分析简答题

电类模拟电子技术填空题模拟电子技术期末试卷题号一总分得分一、分析与简答题（本大题共22小题，共0分）1.用指针式万用表测量二极管的正向电阻值时，用R×1k档测得的数值比用R×100档测得的数值大得多。这是为什么？2.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计算UO的值。5V1kUo5V1kVD3VUoVD10k10k(a)(b)3.下图各电路中，)V(tωSin5iu，VD均为理想二极管，画出各电路相应的输出电压波形（要标明关键点的坐标值）。VDiuuOtRLVDiuuORL(a)(b)VDiuuORL(c)t0uOt0uO0uO10V10V4.电路如图所示，A1、A2为理想运放，电容的初始电压Vc(0)=0。（1）写出Vo与VI1、VI2和VI3之间的关系式；（2）写出当电路中电阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R时，输出电压Vo的表达式。5.电路图1中E=5V，wtuisin10V，二极管的正向压降可忽略不计，画出输出电压iu、0u的波形。D+_E+_+_iu0uR图16.计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为0.7V，反向电流等于零。(a)3k5VVD5V2kID(b)3kVD5V2kID10V7.BJT的输出特性如图所示。求该器件的β值；当ic=10mA和ic=20mA时，管子的饱和压降Vces为多少?8.如图是一高输入阻抗交流电压表电路，设A、D都为理想器件，被测电压υi=Visinωt。（1）当υi瞬时极性为正时，标出流过表头M的电流方向，说明哪几个二极管导通；（2）写出流过表头M电流的平均值的表达式；（3）表头满刻度电流为100μA，要求当Vi=1V时，表头的指针为满刻度，试求满足次要求的电阻R的值；（4）若将1V的交流电压表改为1V的直流电压表，表头指针为满刻度时，电路参数R应如何改变？9.电路如图(a)所示，二极管VD的伏安特性如图（b）所示，)V(tωSin1.0iu。用图解法确定二极管的静态工作点DQI、DQU，并画出在iu作用下Di、Du的波形。（电容C对交流可视为短路）。VDuiCV1.5VR200uDiD(a)(b)4/uDV0iDmA80.81.20.4260iD1.60ttuD10.在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA和5mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V。试计算该放大电路的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap，并分别换算成dB数计算。11.有两个晶体管，其中A管的β＝100，1CEOIμΑ，B管的β＝200，100CEOIμΑ，作一般放大电路用，哪一个好一些？为什么？12.一限幅电路如题图1.1所示，R=1kΩ,VREF=3V,二极管为硅极管。分别用理想模型和恒压降模型求解以下两问：（1）vI=0V、4V、6V时，求相应的输出电压vo的值；（2）当vI=6sinwt(V)时，绘出相应的输出电压vo的波形。R+D+vIvo-VREF-题图1.113.电路如图所示，已知VD1为锗二极管，其死区电压（阀值电压）Uon＝0.2V，正向导通压降为0.3V；VD2为硅二极管，其死区电压为Uon＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过VD1、VD2的电流I1和I2。V15V10kI1I2VD1VD210010014.电路如图所示，Re1=Re2=100Ω，BJT的β=100，VBE=0.6V，电流源动态输出电阻ro=100KΩ。（1）当Vi1=0.01V、Vi2=-0.01V时，求输出电压Vo=Vo1–Vo2的值；（2）当c1、c2间接入负载电阻RL=5.6kΩ时，求V‘o的值。15.一放大电路的开环电压增益为Avo=104，当它接成负反馈放大电路时，其闭环电压增益为Avf=50，若Avo变化10%，问Avf变化多少？0.电类模拟电子技术填空题答案解析一、分析与简答题1.二极管的正向电阻值与正向电流（工作点）的大小有关，电流越小，正向电阻值越大。而指针式万用表电阻测量各档为被测元件提供的电流不同，R×1k档电流比R×100档小得多，所以测出的正向电阻值也就大得多。2.（a）设VD断开，求得UO－0.45V，小于硅二极管的死区电压，所以VD截止，UO－0.45V（b）VD导通，UO＝2.3V3.t0uO5ππ2(a)Vt0uOπ2π(b)V51015t0uO(c)VuO0=4.解：（1）、A1组成差分式运算电路，A2组成积分电路。A1的输出电压为Vo1=（R3/(R2+R3)）*（1+R4/R1）*VI2－(R4/R1)*VI1（3分）A2的输出电压为（2分）（2）、当R1=R2=R3=R4=R5=R6=R时Vo1=VI2－VI1（2分）（3分）5.当DNDPVV，即Vui5时，二极管导通，Vu50；（1分）当DNDPVV，即Vui5时，二极管截止，iuu0（1分）其输出波形为（3分）6.（a）V1DU，VD截止，0DI（b）2.75mAmA37.0527.010DI7.解：当△iB=10μA时，△iC=2mA,故β=△iC/△iB=200当iC=10mA时，Vces≈0.3V当iC=20mA时，Vces≈0.8V8.当uGS＝3V，工作在截止区，iD＝0mA，uDS＝10V当uGS＝5V，工作在恒流区，iD＝1.3mA，uDS≈6V当uGS＝7V，工作在可变电阻区，iD≈2.6mA，uDS≈2V9.解：电压增益Av=Vo/Vi=1V/0.005V=200(2分).20lg|Av|=20lg200≈46dB(4分)电流增益Ai=Io/Ii=（1V/2000Ω）/0.000005A=100(6分)20lg|Ai|=20lg100≈40dB(8分)功率增益Ap=Po/Pi=[(1V)²/2000Ω]/0.005V×0.000005A=20000(10分)10lg|Ap|=10lg20000≈43dB(12分)10.解：（1）理想模型电路图如图1.1（a）所示：图1.1（a）当vI=0V时，二极管截止，所以vo=vI=0；当vI=4V时，二极管导通，所以vo=VREF=3V；当vI=6V时，同理，vo=VREF=3V。恒压降模型如图图1.1（b）所示：硅二极管VD=0.7VR++vIDvoVD-VREF-图1.1（b）当vI=0V时，二极管截止，所以vo=vI=0；当vI=4V时，二极管导通，所以vo=VREF+0.7V=3.7V；当vI=6V时，同理，vo=VREF+0.7V=3.7V。（2）由于所加输入电压为振幅等于6的正弦电压，正半周有一段幅值大于VREF。对于理想模型，当vI=VREF时，vo=vI；当vIVREF时，vo=VREF=3V对于恒压降模型，当vI=（VREF+VD)时，vo=vI；当vI（VREF+VD)时，vo=VREF+0.7V=3.7V.11.先设VD1导通，断开VD2，此时mA46.1A10010103.01531IVD2两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V小于VD2的开启电压，所以VD2截止，因此I2＝012.解：（1）、当Vi1=0.01V、Vi2=-0.01V时，Io=2mAIc1=1/2I0=2/2mA=1mA（2分）rbel=200Ω+（1+β）Vt/IE1=2.8KΩ（2分）Avd=-βRc/（rbel+（1+β）Re1）=-43.41（2分）V0=AvdVid=-0.87V（2分）（2）、A‘vd=-β（Rc1||（1/2RL））/（rbel+（1+β）Re1）=-14.5（2分）V‘0=A‘vdVid=-0.29V（2分）13.0/3.3－3.3uOV2.5tms0.53.51.514.先将VD断开，计算A、B点对地电压（a）V10V4112032310AUV8V32320BUBAUU，所以VD1截止（b）V8V4141532210AUV6V32215BUBAUU，所以VD2导通15.解：由闭环增益公式：Avf=A/(1+AF)对两边求导dAvf/dA=[(1+AF)-AF]/(1+AF)2=1/(1+AF)2故dAvf=dA/（1+AF）2dAvf/Avf=dA/A(1+AF)=AvfdA/A2dAvf/Af=AvfdA/AvoA=50/104*10%=0.05%