覆铜箔板的分类方法有多种

覆铜箔板的分类方法有多种。一般按板的增强材料不同，可划分为：纸基、玻璃纤维布基、复合基(CEM系列)、积层多层板基和特殊材料基(陶瓷、金属芯基等)五大类。随着电子技术的发展和不断进步，对印制板基板材料不断提出新要求，从而，促进覆铜箔板标准的不断发展。一般印制板用基板材料可分为两大类：刚性基板材料和柔性基板材料。一般刚性基板材料的重要品种是覆铜板。它是用增强材料(Reinforeing Material)，浸以树脂胶黏剂，通过烘干、裁剪、叠合成坯料，然后覆上铜箔，用钢板作为模具，在热压机中经高温高压成形加工而制成的。一般的多层板用的半固化片，则是覆铜板在制作过程中的半成品(多为玻璃布浸以树脂，经干燥加工而成)。覆铜箔板的分类方法有多种。一般按板的增强材料不同，可划分为：纸基、玻璃纤维布基、复合基(CEM系列)、积层多层板基和特殊材料基(陶瓷、金属芯基等)五大类。若按板所采用的树脂胶黏剂不同进行分类，常见的纸基CCI。有：酚醛树脂(XPc、XxxPC、FR一1、FR一2等)、环氧树脂(FE一3)、聚酯树脂等各种类型。常见的玻璃纤维布基CCL有环氧树脂(FR一4、FR一5)，它是目前最广泛使用的玻璃纤维布基类型。另外还有其他特殊性树脂(以玻璃纤维布、聚基酰胺纤维、无纺布等为增加材料)：双马来酰亚胺改性三嗪树脂(BT)、聚酰亚胺树脂(PI)、二亚苯基醚树脂(PPO)、马来酸酐亚胺--苯乙烯树脂(MS)、聚氰酸酯树脂、聚烯烃树脂等。按CCL的阻燃性能分类，可分为阻燃型(UL94一VO、UL94一V1级)和非阻燃型(UL94一HB级)两类板。近一二年，随着对环保问题更加重视，在阻燃型CCL中又分出一种新型不含溴类物的CCL品种，可称为绿色型阻燃cCL。随着电子产品技术的高速发展，对cCL有更高的性能要求。因此，从CCL的性能分类，又分为一般性能CCL、低介电常数CCL、高耐热性的CCL(一般板的L在150℃以上)、低热膨胀系数的CCL(一般用于封装基板上)等类型。随着电子技术的发展和不断进步，对印制板基板材料不断提出新要求，从而，促进覆铜箔板标准的不断发展。目前，基板材料的主要标准如下。目前，我国有关基板材料的国家标准有GB／T4721-4722p;1992及GB4723-4725-1992，中国台湾地区的覆铜箔板标准为CNS标准，是以日本JIs标准为蓝本制定的，于1983年发布。②其他国家标准  主要标准有：日本的JIS标准，美国的ASTM、NEMA、MIL、IPc、ANSI、UL标准，英国的Bs标准，德国的DIN、VDE标准，法国的NFC、UTE标准，加拿大的CSA标准，澳大利亚的AS标准，前苏联的FOCT标准，国际的IEC标准等，详见;各国标准名称汇总标准简称;标准名称;制定标准的部门 日本工业标准(财)日本规格协会ASTM-美国材料实验室学会标准;NEMA-美国电气制造协会标准;MH-美国军用标;IPC-美国电路互连与封装协会标;ANSl-美国国家标准协会标准逻辑电平简介逻辑电平有：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP；RS232、RS422、RS485等。常用逻辑系列器件TTL：Transistor-TransistorLogicCMOS：ComplementaryMetalOxideSemicondutorLVTTL：LowVoltageTTLLVCMOS：LowVoltageCMOSECL：EmitterCoupledLogic，PECL：Pseudo/PositiveEmitterCoupledLogicLVDS：LowVoltageDifferentialSignalingGTL：GunningTransceiverLogicBTL：BackplaneTransceiverLogicETL：enhancedtransceiverlogicGTLP：GunningTransceiverLogicPlusTI的逻辑器件系列有：74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等S-SchottkyLogicLS-Low-PowerSchottkyLogicCD4000-CMOSLogic4000AS-AdvancedSchottkyLogic74F-FastLogicALS-AdvancedLow-PowerSchottkyLogicHC/HCT-High-SpeedCMOSLogicBCT-BiCMOSTechnologyAC/ACT-AdvancedCMOSLogicFCT-FastCMOSTechnologyABT-AdvancedBiCMOSTechnologyLVT-Low-VoltageBiCMOSTechnologyLVC-LowVoltageCMOSTechnologyLV-Low-VoltageCBT-CrossbarTechnologyALVC-AdvancedLow-VoltageCMOSTechnologyAHC/AHCT-AdvancedHigh-SpeedCMOSCBTLV-Low-VoltageCrossbarTechnologyALVT-AdvancedLow-VoltageBiCMOSTechnologyAVC-AdvancedVery-Low-VoltageCMOSLogicTTL器件和CMOS器件的逻辑电平：逻辑电平的一些概念要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。5：阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平Vih，输入低电平Vil，而如果输入电平在阈值上下，也就是Vil～Vih这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：VohVihVtVilVol。6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：（1）：RL（VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）（2）：RL（VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。：常用的逻辑电平·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5VTTL和5VCMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。·5VTTL和5VCMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。TTL和CMOS的逻辑电平关系图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图上图为5VTTL逻辑电平、5VCMOS逻辑电平、LVTTL逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。5VTTL逻辑电平和5VCMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。另外5VCMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih≥0.7Vcc；Vol≤0.1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。JEDEC组织在定义3.3V的逻辑电平标准时，定义了LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。LVTTL逻辑电平标准的输入输出电平与5VTTL逻辑电平标准的输入输出电平很接近，从而给它们之间的互连带来了方便。LVTTL逻辑电平定义的工作电压范围是3.0－3.6V。LVCMOS逻辑电平标准是从5VCMOS逻辑电平关注移植过来的，所以它的Vih、Vil和Voh、Vol与工作电压有关，其值如上图所示。LVCMOS逻辑电平定义的工作电压范围是2.7－3.6V。5V的CMOS逻辑器件工作于3.3V时，其输入输出逻辑电平即为LVCMOS逻辑电平，它的Vih大约为0.7×VCC＝2.31V左右，由于此电平与LVTTL的Voh（2.4V）之间的电压差太小，使逻辑器件工作不稳定性增加，所以一般不推荐使用5VCMOS器件工作于3.3V电压的工作方式。由于相同的原因，使用LVCMOS输入电平参数的3.3V逻辑器件也很少。JEDEC组织为了加强在3.3V上各种逻辑器件的互连和3.3V与5V逻辑器件的互连，在参考LVCMOS和LVTTL逻辑电平标准的基础上，又定义了一种标准，其名称即为3.3V逻辑电平标准，其参数如下：图2－2：低电压逻辑电平标准从上图可以看出，3.3V逻辑电平标准的参数其实和LVTTL逻辑电平标准的参数差别不大，只是它定义的Vol可以很低（0.2V），另外，它还定义了其Voh最高可以到VCC-0.2V，所以3.3V逻辑电平标准可以包容LVCMOS的输出电平。在实际使用当中，对LVTTL标准和3.3V逻辑电平标准并不太区分，某些地方用LVTTL电平标准来替代3.3V逻辑电平标准，一般是可以的。JEDEC组织还定义了2.5V逻辑电平标准，如上图所示。另外，还有一种2.5VCMOS逻辑电平标准，它与上图的2.5V逻辑电平标准差别不大，可兼容。低电压的逻辑电平还有1.8V、1.5V、1.2V的逻辑电平。、TTL和CMOS逻辑器件逻辑器件的分类方法有很多，下面以逻辑器件的功能、工艺特点和逻辑电平等方法来进行简单描述。：TTL和CMOS器件的功能分类按功能进行划分，逻辑器件可以大概分为以下几类：门电路和反相器、选择器、译码器、计数器、寄存器、触发器、锁存器、缓冲驱动器、收发器、总线开关、背板驱动器等。1：门电路和反相器逻辑门主要有与门74X08、与非门74X00、或门74X32、或非门74X02、异或门74X86、反相器74X04等。2：选择器选择器主要有2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。3：编/译码器编/译码器主要有2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。4：计数器计数器主要有同步计数器74X161和异步计数器74X393等。5：寄存器寄存器主要有串-并移位寄存器74X164和并-串寄存器74X165等。6：触发器触发器主要有J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。7：锁存器锁存器主要有D型锁存器74X373、寻址锁存器74X259等。8：缓冲驱动器缓冲驱动器主要有带反向的缓冲驱动器74X240和不带反向的缓冲驱动器74X244等。9：收发器收发器主要有寄存器收发器74X543、通用收