SC8802高效率同步4管双向升降压充放电控制器-LCSC

上海南芯半导体科技有限公司SC8802DATASHEETSOUTHCHIPCONFIDENTIALCopyright©2016,上海南芯半导体科技有限公司具体应用信息请联系[e-mail]8802高效率,同步,4管双向升降压充放电控制器1简介SC8802是一个同步4管双向升降压充放电控制器。不管输入电压是低于，高于或者等于电池组电压，它都可以对电池组实现充电管理，包括涓流，恒流，恒压阶段和满充指示。当系统需要从电池组放电时，SC8802能够反向输出所需电压，可输出低于，高于或者等于电池组电压值。SC8802拥有超宽范围输入输出电压。它可支持从2.7V到30V的应用范围，满足客户从1节到6节锂电池的不同需求。SC8802同时采用业界领先的10V驱动器电压，充分利用外置功率管以达到最高的转换效率。SC8802采用电流模式控制升压，降压或者升降压，并可用外部电阻调节开关频率,电池电压设置值以及输入输出限流值，最大限度地在满足不同应用需求的同时简化设计。SC8802支持双向输出，通过DIR管脚即可轻松控制工作方向。它同时支持包括输入限流，输出限流，动态输入功率调节，内部最高电流限流，输出过压保护，短路保护以及过温保护等一系列保护功能以确保系统能适应各种异常情况。SC8802采用32脚4x4QFN封装。2功能双向工作升降压充电管理（涓流，恒流，恒压和满充指示），可支持1至6节锂电池升降压反向放电输出反向输出电压PWM信号动态调节输入/输出电流PWM信号动态调节超宽输入电压范围:2.7V至30V超宽反向输出电压范围:2V至30V集成10V，2A栅极驱动器高效率升降压操作开关频率可调：200kHz至600kHz内置电感电流限流可调节输入输出电流限流，双边输出短路保护欠压过压保护QFN-32封装3应用移动电源智能USB插座，USBHUBUSBPD车载充电器能量回收，工业仪器仪表等4器件信息器件号封装封装尺寸SC8802QDER32pinQFN4mmx4mmx0.75mmSC8802DATASHEETSOUTHCHIPCONFIDENTIAL上海南芯半导体科技有限公司具体应用信息请联系[e-mail]©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.5应用电路图SC8802VBUSFB1VINREGVBATFB2AGNDFREQIPWMCOMPILIM2ILIM1CEbPGDIRBT1LD1HD1SNS1NSNS1PVCCBT2LD2SW2PGNDSNS2NSNS2PHD2SW1VBUSVCCVCCVCCVBAT+PWMDTCSELITUNEDIR=Low,充电(charging)DIR=High,反向放电(discharging)SC8802DATASHEET上海南芯半导体科技有限公司SOUTHCHIPCONFIDENTIALCopyright©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.具体应用信息请联系[e-mail]36管脚设置及功能简介PGNDBT1LD1HD1VBUSSNS1NPGNDSW1VCCBT2LD2SW2SNS2PVBATHD2SNS2NFB1SNS1PDTVINREGITUNE/CEPGDIRFB2AGNDFREQCOMPILIM2ILIM1PWMIPWMCSELSC8802管脚I/O功能描述名称编号/CE1I芯片使能。低电平有效。若上拉至高电平，芯片停止工作。DIR2I充放电模式设置。当DIR为低电平时，SC8802工作于充电模式当DIR为高电平时，SC8802工作于反向放电模式PWM3I可通过20kHz至100kHz的PWM信号动态调节VBUS输出电压，调节范围为设定值的1/6到100%。仅放电模式有效。若不使用该动态调节功能，须将PWM管脚接VCC或其他逻辑高电平。PG4O需通过一个外部电阻上拉至逻辑高电平。当DIR为低，即充电模式时，PG为充电截止信号：低电平表示正在充电，拉高表示充电截止。当DIR为高，即反向放电模式时，PG为输出电压指示信号：当VBUS输出电压在设定值的90%到110%之间时，PG拉高，否则，PG为低。IPWM5I可从IPWM管脚输入频率范围为20kHz至100kHz的PWM信号来实现输入或输出电流的动态调节，调节范围为设定值的0%到100%。此功能在充放电模式下均有效，但需配合ITUNE使用。ITUNE6IO通过ITUNE管脚选择需要进行IPWM调节的限流对象。将ITUNE接到ILIM1电阻负端，可调节VBUS端电流限流值。如需动态调节VBAT端电流限流值，则将ITUNE接到ILIM2电阻负端。若不需此功能，须将ITUNE管脚悬空。VINREG7I在充电模式下，可通过VINREG管脚外部分压电阻设定VBUS最低工作电压，实现适配器自适应功能。DT8I死区时间设置CSEL9I电池充电截止电压设置，充电模式下有效FREQ10I开关频率设置ILIM111I连接电阻设置适配器端（VBUS端）电流的限流值。需并联一个电容到地，典型值为2.2nF。SC8802DATASHEETSOUTHCHIPCONFIDENTIAL上海南芯半导体科技有限公司具体应用信息请联系[e-mail]©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.ILIM212I连接电阻设置电池（VBAT端）电流的限流值。需并联一个电容到地，典型值为2.2nF。若无需设置限流值，则将ILIM2短接到地。FB113I通过FB1管脚连接的外部分压电阻设定放电模式下VBUS端输出电压值AGND14IO芯片的信号地COMP15O外接电阻电容网络对内部控制环路进行补偿。FB216I若CSEL管脚短路到地，可通过FB2管脚连接的外部分压电阻设定充电截止电压。SNS2N17I用于检测电流采样电阻两端差分电压。电流采样电阻需放置在功率管和VBAT电容之间，推荐值5mΩ-20mΩ，典型值为10mΩ。SNS2P18I用于检测电流采样电阻两端差分电压。电流采样电阻需放置在功率管和VBAT电容之间，推荐值5mΩ-20mΩ，典型值为10mΩ。VBAT19I芯片电源输入，由内部选择器选择VBUS或者VBAT电压给内部电路供电。VBAT管脚需连接至VBAT电压，并在紧靠芯片的位置连接1uF旁路电容到地。BT220PWR在BT2和SW2管脚之间紧靠芯片的位置连接一个电容，为上管栅极驱动电路提供电压。HD221PWR上管栅极驱动2SW222PWR连接电感和功率管LD223PWR下管栅极驱动2VCC24O该管脚输出VBUS和VBAT中的最高电平为栅极驱动电路提供电压。若最高电平超过10V，则VCC电压钳位在10V。需在紧靠芯片的位置连接一个旁路电容到功率地，推荐1uF。PGND25PWR功率地LD126PWR下管栅极驱动1SW127PWR连接电感和功率管HD128PWR上管栅极驱动1BT129PWR在BT1和SW1管脚之间紧靠芯片的位置连接一个电容，为上管栅极驱动电路提供电压。VBUS30I芯片电源输入，由内部选择器选择VBUS或者VBAT电压给内部电路供电。VBUS管脚需连接至VBUS电压，并在紧靠芯片的位置连接1uF旁路电容到地。SNS1N31I用于检测电流采样电阻两端差分电压。电流采样电阻需放置在功率管和VBUS电容之间，推荐值2mΩ-20mΩ，典型值为10mΩ。SNS1P32I用于检测电流采样电阻两端差分电压。电流采样电阻需放置在功率管和VBUS电容之间，推荐值2mΩ-20mΩ，典型值为10mΩ。散热焊盘芯片底部散焊盘。连接到地。SC8802DATASHEET上海南芯半导体科技有限公司SOUTHCHIPCONFIDENTIALCopyright©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.具体应用信息请联系[e-mail]57电气规格7.1绝对最大耐压在通风温度范围之内（除非另外标注）(1)最小最大单位各引脚耐压值(2)VBUS,VBAT,SNS1P,SNS1N,SNS2P,SNS2N,/CE-0.342VSW1,SW2-142VVCC,PG,DIR,PWM,VINREG,IPWM-0.320VFREQ,ITUNE,ILIM1,ILIM2,COMP,CSEL,DT,FB1,FB2-0.35.5VLD1,LD2-0.312VBT1,HD1对SW1-0.312VBT2,HD2对SW2-0.312VBT1,BT2-0.350VTJ工作结温-40150°CTstg储存温度-65150°C(1)超过所标注的最大耐压值可能造成器件永久损坏。长期处于绝对最大耐压可能造成器件可靠性问题。(2)所有电压值均为对地值。7.2静电等级参数定义最小最大单位ESD等级(1)人体静电模型(HBM)(2)-22kV带电器件放电模型(CDM)(3)-750750V(1)Electrostaticdischarge(ESD)tomeasuredevicesensitivityandimmunitytodamagecausedbyassemblylineelectrostaticdischargesintothedevice.(2)LevellistedaboveisthepassinglevelperANSI,ESDA,andJEDECJS-001.JEDECdocumentJEP155statesthat500-VHBMallowssafemanufacturingwithastandardESDcontrolprocess.(3)LevellistedaboveisthepassinglevelperEIA-JEDECJESD22-C101.JEDECdocumentJEP157statesthat250-VCDMallowssafemanufacturingwithastandardESDcontrolprocess.7.3推荐操作条件范围最小最大单位VBUSVBUS电压范围2.736VVBATVBAT电压范围230VSC8802DATASHEETSOUTHCHIPCONFIDENTIAL上海南芯半导体科技有限公司具体应用信息请联系[e-mail]©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.CBUSVBUS端电容30µFCBATVBAT端电容30µFL电感值2.210µHRSNS1/2电流采样电阻520mΩfSW工作频率200600kHzfPWM,fIPWMPWM,IPWM信号频率范围20100kHzDPWM,DIPWMPWM,IPWM信号占空比范围0100%TA工作环境温度范围-4085CTJ工作结温范围-40125CSC8802DATASHEET上海南芯半导体科技有限公司SOUTHCHIPCONFIDENTIALCopyright©2016,SouthchipSemiconductorTechnology(Shanghai)Co.,Ltd.具体应用信息请联系[e-mail]77.4电气性能TJ=25°CandVBUS=12V,VBAT=5V,RSS1=RSS2=1kΩunlessotherwisenoted.PARAMETERTESTCONDITIONSMINTYPMAXUNITSUPPLYVOLTAGE(VBUS,VBAT)VBUSOperatingvoltageDIR=Low,asinputvoltage2.736VDI