微电子工艺专有名词

1ActiveArea主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVETRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVEAREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVEAREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的,而由于利用到局部场氧化之步骤,所以ACTIVEAREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小,以长0.6UM之场区氧化而言,大概会有0.5UM之BIRD’SBEAK存在,也就是说ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。2ACTONE丙酮1.丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3。2.性质为无色,具刺激性及薄荷臭味之液体。3.在FAB内之用途,主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4.对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤黏膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜,甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5.允许浓度1000PPM。3ADI显影后检查1.定义：AfterDevelopingInspection之缩写2.目的：检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后,如覆盖不良、显影不良…等即予修改,以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。4AEI蚀刻后检查1.定义：AEI即AfterEtchingInspection,在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后,分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率,避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大,节省成本3.通常AEI检查出来之不良品,非必要时很少作修改,因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加,生产成本增高,以及良率降低之缺点。5AIRSHOWER空气洗尘室进入洁净室之前,需穿无尘衣,因在外面更衣室之故,无尘衣上沾着尘埃,故进洁净室之前,需经空气喷洗机将尘埃吹掉。6ALIGNMENT对准1.定义：利用芯片上的对准键,一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2.目的：在IC的制造过程中,必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案,对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3.方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼,即机械式对准。7ALLOY/SINTER熔合Alloy之目的在使铝与硅基(SiliconSubstrate)之接触有Ohmic特性,即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。8AL/SI铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子,让其撞击此靶的表面,把Al/Si的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,一般使用之组成为Al/Si(1%),将此当作组件与外界导线连接。9AL/SI/CU铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为TARGET,其成分为0.5﹪铜,1﹪硅及98.5﹪铝,一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅,后来为了金属电荷迁移现象（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜,以降低金属电荷迁移。10ALUMINUN铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料,利用Ar游离的离子,让其撞击此种材料做成的靶表面,把Al的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,将此当作组件与外界导线之连接。11ANGLELAPPING角度研磨AngleLapping的目的是为了测量Junction的深度,所作的芯片前处理,这种采用光线干涉测量的方法就称之AngleLapping。公式为Xj=λ/2NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小,准确度及精密度都无法因应。如SRP(SpreadingResistancePrqbing)也是应用AngleLapping的方法作前处理,采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度,精确度远超过入射光干涉法。12ANGSTRON埃是一个长度单位,其大小为1公尺的百亿分之一,约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上,表示其层（如SiO2,Poly,SiN….）厚度时用。13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积APCVD为Atmosphere(大气),Pressure(压力),Chemical(化学),Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写,也就是说,反应气体（如SiH4(g),B2H6(g),和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。14AS75砷自然界元素之一;由33个质子,42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPEDOPANT常用作N-场区、空乏区及S/D植入。15ASHING,STRIPPING电浆光阻去除1.电浆预处理,系利用电浆方式（Plasma）,将芯片表面之光阻加以去除。2.电浆光阻去除的原理,系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用,产生挥发性的气体,再由帮浦抽走,达到光阻去除的目的。3.电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢,但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后,表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用,整个表面之光阻均已变质,若以硫酸吃光阻,无法将表面已变质之光阻加以去除,故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。16ASSEMBLY晶粒封装以树酯或陶瓷材料,将晶粒包在其中,以达到保护晶粒,隔绝环境污染的目的,而此一连串的加工过程,即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同,其封装的作法亦不同,本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装,制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架,即Leadframe）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC,通常用于消费性产品,如计算机、计算器,而以陶瓷作封装材料之IC,属于高性赖度之组件,通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。17BACKGRINDING晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装,着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30mil左右,为了便于晶粒封装打线,故需将芯片厚度磨薄至10mil～15mil左右。18BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE烘烤,软烤,预烤烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中,将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤,随其目的的不同,可区分微软烤（Softbake）与预烤（Hardbake）。软烤（Softbake）：其使用时机是在上完光阻后,主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除,并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hardbake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etchbake）,主要目的为去除水气,增加光阻附着性,尤其在湿蚀刻（wetetching）更为重要,预烤不全长会造成过蚀刻。19BF2二氟化硼51DRAM,SRAM动态,静态随机存取内存随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管），B.四个Transistor（晶体管）加两个Loadresistor（负载电阻）。由于上述之优缺点，DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。52DRIVEIN驱入离子植入（ionimplantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散道教深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。53E-BEAMLITHOGRAPHY电子束微影技术目前芯片制作中所使用之对准机，其曝光光源波长约为（365nm～436nm），其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时，则目前之对准机，受曝光光源波长之限制，而无法达成，因此在次微米之微影技术中，及有用以电子数为曝光光源者，由于电子束波长甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更细之IC图型，此种技术即称之电子束微影技术。电子束微影技术，目前已应用于光罩制作上，至于应用于光芯片制作中，则仍在发展中。54EFR（EARLYFAILURERATE）早期故障率EarlyFailureRate是产品可靠度指针，意谓IC到客户手中使用其可能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后，体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求，所以从母批中取样本做可靠度测试，试验中对产品加高压高温，催使不耐久的产品故障，因而得知产品的可靠度。故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸，称为BathtubCurve.55ELECTROMIGRATION电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中之薄金属层时，某些地方之金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近之导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移之抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。56ELECTRON/HOLE电子/电洞电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。垫洞是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。57ELLIPSOMETER椭圆测厚仪将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极，照射在待射芯片，利用所得之不同椭圆偏极光之强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片模厚度58EM（ELECTROMIGRATIONTEST）电子迁移可靠度测试当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界（GRAINBounderies）扩散（Diffusion），使金属线产生空洞（Void），甚至断裂，形成失效。其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n101LATCHUP栓锁效应当VLSI线路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOSVLSI中将愈来愈严重，且仅发生于CMOS电路，所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR(SILICON-CONYROLLEDRECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径，有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时，将造成两个晶体管互相导过而短路，严重的话将使IC烧毁，故设计CMOS路防止LATCH-UP的发生是当前IC界