微纳米加工光刻实验报告

微纳米加工光刻实验报告试验时间：2014.1.7下午地点：339栋324室一、实验目的1、了解光刻在集成电路工艺中的作用；2、熟悉光刻工艺的步骤和操作。二、实验步骤和操作过程1、清洁铜片：去离子水和有机溶液冲洗，去除污染物；2、匀胶：开启真空泵，吸盘吸住硅片，将移液器示数调至50μL，装上一次性吸管，吸入光刻胶，启动转台，在硅片上滴加适量的光刻胶；3、前烘：将铜片放在一块大的铜板上，然后在烘烤机上烘烤；促使胶膜内溶剂充分的挥发掉，使胶膜干燥；4、曝光：使用的是接触式曝光系统。5、显影：将曝光后的硅片在0.5%NaOH碱溶液中进行显影操作；显影后的铜片立即用去离子水冲洗，6、后烘：将铜片在烘胶台上烘干再次烘干。三、写出设定的各项工艺参数；1.涂布:23℃，旋转涂布，膜厚1.0-3.5μm2.前烘:热板90℃，90sec3.曝光:50-75mJ/cm24.显影:23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍5.后烘:热板150℃，120sec四、蚀刻后的铜片微结构照片；五、思考题1.光刻胶旋涂质量如何？存在什么问题？原因是什么？答：质量不是很好，但可以继续完成实验。存在的问题：涂胶时，光刻胶没有滴到铜片的中心位置；滴胶的速度慢了，旋涂的不是很均匀。2.曝光、显影时间长短各对光刻胶质量有什么影响？答：在曝光过程中，曝光不足，光刻胶反应不充分，显影时部分胶膜被溶解，显微镜下观察会发现胶膜发黑；曝光时间过长，则使不感光的部分边缘微弱感光，产生“晕光”现象，边界模糊，出现皱纹。显影阶段，显影液溶度、显影时间都需要调整合适，否则易导致图形套刻不准确，边缘不整齐。3.前烘作用是什么？答：使铜片表面干燥完全，光刻胶与基底牢固粘附，使光刻胶在旋转涂覆光刻胶的过程中在基底上形成足够厚度的膜层。六、实验过程实拍图