JESD22-A101D温湿度偏压寿命

A101C稳态温度、湿度/偏压、寿命试验1.范围:本测试方法用于评估非气密性封装IC器件在湿度环境下的可靠性.温度/湿度/偏压条件应用于加速湿气的渗透,可通过外部保护材料(塑封料或封口),或在外部保护材料与金属传导材料之间界面.2.设备本测试要求一个温湿测试炉,能够维持一个规定的温度和相关的持续湿度,同时在规定的偏压电路来测试提供电子连接元件.2.1温度与相关的湿度腔体必须能提供可控制温度和相关的湿度条件.在升或降过程.2.2应力下的元件应力下的元件应固定,温度的变化最小化。2.3污染最小化必须小心选择板和插座材料,以使释放的污染最小化,以及因腐蚀或其他失效引起的降级最小化.2.4离子污染设备的离子污染(如测试板/插座/电线/储存容器/插件箱等)必须受控,避免影响测试制品.2.5去离子水必须使用室温下最小1M欧.cm的去离子水3.测试条件测试条件包括温度,相关的湿度,和元件加偏压的时间3.1温度,相关的湿度和时间温度干球注1相关的湿度温度湿球注2压力注3时间85+/-285+/-581.049.1psia7.12kPa见备注4注1公差应用于整个可用的测试区域.注2仅供参考注3测试条件应持续适用,除中间读数点.对中间读数点,元件应在4.5规定时间内返回加压.注4典型为1000(-24,+168)3.2偏压指南依以下指南,应用两个偏压的方法之一A最小化电源功率B选择尽可能多的金属脚加偏压C尽可能多通过芯片金属化加势差.D在操作范围内最大电压注上述的指南优先依赖于失效机理与规定的元件参数.E两种方法,满足指南,选择更严厉方式1)持续偏压:DC偏压必须持续提供.当芯片温度比腔体温度低于10度时,持续偏压比循环偏压更严厉,或,如果芯片温度未知,当试验下的元件热耗小于200mV.如果热耗大于200mV,则芯片温度应计算.如果芯片温度超过腔体环境温度5度,因为失效机理的加速因子将受影响，那么芯片温升必须包括在测试结果的报告中.2)循环偏压:作用于测试的元件上的DC电压,采用合适的频率和占空比应被周期中断.如果偏压电路导致超过腔体环境的温升大于10C,ΔTja,那么循环偏压比持续偏压更严厉,当对规定的元件类型优化时.热作为功率的结果导致湿气从芯片上离开,因此隐藏了与湿气相关的失效机理.循环偏压当元件热耗不发生时,能让湿气在关状态时在芯片上积累.测试元件循环偏压对大多数塑料封装微型电路来说,1小时开1小时关,优先考虑.芯片温度,作为已知热阻和热耗基础上计算,应被结果报告引用,不管是否超出腔体的5度或更多.3.2.1选择和报告选择持续或循环偏压的标准,和是否报告温度超出腔体环境温度的量,总结如下表ΔTja循环偏压报告ΔTja5°C,orPowerperDUT200mW否否(ΔTja≥5°CorPowerperDUT≥200mW),andΔTja10°C否是ΔTja≥10°C是是对大多数塑料封装微型电路来说,优先考虑1小时开1小时关4.程序测试元件必须采用如下方式固定，在规定的电气偏压下，暴露在规定温度和湿度条件下。必须避免有极限的热、干燥环境或条件在元件和测试治具上冷凝到暴露元件上，特别是上升和下降阶段。采取适当的注意，避免在应力条件下，有水滴到元件上。4.1上升到达平稳温度和相关的湿度条件的时间应小于3小时。在所有时间内应避免在元件和或治具、硬件冷凝，保证他们的温度总是高于露点温度。4.2下降下降不应超过3小时。在所有时间内应避免在元件和或治具、硬件冷凝，保证干球温度总是高于湿球温度。4.3测试时钟当温度和相关的湿度到达设定点时，测试时钟启动，并在下降开始停止。4.4偏压在上升和下降时要加偏压为宜。在开始测试时钟之前，偏压要校准。同样在元件移出腔体前，停止测试时钟后，偏压要校准。4.5读取在下降结束后48小时内进行电气测试。对中间读取，元件应在下降结束的96小时内返回加应力。元件应放在封口的湿度袋（没有干燥剂），减少注1应选择电性测试参数去保存缺陷（如限制适用的测试电流）注2附加的4.6储存操作元件、电路板和治具必须用合适的手套。任何加速湿度应力测试应将污染控制放在首位。5.失效标准如果元件不符合适当的程序文件，就应定为失效。6.安全遵守设备生产厂家建议和当地安全法规。7.总结以下条款应在适当的寿命测试规格中规定：A适用时，特殊的预处理，B.应力温度C.时间D.应力贴合，如果需要特殊结构E.应力条件和应力电路原理图F.样品数量和接收数量G.完成终止点测量的时间，如果超出第6条规定。H.操作模式I.如需要，中间测试点J.最大结温K.如果带偏压冷却不能实施，验证数据