p型半导体和n型半导体

模拟电子技术基础上页下页返回杂质半导体在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体根据掺杂的不同，杂质半导体分为N型导体P型导体1.N型半导体掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体模拟电子技术基础上页下页返回+4+4+4+4+4+4+4+4+4掺入少量五价杂质元素磷P模拟电子技术基础上页下页返回+4+4+4+4+4+4+4+4+4P模拟电子技术基础上页下页返回多出一个电子出现了一个正离子+4+4+4+4+4+4+4+4P模拟电子技术基础上页下页返回++++++++++++++++++++++++++++++++++++半导体中产生了大量的自由电子和正离子模拟电子技术基础上页下页返回c.电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。e.因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或电子型半导体。f.因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。b.N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。可见：d.np×nn=K(T)a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质元素形成的。g.负电荷=受主杂质产生的（majority）+本征激发产生的（minority）；正电荷(空穴)=受主负杂质离子（majority）+本征激发产生的（minority）；负电荷总数（多子电子）=正电荷总数（少子空穴+受主负离子）h.半导体整体是电中性的模拟电子技术基础上页下页返回2.P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。B+4+4+4+4+4+4+4+4+4模拟电子技术基础上页下页返回+4+4+4+4+4+4+4+4+4B模拟电子技术基础上页下页返回出现了一个空位+4+4+4+4+4+4B+4+4模拟电子技术基础上页下页返回+4+4+4+4+4+4B+4+4负离子空穴模拟电子技术基础上页下页返回------------------------------------半导体中产生了大量的空穴和负离子模拟电子技术基础上页下页返回c.空穴是多数载流子,电子是少数载流子。e.因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或空穴型半导体。f.因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。a.P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价杂质元素形成的。b.P型半导体产生大量的空穴和负离子。可见：d.np×nn=K(T)g.正电荷(空穴)=受主杂质产生的（majority）+本征激发产生的（minority）；负电荷=受主负杂质离子（majority）+本征激发产生的（minority）；正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）h.半导体整体是电中性的