上海华虹NEC电子有限公司扩建厂房土方开挖施工方案

上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目基基坑坑土土方方开开挖挖施施工工方方案案上海浦东城市建设实业发展有限公司上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】目录1.工程总体概述................................................11.1工程概述...............................................11.2工程概况...............................................11.3本方案编制依据.........................................22.工程特点和地质状况..........................................22.1工程特点...............................................22.2地质状况...............................................23.施工部署....................................................33.1施工思路...............................................33.2施工段划分.............................错误!未定义书签。3.3施工组织...............................................44.施工进度计划................................................55.主要施工方案................................错误!未定义书签。5.1工程测量...............................................55.1.1布网原则........................................45.1.2施工控制网的测设................................45.1.3高程控制........................................55.1.4测量质量保证措施................................65.2土方开挖...............................................75.2.1开挖原则........................................75.2.2机械选型和数量..................................7上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】5.2.3机械施工效率计算书..............................85.2.4土方开挖施工....................错误!未定义书签。5.2.5土方开挖过程中应注意的问题.....................115.2.6土方开挖期间排水...............................125.3基坑降水...............................................125.3.1降水方案.....................................125.3.2降水施工.....................................125.3.3降水运行措施.................................126.主要机械设备计划、劳动力计划...............................166.1主要机械设备计划......................................166.2劳动力计划............................................177.质量保证措施...............................................178.进度保证措施...............................................189.安全生产措施...............................................1810.文明施工措施..............................................1911.雨季施工措施..............................................2012.相关工序间的协作..........................................2012.1降水工程.............................................2112.2加强基坑围护结构监测数据的反馈.......................22上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第1页共22页基坑土方开挖施工方案1.工程总体概述1.1工程概述工程名称：上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目建设单位：上海华虹NEC电子有限公司设计单位：信息产业电子第十一设计研究院有限公司施工单位：上海市第四建筑有限公司工程范围：地下室基坑土方开挖施工、深井降水1.2工程概况1)、工程地理位置及周围环境本工程是上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目，工程在原有厂区内建设。新建厂房的南侧为原有厂区变电所，北侧为动力厂房。厂区北靠川桥路、西接金豫路，东临申江路，南面为桂桥路，交通便捷，水电等基础设施齐全。本工程±0.00相当于绝对标高4.55m，自然地面标高－0.30m（相当于绝对标高4.25m），北区浅基坑底标高－2.10米，基坑面积约2900m2，开挖深度约1.80米，则浅基坑土方量约5220m3；南区深基坑面积约1080m2，坑底标高－6.90m，开挖深度约6.6米，开挖土方量约7128m3。深基坑采用Ф750直径的钻孔灌注桩进行挡围护，采用双排搅拌桩进行止水。浅基坑因开挖较浅，无围护措施，采用自然放坡开挖。本工程土方总开挖量约12348m2。2)、围护体系的设计概况本工程围护体系采用一排钻孔灌注桩(桩径为750、800、850)和水泥土搅拌桩止水帷幕的围护形式(南区采用三轴机、北区采用双轴机)。支撑采用4个角撑加南北对撑的形式，全部为Φ609钢管支撑。在基坑底设搅拌桩对局部落深部位进行封闭加固，以利于整个围护体系的稳上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第2页共22页定性。3)、周边管线情况在基坑的东侧有一条雨水管和污水管，离基坑围护边的距离约4米，南侧有一条电缆沟和一条控制电缆，离搅拌桩最近的一条控制电缆的距离为1.2米，西侧的控制电缆离围护边为4米，在西南角转弯处离围护结构最近的一条电缆的距离为0.8米，北侧为开阔的浅坑部位。1.3本方案编制依据⑴根据大功率MOS集成电路生产线扩产项目设计图纸、基坑围护方案。⑵国家和行业颁布的有关现行施工规范和标准。⑶上海市有关《建筑工程现场文明施工管理办法》。⑷我公司现时的施工管理模式及设备、材料配备情况。⑸我公司同类工程经验及成果。2.工程特点和地质状况2.1工程特点本工程并区浅基坑开挖较浅（约1.80米），浅基坑采用常规的挖土工艺施工，其基坑边采用自然放坡，放坡比例为1：1。本工程南区深基坑开挖较深（约6.60米），根据围护方案采用钻孔灌注桩加搅拌桩止水进行围护，支撑系统为顶圈梁加设一道钢管支撑，支撑中心标高为－2.550米，支撑采用对撑形式，坑底局部暗墩搅拌桩加固，由于支撑及顶圈梁均落底，则深基坑宜采用分层开挖法。深坑采用深井进行坑内降水，降水深度为坑底以下0.5～1.0m。用以改善挖土条件和改良坑内土的物理、力学指标，提高基坑整体稳定的安全储备，进一步减小产生管涌的可能性。2.2地质状况根据业主提供的地质勘察报告，地质情况简列如下表：上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第3页共22页土层编号土层名称层底标高(m)层厚(m)重度(KN/M3)1-1杂填土3.25-2.411.421-2浜填土1.47-0.911.412粉质粘土1.65-1.190.2318.53-1淤泥质粉质粘土-0.3—3.93.2917.73-2砂质粉土-0.24—3.640.9218.44淤泥质粘土-12.43—13.449.91516.8……………本工程基坑开挖主要涉及1-1杂填土、1-2浜填土、2层粉质粘土、3-1层淤泥质粉质粘土。具体地质情况详见本工程地质勘察报告。3.施工部署3.1施工思路3.1.1、整个工程的开挖深度分为两部分，分别为有地下室的深坑部位和无地下室的浅坑部位，两者的挖土标高分别为-6.8m和-2.80m.其中在地下室的深坑部位有1米深的集水井，其挖土标高为-7.80m。3.1.2、施工流程：清理场地→开挖南区深坑部位第一皮土至-2.2m→南区深坑部位开挖支撑和圈梁沟槽至支撑底标高-2.80m→南区砼圈梁制作及钢支撑准备就位，南北区交接处挖明排水沟开挖北区第一皮土至-2.8m→砼圈梁养护→安装钢支撑及施加预应力→支撑部位回土及铺设走道板→开挖深坑部位第二皮土。根据本工程地下水位状况，需在土方开挖前就应进行深井井点打设工作并开始降水,在地下水位降至支撑梁底后进行第一层土方开挖,支撑紧跟土方开挖顺序进行流水施工。深坑第二层土（支撑以下土方）开挖须在支撑系统完成并施加预应力，地下水位降至基坑底以下0.5m～1m时方可开挖，为防止挖土机械直接碾压钢管支撑，在开挖前应对挖土机械行走路线处钢管支撑部位先进行回土并铺设钢走道板，确保挖土过程钢管支撑不受垂直荷载，可从一侧向另一上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第4页共22页侧分层分段进行，垫层施工紧跟其后。施工中须加强沉降、位移、地下水位等监测工作，以指导施工。基坑开挖时对成品及设备的保护要求较高，围护桩、支撑、深井管及基础桩头周边土方均需人工清除，承台及电梯井等深基坑土方需人工配合机械挖除。因本工程现场场地较小，挖出的土方不宜堆放在现场，随挖随运出工地并卸至指定地点。3.2施工段划分根据本工程深浅基坑分界线，将本工程划分为两个施工段，为南区(深坑部位)和北区(浅坑部位)，第一施工段为南区、第二施工段为北区。因土方量不大，根据现场的实际可先后施工或同时施工。3.3施工组织根据本工程规模和特点，组建项目经理部，由我公司委派具有丰富现场施工管理经验的项目经理，配备项目工程师、施工员、质量员、安全员等专业技术人员，使项目实现全面质量管理，以确保施工工序受控，建造业主满意工程。项目部组织机构网络如下图：项目经理项目副经理项目工程师施工员质检员资料员安全员设备员施工班组上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第5页共22页4.施工进度计划土方开挖必须等到围护桩砼强度达到设计强度值，考虑基坑围护桩的养生期18天，在此期间同时进行深井井点打设、预降水及第一层基坑土方的开挖（第一层土方开挖约需7天）；砼圈梁施工及养护期13天（早强砼）；深坑支撑以下土方开挖、人工清槽4天。5.挖土施工方案5.1工程测量该工程占地面积较小，场地比较平坦通畅，这对施工平面控制网的布设比较有利，考虑该工程的实际情况采用外控法，一次性建立统一的平面施工控制网。5.1.1布网原则先