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ZHCS003第页,共105页1CC1100E低功耗Sub-GHzRF收发器(470-510MHz和950-960MHz)应用范围z运行于470/950MHzISM/SRD频带的超低功耗无线应用z无线传感网络z家庭和楼宇自动化z高级抄表架构(AMI)z无线计量z无线告警和安全系统产品描述CC1100E是一款Sub-GHz高性能射频收发器,设计旨在用于极低功耗RF应用。其主要针对工业、科研和医疗(ISM)以及470-510MHz和950-960MHz频带的短距离无线通信设备(SRD)。CC1100E特别适合于那些针对日本ARIBSTD-T96标准和中国470-510MHz短距离通信设备的无线应用。CC1100E在代码、封装和外引脚方面均与CC1101[1]和CC1100[2]RF收发器兼容。CC1100E、CC1101以及CC1100均支持互补频带,可用于全球昀为常用的开放式低于1GHz频率的RF设计:zCC1100E:470-510MHz和950-960MHzzCC1101:300-348MHz,387-464MHz和779-928MHzzCC1100:300-348MHz,400-464MHz和800-928MHzCC1100ERF收发器与一个高度可配置的基带调制解调器集成在一起。该调制解调器支持各种调制格式,并且拥有高达500kBaud的可配置数据速率。CC1100E可提供对数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示以及无线唤醒的广泛硬件支持。我们可通过一个SPI接口对CC1100E的主要运行参数和64字节发送/接收FIFO进行控制。一个典型的系统中,CC1100E通常会与一颗微控制器以及少数附加无源组件一起使用。在没有事先得到德州仪器(TI)书面许可的情况下,不得将该产品用于下列任何产品或系统中:(1)植入式心律管理系统,包括无限制起搏器、除颤器和心脏再同步设备,(2)直接与一个或多个植入式医疗设备通信的外部心律管理系统;或(3)用于监控或治疗心脏功能的其它设备,包括无限制压力传感器、生物化学传感器和神经刺激器。如果您的应用可能属于上述类别,请发邮件至:lpw-medical-approval@list.ti.comZHCS003第页,共105页2CC1100E关键特性RF性能z高灵敏度(1.2kBaud、480MHz、1%误包率条件下为–112dBm)z低电流消耗(1.2kBaud、480MHz下RX中为15.5mA)z所有支持频率下高达+10dBm的可编程输出功率z卓越的接收机选择性和阻断性能z1.2到500kBaud的可编程数据速率z频带:470-510MHz和950-960MHz模拟特性z支持2-FSK、GFSK、MSK以及OOK,灵活的ASK波形整形z快速的锁定频率合成器以及90μs的建立时间使其适合于许多跳频系统。z使用自动频率补偿(AFC)将频率合成器调整到实际接收信号中心频率z集成的模拟温度传感器数字特性z提供对数据包导向系统的灵活支持;同步字检测、地址校验、灵活的数据包长度以及自动CRC处理的片上支持z高效的SPI接口;利用一次“突发”数据传输便可对所有寄存器进行编程z数字RSSI输出z可编程信道滤波器带宽z可编程载波监听(CS)指示器z可编程前导质量指示器(PQI),用于随机噪声伪同步字检测增强保护z支持发送前自动空闲信道评估(CCA)(用于载波监听系统)z支持每个数据包的链路质量指示(LQI)z可选数据自动白化和去白(de-whitening)低功耗特性z400nA睡眠模式电流消耗z快速启动时间;从睡眠模式转为RX或者TX模式只需240μs(由EM参考设计[3]和[4]测量得出)z自动低功耗RX轮询无线唤醒功能z单独的64字节RX和TX数据FIFO(实现了突发模式数据传输)一般特性z少量的外部组件;完全片上频率合成器,无需外部滤波器或RF开关z绿色封装:符合RoHS标准,不含锑或溴z小尺寸封装(QFN4x4mm封装,20引脚)z适合于那些针对日本ARIBSTD-T96标准的系统z适合于那些针对中国470-510MHz短距离通信设备规定的系统z支持异步和同步串行接收/发送模式,以向后兼容现有无线通信协议。ZHCS003第页,共105页3CC1100E缩略语本文所使用的缩略语如下所示:ACP邻近信道功率MSK昀小频移键控ADC模数转换器N/A不适用AFC自动频率补偿NRZ非归零编码AGC自动增益控制OOK开关键控AMR自动抄表PA功率放大器ARIB无线电工商协会PCB印刷电路板ASK幅移键控PD断电模式BER误码率PER误包率BT带宽时间乘积PLL锁相环CCA空闲信道评估POR上电复位CFR美国联邦法规PQI前导质量指示符CRC循环冗余校验PQT前导质量阈值CS载波监听PTAT与绝对温度成正比CW连续波(未调制载波)QFN无引线四方扁平封装DC直流电QPSK正交相位偏移键控DVGA数字可变增益放大器RC阻容ESR等效串联电阻RF射频FEC前向纠错RSSI接收信号强度指示FIFO先进先出RX接收、接收模式FHSS跳频展频SAW声表面波2-FSK二进制频移键控SMD表面贴装器件GFSK高斯型频移键控SNR信噪比IF中频SPI串行外设接口I/Q同相位/正交相位SRD短距离无线通信设备ISM工业、科研、医疗TBD待定义LC电感电容T/R传输/接收LNA低噪声放大器TX传输、传输模式LO本地振荡器UHF超高频率LSB昀低位VCO压控振荡器LQI链路质量指示WOR无线唤醒、低功耗轮询MCU微控制器XOSC晶体振荡器MSB昀高位XTAL晶体ZHCS003第页,共105页4CC1100E目录应用范围..........................................................................................................1产品描述..........................................................................................................1关键特性..........................................................................................................2RF性能...........................................................................................................2模拟特性..........................................................................................................2数字特性..........................................................................................................2低功耗特性.......................................................................................................2一般特性..........................................................................................................2缩略语..............................................................................................................31昀大绝对额定值............................................................................................72工作条件.......................................................................................................73一般特性.......................................................................................................74电气规范.......................................................................................................84.1电流消耗....................................................................................................84.2RF接收部分............................................................................................104.3RF发送部分............................................................................................134.4晶体振荡器..............................................................................................154.5低功耗RC振荡器..................................................................................154.6频率合成器特性.......................................................................................164.7模拟温度传感器.......................................................................................164.8DC特性...................................................................................................174.9上电复位..................................................................................................175引脚配置.....................................................................................................176电路描述.....................................................................................................197应用电路.........................................................................
本文标题:cc1101-中文手册-中文资料
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