MCP6004中文版

2005MicrochipTechnologyInc.DS21733E_CN第1页MCP6001/2/4特征•提供SC-70-5和SOT-23-5封装•1MHz增益带宽积（典型值）•轨到轨输入/输出•供电电压：1.8V至5.5V•供电电流：IQ=100µA（典型值）•90°相位容限（典型值）•温度范围：-工业级：-40°C至+85°C-扩展级：-40°C至+125°C•提供单运放、双运放和四运放封装应用•汽车•便携式设备•光电二极管放大器•模拟滤波器•笔记本电脑和PDA•电池供电系统工具支持SPICE宏模型（可在网站下载）FilterLab®软件（可在网站下载）典型应用说明MicrochipTechnologyInc.的MCP6001/2/4系列运算放大器是专门为各种通用应用设计的。这一系列器件具有1MHz增益带宽积（GainBandwidthProduct，GBWP）和90°相位容限（典型值）。在500pF的容性负载下，它也同样具有45°相位容限（典型值）。即使单电源供电电压只有1.8V，这个系列的运算放大器仍可工作，此时静态电流为100µA（典型值）。此外，MCP6001/2/4支持轨到轨输入输出，它的共模输入电压范围为VDD+300mV到VSS-300mV。这个系列的运算放大器在设计中采用了Microchip先进的CMOS工艺。MCP6001/2/4系列提供了工业级和扩展级的温度范围。电源供电范围为1.8V到5.5V。封装形式R1VOUTR2VINVDD+-Gain1R1R2------+=同相放大器MCP6001VREFVSS45454MCP6001123-+5VDDVIN–VOUTVSSVIN+SC-70-5,SOT-23-5MCP6002PDIP,SOIC,MSOPMCP6004VINA+VINA–VSS123414131211-VOUTA+-+VDDVOUTDVIND–VIND+1098567VOUTBVINB–VINB+VINC+VINC–VOUTC+--+PDIP,SOIC,TSSOPVINA+VINA–VSS12348765-VOUTA+-+VDDVOUTBVINB–VINB+4123-+5VDDVOUTVSSMCP6001RSOT-23-5123-+VSSVIN–VOUTVDDVIN+MCP6001USOT-23-5123-+VDDVOUTVIN+VSSVIN–1MHz低功率运算放大器MCP6001/2/4DS21733E_CN第2页2005MicrochipTechnologyInc.1.0电气特性绝对昀大额定值†VDD-VSS.........................................................................7.0V所有输入输出....................................VSS-0.3V至VDD+0.3V输入电压差分........................................................|VDD-VSS|输出短路电流.................................................................连续输入引脚电流.................................................................±2mA输出引脚和供电引脚电流............................................±30mA储存温度.......................................................-65°C至+150°C昀大结温（TJ）...........................................................+150°C所有引脚ESD保护（HBM;MM）........................≥4kV;200V†注：如果器件运行条件超过上述各项绝对昀大额定值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是运行条件的极大值，我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下。器件长时间工作在绝对昀大极限条件下，其稳定性可能受到影响。DC特性电气技术规范：除非另外说明，否则TA=+25°C，VDD=+1.8V至+5.5V，VSS=GND，VCM=VDD/2，RL=10kΩ至VDD/2且VOUT≈VDD/2。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入失调输入失调电压VOS-4.5—+4.5mVVCM=VSS(注1)输入失调温度漂移∆VOS/∆TA—±2.0—µV/°CTA=-40°C至+125°C,VCM=VSS电源抑制比PSRR—86—dBVCM=VSS输入偏置电流和阻抗输入偏置电流：IB—±1.0—pA工业温度范围IB—19—pATA=+85°C扩展温度范围IB—1100—pATA=+125°C输入失调电流IOS—±1.0—pA共模输入阻抗ZCM—1013||6—Ω||pF差分输入阻抗ZDIFF—1013||3—Ω||pF共模共模输入范围VCMRVSS−0.3—VDD+0.3V共模抑制比CMRR6076—dBVCM=-0.3V至5.3V,VDD=5V开环增益DC开环增益（大信号）AOL88112—dBVOUT=0.3V至VDD-0.3V,VCM=VSS输出昀大输出电压摆幅VOL,VOHVSS+25—VDD−25mVVDD=5.5V输出短路电流ISC—±6—mAVDD=1.8V—±23—mAVDD=5.5V电源电源电压VDD1.8—5.5V每个放大器的静态电流IQ50100170µAIO=0,VDD=5.5V,VCM=5V注1：日期代码在2004年12月（星期代码49）之前的MCP6001/2/4器件测得的昀大/昀小值为±7mV。2005MicrochipTechnologyInc.DS21733E_CN第3页MCP6001/2/4AC特性温度特性电气技术规范：除非另外说明，否则TA=+25°C，VDD=+1.8至5.5V，VSS=GND，VCM=VDD/2，VOUT≈VDD/2，RL=10kΩ至VDD/2且CL=60pF。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件AC响应增益带宽积GBWP—1.0—MHz相位容限PM—90—°G=+1转换速率SR—0.6—V/µs噪声输入噪声电压Eni—6.1—µVp-pf=0.1Hz至10Hz输入噪声电压密度eni—28—nV/√Hzf=1kHz输入噪声电流密度ini—0.6—fA/√Hzf=1kHz电气技术规范：除非另外说明，否则VDD=+1.8V至+5.5V且VSS=GND。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件温度范围工业温度范围TA-40—+85°C扩展温度范围TA-40—+125°C工作温度范围TA-40—+125°C注储存温度范围TA-65—+150°C封装热阻热阻,5L-SC70θJA—331—°C/Ω热阻,5L-SOT-23θJA—256—°C/Ω热阻,8L-PDIPθJA—85—°C/Ω热阻,8L-SOIC(150mil)θJA—163—°C/Ω热阻,8L-MSOPθJA—206—°C/Ω热阻,14L-PDIPθJA—70—°C/Ω热阻,14L-SOICθJA—120—°C/Ω热阻,14L-TSSOPθJA—100—°C/Ω注：工业级温度的器件可工作在扩展温度范围内，但性能有所下降。在任何情况下，内部结温（TJ）均不得超过绝对昀大参数值+150°C。MCP6001/2/4DS21733E_CN第4页2005MicrochipTechnologyInc.2.0典型性能曲线注：除非另外说明，否则TA=+25°C，VDD=+1.8V至+5.5V，VSS=GND，VCM=VDD/2，VOUT≈VDD/2，RL=10kΩ至VDD/2且CL=60pF。图2-1：输入失调电压图2-2：PSRR,CMRR—频率曲线图2-3：+85°C时输入偏置电流图2-4：CMRR,PSRR-环境温度曲线图2-5：开环增益，相位—频率曲线图2-6：+125°C时输入偏置电流注：以下图表来自有限样本数的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，我们不做保证。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如：超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围。0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%20%5-4-3-2-1012345InputOffsetVoltage(mV)PercentageofOccurrences64,695SamplesVCM=VSS20304050607080901001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+05Frequency(Hz)PSRR,CMRR(dB)PSRR+CMRRPSRR–VCM=VSS101001k10k100k0%2%4%6%8%10%12%14%036912151821242730InputBiasCurrent(pA)PercentageofOccurrences1230SamplesVDD=5.5VVCM=VDDTA=+85°C707580859095100-50-250255075100125AmbientTemperature(°C)PSRR,CMRR(dB)PSRR(VCM=VSS)CMRR(VCM=-0.3Vto+5.3V)-200204060801001201.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+051.E+061.E+07Frequency(Hz)Open-LoopGain(dB)-210-180-150-120-90-60-300Open-LoopPhase(°)0.111010010k100k1M10MPhaseGain1kVCM=VSS0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%55%01503004506007509001050120013501500InputBiasCurrent(pA)PercentageofOccurrences605SamplesVDD=5.5VVCM=VDDTA=+125°C2005MicrochipTechnologyInc.DS21733E_CN第5页MCP6001/2/4注：除非另外说明，否则TA=+25°C，VDD=+1.8V至+5.5V，VSS=GND，VCM=VDD/2，VOUT≈VDD/2，RL=10kΩ至VDD/2且CL=60pF。图2-7：输入噪声电压密度—频率曲线图2-8：VDD=1.8V时，输入失调电压—共模输入电压曲线图2-9：VDD=5.5V时，输入失调电压—共模输入电压曲线图2-10：输入失调电压漂移图2-11：输入失调电压—输出电压曲线图2-12：输出短路电流—电源电压曲线101001,0001.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+041.E+05Frequency(Hz)InputNoiseVoltageDensity(nV/√Hz)0.110110010k1k100k-700-600-500-400-300-200-1000CommonModeInputVoltage(V)InputOffsetVoltage(µV)VDD=1.8VTA=-40°CTA=+25°CTA=+85°CTA=+125°C-700-600-500-400-300-200-1000-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.56.0CommonModeInputVoltage(V)InputOffsetVoltage(µV)VDD=5.5VTA=-40°CTA=+25°CTA=+85°CTA=+125°C0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%-