导通电阻增加,使到达稳定态的时间增加,速度下降。PMOS开关:和NMOS类似,不同之处在于:9当CK=0时,Vout随Vin变化。CK=1时,Vout保持常数。9强“1”、弱“0”采样开关讨论:9“零失调”开关工作在深线性区的MOS器件称为“零失调”开关,指采样电路的输入和输出电压之间没有直流偏移。9速度的概念指电压的初始值到稳定值得时间,稳定值由精度的要求决定。9提高速度的方法:↓↓↑⇒HonCorRLWNMOS和PMOS的深线性区对应的输入电压范围不同,具有互补性。采样开关CMOS开关:PonNononRRR,,//=当:βμμ=⎟⎠⎞⎜⎝⎛=⎟⎠⎞⎜⎝⎛PoxpNoxnLWCLWC导通电阻和输入电压无关()()()()thpthnDDthpinthninDDthpinthninDDPonNononVVVVVVVVVVVVVRRR−−=−+−−=−−−==ββββ111//1//,,采样开关CMOS开关必须有两个反相时钟控制,一般这两个时钟是不同时到达的。如图,CK先到达。以CK=0的下降沿为采样点,得到理想值。但在延时Δt后关断,则实际值和理想值之间有偏差。CKCMOS开关不同时关断引起的失真:解决方法:消除互补时钟的不同时:版图布线对称,利用互补的数字时钟产生电路。如图,用一个恒导通的CMOS开关等效一级门延时。MOS采样开关的误差MOS开关的误差使精度下降。1.沟道电荷注入如图:MOS开关导通时,氧化层下的硅表面存在沟道,假定沟道中的总电荷outinVV≈()thninDDoxchVVVWLCQ−−=对NMOS来说,沟道是负极板。当栅电压增加时,电子密度上升。当MOS管断开时,电荷被抽走。若假定:一半电荷注入到CH,另一半被输入源极吸收。则:()HthninDDoxHchHCVVVWLCCQCQV22−−==Δ=Δ因为是电子注入,因此电压是向下跳变的。MOS采样开关的误差讨论:a)若电容下降,则速度提高,但ΔV增加,精度下降;若沟道宽度W增加,导通电阻下降,则速度提高,但ΔV增加,精度下降。b)电荷注入的比例很难控制。大多数电路分析模拟工具对电荷注入效应的模拟是不精确的。若电荷分配使电荷完全注入到采样电容上,则可求得昀大输出电压误差:()()thnDDHoxinHoxHthninDDoxinoutVVCWLCVCWLCCVVVWLCVV−−⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+=−−−=1MOS采样开关的误差因此,电荷注入效应引起的输出误差可分成:a)增益误差:HoxinoutCWLCVV+=1表现为非单位增益。b)固定的失调电压误差:()thnDDHoxoutVVCWLCV−=Δc)非线性误差:考虑体效应,引入阈值电压和输入电压的非线性关系()()FthnDDHoxinFHoxinHoxoutFSBFthnthninSBVVCWLCVCWLCVCWLCVVVVVVΦ+−−+Φ+⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+=∴Φ−+Φ+=≈2212200γγγQ非线性误差不能修正MOS采样开关的误差考虑由电荷注入效应引起的速度和精度的折中:显然,电荷注入效应引起的误差和宽长、栅电容成正比,和采样电容成反比。定义性能参数F:VFΔ×=τ1Τ是时间常数,ΔV表征由电荷注入效应引起的误差。()HthninDDoxCVVVWLCV−−=ΔQ()()HthninDDoxnHonCVVVLWCCR−−==μτ1↓↑⇒=∴FLLFn2μ和采样电容、沟道宽度的大小无关。MOS采样开关的误差2.时钟馈通MOS开关存在交叠电容。假定:交叠电容=WCov,固定不变。()()()ovckHovoutovckinoutWCVCWCVCKWCVQCKtVtV−=+⇒→=×=⇒=====,0110000Q时钟馈通产生的输出误差是直流失调。和电荷注入效应一样,时钟馈通效应也有速度和精度之间的折中问题。3.kT/C噪声:对电容充电引入噪声,关断后噪声采样在采样电容上。采样电容增加,噪声降低、精度提高、速度下降。HHovckHovovckoutCWCWCVCWCWCVVV∝≈+==Δ∴MOS采样开关的误差消除技术a)采用一个“虚拟”的MOS开关,其电荷注入效应和采样开关相反。如图,当采样开关断开时,采样开关有电荷注入采样电容。则虚拟开关接通,从采样开关上吸收相等数量的电荷。假设M1有一半电荷注入到采样电容。则:()thninDDoxVVVCLWq−−=Δ2111()thninDDoxVVVCLWq−−=Δ12222121212WWLLqq==∴Δ=Δ⇒Q由于M1的电荷分配是复杂的,因此只能部分消除1qΔMOS采样开关的误差消除技术“虚拟”开关同样对时钟馈通效应有抑制作用。假定采用上述的设计,则:21212WWLL==Q22112OVovovOVCCWCWC===∴M1、M2的交叠电容相等。因为电压的变化值相等,直观上,M1交叠电容上的电荷全部转移到M2的交叠电容上。使输出电压保持不变。022212211=+++++−HovovovckHovovovckCCWCWCWVCCWCWCWVMOS采样开关的误差消除技术b)采用CMOS开关NMOS和PMOS分别注入电子和空穴。假设开关关断时,沟道中的电荷全部注入采样电容。使:pnqqΔ=Δ()()thpinoxthninDDoxVVCLWVVVCLW−=−−2211则,电荷注入效应能够消除,但是,pnqqΔ=Δ仅对某一个输入电压值成立。因为NMOS和PMOS的交叠电容值不同。因此,时钟馈通效应不能被消除。MOS采样开关的误差消除技术c)采用差分结构()11111thninDDoxVVVCLWq−−=ΔQ()22222thninDDoxVVVCLWq−−=Δ21MM=Q()()[]()()121212122122inFinFoxininoxthnthnininoxVVWLCVVWLCVVVVWLCqq+−++−=−+−=Δ−Δφφγ上式中,第一项表示增益误差,和单NMOS开关相同。第二项表示二个单NMOS的非线性误差之差。差分结构没有直流偏差。MOS采样开关的误差消除技术d.下极板技术CMOS工艺中电容的下极板带有较大的寄生电容,因此,一般将电路中的关键节点和电容的上极板相连。例如,在上述的开关电容电路中,电荷守恒的节点x是关键节点。将电容上极板和节点x相连,减小x点的寄生电容,这种技术称为“下极板采样”技术。开关电容放大器单位增益采样器针对离散时间的应用,需要采样电路。例如:ADC前端采样。开关s1对电容注入与输入有关的电荷影响了采样精度。如图是一种单极板采样器。采样:S1和S2导通,S3断开0≈=∴xoutVV采样电容上的电压跟踪输入电压。0=∴=−=xxxoutVVAVVQ开关电容放大器放大:S1和S2断开,S3导通0VVout=∴00VVttin==因为,x点电荷守恒,控制开关时钟顺序克服沟道电荷注入问题。9考虑S2的注入:S2比S1先关断,S2的沟道电荷注入采样开关。对NMOS开关,()thxckoxVVVCLWq−−=Δ220≈xVQS2的沟道电荷注入值是固定的,相当于直流失调。显然,直流失调误差可以用差分结构消除。开关电容放大器9考虑S1的电荷注入,假定,x点对地的总电容为:XC因为S2已经断开,x点的总电荷不变。假定初始总电荷为零,则:()00=⇒⎩⎨⎧−==−−outxoutHxoutXxVAVVCVVCV结论为,当S1断开后,x点的总电荷不变。S1的电荷注入没有影响。9考虑S3的电荷注入因为在反馈电路稳定后,采样电容上的电荷稳定,与S3无关,因此S3的沟道电荷全部由运放提供。开关电容放大器精度问题:由于运放的增益有限引入了误差采样过程:0=∴==−xxoutxVVVAVQCin上的电荷为零。0VVin=QCH上的电荷为。X点的总电荷为HCV0HCV0−放大过程:Cin上的电荷为。inxCVHinxCVCV0CH上的电荷为+()xHHinxoutVCCVCVV=+−∴/0outxVAV=−()()⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛+−≈++=∴1111/1100HinVHinVoutCCAVCCAVV↓↑∴inVCA,开关电容放大器速度问题:可以针对采样和放大过程的电路分别求时延。采样过程:和采样电容串接的电阻可分为RxRon,1是x点对地的总电阻。Rx()xonxxmxVRIRVGI=+−200201RGRRIVRmonxxx++==2001onmRRRG若开环增益mxGR1≈∴采样时间常数:()HmonCGR11+≈τ开关电容放大器放大过程:对x点,初值产生跳变,000VVVtouttout==∞==0VVx−=因为,CL很大,两端电压不能跳变00=∴=toutV00VVx−→CH的两端电压同样不能跳变。=∴Cin的值很小,很少的电荷变化可使其两端电压跳变。可假定线性模型利用等效电路求时间常数(不考虑转换)()()mLCCCHmLHHininLGCCGCCCCCCHLin/,⎯⎯⎯⎯→⎯++=τ开关电容积分器电阻等效:A、B两端之间接电阻R,RVVIBA−=电流I的作用是在一定时间内将定量电荷从A移动到B。考虑电容C:S1、S2由不交叠时钟控制S1导通,对C充电,ACVQ=S2导通,C上的电荷,BCVQ=有电荷从A流到B:一个周期内,()BAVVCQ−=Δ()()1/−==⇒−=CfCTRTVVCIeqBAeq↑↑⇒↑⇒=Δ↓↑→↑↑→Δ↑⇒
本文标题:开关电容电路
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