模电复习题2答案

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC＜0。27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为1800；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为0。32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。33、晶体管工作在饱和区时，发射结a，集电结a；工作在放大区时，集电结b，发射结a。（填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。42、场效应管是电压控制电流器件器件，只依靠多数载流子导电。43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。44、当栅源电压等于零时，增强型FET无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。45、FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC=0.1。集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对共模信号具有抑制能力。55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈0.4mA，I3≈0.2mA，则R3≈10kΩ。57、集成运放通常由输入级、中间级；输出级、偏置级四个部分组成。58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流，同时使输入电阻减小。60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：串联负反馈。②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：直流负反馈。③稳定输出电流：电流负反馈。62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压，同时使输入电阻大。63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数f100。64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是01FA。65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。66、为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud=∞、Rid=∞、KCMR=∞、RO=068、理想运算放大器的理想化条件中有Avd=无穷，KCMR=无穷。69、电流源电路的特点是，直流等效电阻小，交流等效电阻大。70、电流源的特点是输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大。71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。72、理想运算放大器，Ad=无穷大、Ri=无穷大、Ro=0。73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下，得出两个重要结论，它们是：虚断和虚短。79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路，输出级大多采用共集电路。80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。单项选择题答案1、A2、A3、A4、A5、A6、B7、C8、A9、B10、A11、B12、B13、C14、B15、D16、A17、D18、A19、C20、D21、A22、C23、C24、D25、B26、B27、A28、D29、C30、C31、B32、A33、A34、A35、A36、D37、A38、C39、C40、C41、A42、B43、A44、D45、C46、C47、B计算题答案1、解：(1)、如图1.1：IBQ=))(1(21eebCCRRRV=)21.0(5040012kkkv=23.7μAICQ=βIBQ=1.2mAVCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)=3.5V（2）画出简化h参数等效电路如图1.2(3)、rbe=[300+(1+β)EQImv26]Ω=1.4kΩbebeiRRrR//)1(1≈rbe=1.4kΩLR'=Rc//RL=2.55kΩVCCRbRe2RCRe1VT图1.1图1.2+ui_RbRCRe1βIb+uo－_rbeIbIcAV=－1')1(ebeLRrR=－19.6RO=RC=5.1kΩ2、解：（1）如图2.1（2）ebecVRrRioAVV)1(1..1共射电路ebeeVRrRioAVV)1()1(2..2共集电路（3）ecRR时，1AAv2v1，1Av2如图2.23、解：(1)Q点：CCbbbBVRRRV212V3.4mARVVIIeBEBEC8.1VRRIVVeCCCCCE8.2)(AIICB18（2）电压增益iVVVA011和iVVVA022图2.1图2.2kImVrrEbbbe66.126)1('98.0)1(011ebeciVRrRVVA99.0)1()1(022ebeeiVRrRVVA（3）输入电阻iR：kRrRRRebebbi2.8])1(//[//21（4）输出电阻0201RR和kRRc2011)//(//2102bbbeeRRrRR96Ω4、解：（1）如图4所示（2）VKKKVRRRVVBBBCCBQ340101015212mAKVRVVIEBEQBQEQ13.2)7.03(RL′=RC∥RL=KKKKK2.34.64.64.64.6KmAmVImVrrEQbbbe6.1126)491(30026)1(986.12.349KKrRAbeLu（3）RO=RC=6.4K5、解：（1）由解方程组得：VGS=4V，VDS=8V，ID=1mA（2）低频小信号等效模型如图5所示。（3）中频电压增益：30130)R//R(gALdmVM.输入电阻：M1R//RR2g1gi输出电阻：K2RRdo6、解：(1)8.197.0bCCBQRVImAICQ11000~990VRIVVccccce8(2)5.126)1(EQbbbeIrr，68~7.66beLVrRAKrrRbebi5.1//KRRco4(3)截止失真，使IB增加，使bR减小。(4)温度变化会对Q点有影响，T增大，Q点上移。2212)1()(TGSDODsdDDDDSsDDDgggGSVVIIRRIVVRIVRRRV14412262GSGSDDDSDGSVVIIVIVRg1Rg2RdRLvivoVgsgmVgs图57、解：设VBE＝0.7V。则（1）基极静态电流V9.6mA022.0cBCCCb1BEb2BECCBRIVVRVRVVI（2）由于VBE＝0V，T截止，VC＝12V。（3）临界饱和基极电流mA045.0cCESCCBSRVVI实际基极电流mA22.0b2BECCBRVVI由于IB＞IBS，故T饱和，VC＝VCES＝0.5V。（4）T截止，VC＝12V。（5）由于集电极直接接直流电源，VC＝VCC＝12V8、解：