半导体专业用语

金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（WPLUG）钝化层（Passivation）acceptor受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEIAfteretchinginspection蚀科后检查AFMatomicforcemicroscopy原子力显微ALDatomiclayerdeposition原子层淀积Alignmark(key)：对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NHFAmmoniumhydroxide：NHOHAmorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）amplifier放大器AMU原子质量数Analog：模拟的analyzermagnet磁分析器Angstrom：A（E-m）埃Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）Antimony(Sb)锑arcchamber起弧室ARC：anti-reflectcoating防反射层Argon(Ar)氩Arsenictrioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI光阻去除后检查ASIC特定用途集成电路Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）ATE自动检测设备Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）BacksideEtch背面蚀刻Backside晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current电子束电流Benchmark：基准BGAballgridarray高脚封装Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimension关键性尺寸，临界尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批chiller制冷机Chip(die)晶粒Chip：碎片或芯片。clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖（机台）Coating涂布，光阻覆盖Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。ContactHole接触窗ControlWafer控片Correlation：相关性。Cp：工艺能力，详见processcapability。Criticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。Defect缺陷DEPdeposit淀积Depthoffocus（DOF）：焦深。Descum预处理Developer显影液；显影（机台）developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液Development显影DGdualgate双门DIfilter离子交换器DIwater去离子水Diffusion扩散disk靶盘disk/flagfaraday束流测量器Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRCdesignrulecheck设计规则检查DryClean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/Retchrate蚀刻速率EE设备工程师ELSextendedlifesource高寿命离子源enclosure外壳Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟BPSG含有硼磷的硅玻璃Break中断，stepper机台内中途停止键cassette晶片盒EndPoint蚀刻终点e-shower中性化电子子发生器ETetch蚀刻Exhaust排气（将管路中的空气排除）Exposure曝光extrantionelectrode高压吸极FAB工厂fab：常指半导体生产的制造工厂。FIBfocusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层filament灯丝film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。flataligener平边检测器flat：平边flatbandcapacitanse：平带电容flatbandvoltage：平带电压Flatness平坦度flowcoefficicent：流动系数flowvelocity：流速计flowvolume：流量计flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus焦距forbiddenenergygap：禁带Foundry代工four-pointprobe：四点探针台FSG含有氟的硅玻璃functionalarea：功能区Furnace炉管gateoxide：栅氧glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度GOIgateoxideintegrity门氧化层完整性gowning：净化服grayarea：灰区gyrodrive两方向偏转hardbake：后烘，坚烘,softbake(软烘)HCIhotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体heatexchange热交换机High-Voltage高压ICPinductivecoupleplasma感应等离子体ID辨认，鉴定IGBT绝缘门双极晶体管images：去掉图形区域的版implant注入Implant植入impurityn掺杂impurity：杂质inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体inertgas：惰性气体initialoxide：一氧insulator：绝缘isolatedline：隔离线junction结junctionspikingn铝穿刺kerf划片槽landingpadnPADLayer层次LDDlightlydopeddrain轻掺杂漏linerdrive直线往复运动lithographyn制版loadlockvalve靶盘腔装片阀Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOSlocaloxidationofsilicon局部氧化Loop巡路Lot批LP(低压)淀积多晶硅（LPPOLY）mainframe主机maintainability,equipment设备产能maintenancen保养majoritycarriern多数载流子Mask(reticle)光罩masks,deviceseriesofn一成套光刻版materialn原料matrixn矩阵meann平均值measuredleakraten测得漏率mediann中间值memoryn记忆体Merge合并metaln金属MetalVia金属接触窗MFG制造部Mid-Current中电流Module部门nanometer(nm)n：纳米nanosecond(ns)n：纳秒NITSiN氮化硅nitrideetchn：氮化物刻蚀nitrogen(N)n：氮气，一种双原子气体Non-critical非重要NPn-dopedplus(N+)N型重掺杂n-typeadj：n型NWn-dopedwellN阱ODoxidedefinition定义氧化层ohmspersquaren：欧姆每平方方块电阻OMopticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线orientationn：晶向，一组晶列所指的方向OverEtch过蚀刻Overflow溢出overlapn：交迭区Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度OXSiO二氧化硅Ppoly多晶硅PA;passivation钝化层Parentlot母批Particle含尘量/微尘粒子PHphoto黄光或微影phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素photomaskn：光刻版，用于光刻的版photomask,negativen：反刻photomask,positiven：正刻Pilot实验的PVD物理气相淀积PWp-dopedwellP阱quadrupolelens磁聚焦透镜quartzcarriern石英舟。Queuetime等待时间内层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）host：主机Hotbake烘烤hotcarriers：热载流子hydrophilic：亲水性hydrophobic：疏水性pnjunctionn：pn结Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物PORProcessofrecordpostaccel后加速器Plasma电浆PMDpremetaldielectric电容PPp-dopedplus(P+)P型重掺杂PRPhotoresisit光阻PRphotoresist光阻purewatern纯水。半导体生产中所用之水。PVD物理气相淀积PWp-dopedwellP阱quadrupolelens磁聚焦透镜quartzcarriern石英舟。Queuetime等待时间QTIME-DUMMY：从此步骤到下一个步骤一共停留的时间范围（超出范围会出问题）显影前烘焙(PEB)：降低或消除驻波效应R/Cruncard运作卡SOG是一种相当简易的平坦化技术。因为介电层材料是以溶剂的形态覆盖在硅片表面，因此SOG对高低起伏外观的“沟填能力”非常好，可以避免纯粹以CVD法制作介质层时所面临的孔洞问题Spacer：SPACER工艺是通过LPTEPSETCHBACK，在PLOY侧壁形成两个侧壁突出的工艺，用于源漏区注入的自对准和减少由于源漏横向扩散形成的沟道效应。LPTEOS主要用于SPACER及电容氧化层。TEOS=Si（OC2H5）4名称：正硅酸乙脂，又称BIST,Built-inSelfTest内建的自测试BusRoute总线布线Carbide碳circuitdiagram电路图Circuit电路基准Clementine专用共形开线设计ClusterPlacement簇布局CM合约制造商COFChipOnFPC将IC固定于柔性线路板上COGChipOnGlass将芯偏固定于玻璃上CommonImpedance共模阻抗componentvideo-分量视频Compositevideo-复合视频Concurrent并行设计ConstantSource恒压源CooperPour智能覆铜Crosstalk串扰CRTCathodeRadialTude阴极射线管DCMagnitude直流幅度Delay延时Delays延时DesignforTesting可测试性设计Designator标识DOF焦深DepthOfFocus，区分IDOF、UDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,DesignforCost面向成本的设计DFR,DesignforReliability面向可靠性的设计DFT,DesignforTest面向测试的设计DPIDotPerInch点每英寸DSM,DynamicSetupManagement动态设定管理DVIDigitalVisualInterface（VGA）数字接口DynamicRoute动态布线ElectroDynamicCheck动态电性能分析ElectromagneticDisturbance电磁干扰ElectromagneticNoise电磁噪声EMC,ElctromagneticCompatibilt电磁兼容EMI,ElectromagneticInterference电磁干扰Emulation硬件仿真Ensemble多层平面电磁场仿真ESD静电释放Expansion膨胀FallTime下降时间FalseClocking假时钟FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里叶变换FloatLicense网络浮动FrequencyDomain频域GaussianDistribution高斯分布GroundBounce地弹反射GUI,GraphicalUserInterface图形用户界面Harmonica射频微波电路仿真HFSS三维高频结构电磁场仿真HMDS(六甲基二硅胺)：涂胶前处理，增加圆片衬底与光刻胶的粘附性ICIntegrateCircuit集成电路ImageFiducia