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JM12864M-2中文字库一一一一、、、、液晶显示模块概述液晶显示模块概述液晶显示模块概述液晶显示模块概述JM12864M-2汉字图形点阵液晶显示模块,可显示汉字及图形,内置8192个中文汉字(16X16点阵)、128个字符(8X16点阵)及64X256点阵显示RAM(GDRAM)。主要技术参数和显示特性:电源:VDD3.3V~+5V(内置升压电路,无需负压);显示内容:128列×64行显示颜色:黄绿显示角度:6:00钟直视LCD类型:STN与MCU接口:8位或4位并行/3位串行配置LED背光多种软件功能:光标显示、画面移位、自定义字符、睡眠模式等二二二二、、、、外形尺寸外形尺寸外形尺寸外形尺寸外观尺寸:93×70×12.5mm视域尺寸:73×39mm外形尺寸图外形尺寸ITEMNOMINALDIMENUNIT模块体积93×70×12.5mm视域73.0×39.0mm行列点阵数128×64dots点距离0.52×0.52mm点大小0.48×0.48mm二二二二、、、、模块引脚说明模块引脚说明模块引脚说明模块引脚说明128X64HZ引脚说明引脚号引脚名称方向功能说明1VSS-模块的电源地2VDD-模块的电源正端3V0-LCD驱动电压输入端4RS(CS)H/L并行的指令/数据选择信号;串行的片选信号5R/W(SID)H/L并行的读写选择信号;串行的数据口6E(CLK)H/L并行的使能信号;串行的同步时钟7DB0H/L数据08DB1H/L数据19DB2H/L数据210DB3H/L数据311DB4H/L数据412DB5H/L数据513DB6H/L数据614DB7H/L数据715PSBH/L并/串行接口选择:H-并行;L-串行16NC空脚17/RETH/L复位低电平有效18NC空脚19LED_A(LED+5V)背光源正极20LED_K(LED-OV)背光源负极逻辑工作电压(VDD):4.5~5.5V电源地(GND):0V工作温度(Ta):-10℃~60℃(常温)/-20℃~70℃(宽温)三三三三、、、、接口时序接口时序接口时序接口时序模块有并行和串行两种连接方法(时序如下):1、8位并行连接时序图MPU写资料到模块MPU从模块读出资料2、串行连接时序图串行数据传送共分三个字节完成:第一字节:串口控制—格式11111ABCA为数据传送方向控制:H表示数据从LCD到MCU,L表示数据从MCU到LCDB为数据类型选择:H表示数据是显示数据,L表示数据是控制指令C固定为0第二字节:(并行)8位数据的高4位—格式DDDD0000第三字节:(并行)8位数据的低4位—格式0000DDDD串行接口时序参数:(测试条件:T=25℃VDD=4.5V)四四四四、、、、用户指令集用户指令集用户指令集用户指令集1、指令表1:(RE=0:基本指令集)指令码指令RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0说明执行时间(540KHZ)清除显示0000000001将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”4.6ms地址归位000000001X设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”,并且将游标移到开头原点位置;这个指令并不改变DDRAM的内容4.6ms进入点设定00000001I/DS指定在资料的读取与写入时,设定游标移动方向及指定显示的移位72us显示状态开/关0000001DCBD=1:整体显示ONC=1:游标ONB=1:游标位置ON72us游标或显示移位控制000001S/CR/LXX设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改变DDRAM的内容72us功能设定00001DLX0REXXDL=1(必须设为1)RE=1:扩充指令集动作72usRE=0:基本指令集动作设定CGRAM地址0001AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定CGRAM地址到地址计数器(AC)72us设定DDRAM地址001AC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定DDRAM地址到地址计数器(AC)72us读取忙碌标志(BF)和地址01BFAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0读取忙碌标志(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出地址计数器(AC)的值0us写资料到RAM10D7D6D5D4D3D2D1D0写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM)72us读出RAM的值11D7D6D5D4D3D2D1D0从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM)72us指令表—2:(RE=1:扩充指令集)指令码指令RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0说明执行时间(540KHZ)待命模式0000000001将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”72us卷动地址或IRAM地址选择000000001SRSR=1:允许输入垂直卷动地址SR=0:允许输入IRAM地址72us反白选择00000001R1R0选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白与否72us睡眠模式0000001SLXXSL=1:脱离睡眠模式SL=0:进入睡眠模式72us扩充功能设定000011X1REG0RE=1:扩充指令集动作RE=0:基本指令集动作G=1:绘图显示ONG=0:绘图显示OFF72us设定IRAM地址或卷动地址0001AC5AC4AC3AC2AC1AC0SR=1:AC5—AC0为垂直卷动地址SR=0:AC3—AC0为ICONIRAM地址72us设定绘图RAM地址001AC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定CGRAM地址到地址计数器(AC)72us备注:1、当模块在接受指令前,微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态,即读取BF标志时BF需为0,方可接受新的指令;如果在送出一个指令前并不检查BF标志,那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间,即是等待前一个指令确实执行完成,指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更“RE”位元后,往后的指令集将维持在最后的状态,除非再次变更“RE”位元,否则使用相同指令集时,不需每次重设“RE”位元。具体指令介绍具体指令介绍具体指令介绍具体指令介绍::::1、清除显示CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLLLH功能:清除显示屏幕,把DDRAM位址计数器调整为“00H”2、位址归位CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLLHX功能:把DDRAM位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM3、位址归位CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLHI/DS功能:把DDRAM位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM功能:执行该命令后,所设置的行将显示在屏幕的第一行。显示起始行是由Z地址计数器控制的,该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器,起始地址可以是0-63范围内任意一行。Z地址计数器具有循环计数功能,用于显示行扫描同步,当扫描完一行后自动加一。4、显示状态开/关CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLHDCB功能:D=1;整体显示ONC=1;游标ONB=1;游标位置ON5、游标或显示移位控制CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLHS/CR/LXX功能:设定游标的移动与显示的移位控制位:这个指令并不改变DDRAM的内容6、功能设定CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLHDLX0REXX功能:DL=1(必须设为1)RE=1;扩充指令集动作RE=0:基本指令集动作7、设定CGRAM位址CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLHAC5AC4AC3AC2AC1AC0功能:设定CGRAM位址到位址计数器(AC)8、设定DDRAM位址CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0功能:设定DDRAM位址到位址计数器(AC)9、读取忙碌状态(BF)和位址CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LHBFAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0功能:读取忙碌状态(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值10、写资料到RAMCODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0HLD7D6D5D4D3D2D1D0功能:写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)11、读出RAM的值CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0HHD7D6D5D4D3D2D1D0功能:从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)12、待命模式(12H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLLLH功能:进入待命模式,执行其他命令都可终止待命模式13、卷动位址或IRAM位址选择(13H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLLHSR功能:SR=1;允许输入卷动位址SR=0;允许输入IRAM位址14、反白选择(14H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLLHR1R0功能:选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白的与否15、睡眠模式(015H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLLLHSLXX功能:SL=1;脱离睡眠模式SL=0;进入睡眠模式16、扩充功能设定(016H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLLHHX1REGL功能:RE=1;扩充指令集动作RE=0;基本指令集动作G=1;绘图显示ONG=0;绘图显示OFF17、设定IRAM位址或卷动位址(017H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLLHAC5AC4AC3AC2AC1AC0功能:SR=1;AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0;AC3~AC0写ICONRAM位址18、设定绘图RAM位址(018H)CODE:RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0功能:设定GDRAM位址到位址计数器(AC)五五五五、、、、显示坐标关系显示坐标关系显示坐标关系显示坐标关系1、图形显示坐标水平方向X—以字节单位垂直方向Y—以位为单位2、汉字显示坐标X坐标Line180H81H82H83H84H85H86H87HLine290H91H92H93H94H95H96H97HLine388H89H8AH8BH8CH8DH8EH8FHLine498H99H9AH9BH9CH9DH9EH9FH3、字符表代码(02H---7FH)六六六六、、、、显示显示显示显示RAM1、文本显示RAM(DDRAM)1、文本显示RAM(DDRAM)文本显示RAM提供8个×4行的汉字空间,当写入文本显示RAM时,可以分别显示CGROM、HCGROM与CGRAM的字型;ST7920A可以显示三种字型,分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。三种字型的选择,由在DDRAM中写入的编码选择,各种字型详细编码如下:显示半宽字型:将一位字节写入DDRAM中,范围为02H-7FH的编码。显示CGRAM字型:将两字节编码写入DDRAM中,总共有0000H,0002H,0004H,0006H四种编码显示中文字形:将两字节编码写入DDRAMK,范围为A1A0H-F7FFH(GB码)或A140H-D75FH(BIG5码)的编码。绘图RAM(GDRAM)绘图显示R
本文标题:非常详细的12864中文资料(ST7920)
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