CCD工作原理-PPT课件

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所CCD成像技术及其在遥感中的应用第二章CCD工作原理郝志航中国科学院长春光学精密机械与物理研究所内容•CCD工作过程•电荷的生成•电荷的收集•电荷包的转移•电荷包的测量•CCD与CMOS比较•小结参考书1《电荷耦合器件原理与应用》王以铭科学出版社1987年2《CCDArraysCamerasandDisplays》GeraldC.HolstSPIE1998中国科学院长春光学精密机械与物理研究所CCD的工作过程1前照明光输入1背照明光输入2电荷生成3电荷收集4电荷转移5电荷测量视频输出此图摘自JamesJanesick“DuelingDetectors”中国科学院长春光学精密机械与物理研究所CCD的性能很大程度上是由电荷图像的生成决定的，CCD电荷图像的生成是CCD工作最重要的过程之一。电荷的生成CCD电荷图像的生成过程就是光电转换的过程；CCD电荷图像的生成机理是半导体的光电效应；CCD电荷图像的生成理论是固体物理的能带理论。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所硅和锗都是金刚石晶格结构半导体材料硅和鍺的晶格结构属于金刚石晶格:每个原子被四个最邻近的原子所包围。每个原子在外围轨道有四个电子，分别与周围4个原子共用4对电子。这种共用电子对的结构称为共价键。每个电子对组成一个共价键，组成共价键的电子称为价电子。价电子通常位于价带，不能导电。＋4＋4＋4＋4＋4电荷的生成能带理论复习能量增加价带导带1.12eV硅的能级图共价键示意图中国科学院长春光学精密机械与物理研究所通过加热或光照，处于价带的电子可以被激发到导带。把电子由价带激发到导带所需的能量要超过价带与导带之间的能隙Eg(硅的Eg＝1.12eV,砷化镓的Eg＝1.42eV)。空穴电子电荷的生成能带理论复习中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成如果一个入射光子的能量(Eph)大于或等于这种材料导带与价带之间的能隙(Eg)，就可以把一个电子激发到导带而成为自由电子。用公式表示如下:gphEEhchEph其中h为普朗克常数，为频率，为波长，c是光速。2-12-2中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成光电效应中有一个临界波长（），定义为：当时，光子没有足够的能量将电子由价带激发到导带。这时光子只是穿过这个材料。对于本征(intrinsic)硅有：][)(24.1meVEEhcggceVEg12.1mc11.1cc这是CCD长波限制，短波如何？2-3中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成能带理论复习电子一旦被激发到导带，它就可以在单晶硅的晶格附近自由运动了。电子离开后所形成的空穴成为一个带正电的载流子。在没有外电场的情况下，这样的一对电子和空穴会在一定时间(复合寿命)内将复合并湮灭。在CCD中，利用一个电场把这些载流子收集起来，防止他们的复合。如何收集电荷？中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成有关参数与CCD电荷生成过程有关的参数是量子效率(QE)和暗电流。影响QE的因素有吸收(absorption)、反射(reflection)和穿越(transmission)等。影响暗电流的因素主要是温度。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成理想情况下，电极材料应该是完全透明的，实际上这些材料对光都有一些吸收和反射。如多晶硅电极对短波光有较强的吸收和反射，减少了最终到达硅片的光子数量，如图中λ1和λ2所表示的情况。x：吸收y：复合材料的吸收系数和反射率与波长有关，在可见光波段，波长越短吸收系数和反射率越大。λ1λ2λ3λ4λ5λ6λ7收集区硅基底电极Xye-e-e-图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！CCD短波限制与结构及材料有关中国科学院长春光学精密机械与物理研究所厚型前照明CCD光在表面电极产生反射和吸收，使这种CCD的量子效率比较低，对蓝光的响应非常差。其电极结构不容许采用提高性能的增透膜技术。增透膜技术在薄型背照明CCD可以采用。n-型硅p-型硅二氧化硅绝缘层多晶硅电极入射光子625m电荷的生成降低反射中国科学院长春光学精密机械与物理研究所硅片减薄到15m左右，光线由背面射入，避免了电极对光线的阻挡，可以得到很高的量子效率。由于可以在硅表面制作减反膜，短波响应将得到很大提高。n-型硅p-型硅二氧化硅多晶硅电极减反(AR)膜Incomingphotons15m薄型背照明CCD电荷的生成降低反射薄型CCD对近红外光线几乎透明，因此长波响应很差。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所空气或真空的折射率为1.0，硅为3.6。利用上述方程式可以得出在空气中硅的反射率是32%。除非采取适当的措施消除这种反射，否则硅CCD只能探测到2/3的入射光子。增透膜可以解决这个问题。硅的折射率(ns)很高，很多入射光子会在其表面反射。nins在两种不同折射率物质的界面上光子的反射率为=[]ns-nins+ni2电荷的生成降低反射空气硅中国科学院长春光学精密机械与物理研究所加入增透膜以后，有三种介质需要考虑：[]nsxni-nt2nsxni+nt22当时反射率将降为零！满足这个条件材料的折射率为nt=1.9，幸运的是这种材料是存在的，它就是二氧化铪（HafniumDioxide）。通常天文学所使用的CCD都用这种材料作为增透膜。ntnsni2=反射率降为：空气nins增透膜硅nt电荷的生成降低反射中国科学院长春光学精密机械与物理研究所右图是EEV42-80CCD的反射率曲线。这种薄型CCD是专为提高蓝光谱响应设计的，其增透膜最佳工作波长为400nm。在400nm反射率下降到左右1%。电荷的生成降低反射提高量子效率最有效的方法是背照明！中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成深蓝光(400nm)穿透深度或被吸收的平均深度离表面大约为0.2m见图中的λ3。x：吸收y：复合λ1λ2λ3λ4λ5λ6λ7收集区硅基底电极Xye-e-e-图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成红光(650nm)穿透深度或被吸收的平均深度离表面大约为3.33m，激发出的电子在收集区外生成，复合寿命长，热扩散使这些电子被收集。见图中的λ5。x：吸收y：复合λ1λ2λ3λ4λ5λ6λ7收集区硅基底电极Xye-e-e-图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成CCD硅表面下几个m范围内晶格没有缺欠，也没有氧化物沉积，这个区域内有很高的复合寿命；但是在硅衬底的其他部分(以及表面处)存在着大量的晶体缺欠，因此复合寿命非常低。波长长的光线在衬底中生成电子的位置很深，那里的复合寿命很低，很容易复合.图中λ6表示的就是这种情况。x：吸收y：复合λ1λ2λ3λ4λ5λ6λ7收集区硅基底电极Xye-e-e-图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成红外光(1250nm)波长超过临界波长，不能激发光电子，见图中的λ7。x：吸收y：复合λ1λ2λ3λ4λ5λ6λ7收集区硅基底电极Xye-e-e-图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成FoveonX3Sensors中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成FoveonX3SensorsTheFoveonX3SensorTheBayer-filterImageSensor中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成可以用量子效率计算响应度，响应度的单位是A/W或。计算公式如下：2//cmJehcARp2//cmJehcqRWA/其中，是电子电荷，是量子效率，是像元有效面积。qpA2-42-5中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成CCD的量子效率QE是波长的函数TH7834响应曲线中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的生成各种不同CCD的量子效率的比较思考：CCD的窗口玻璃影响性能吗？为什么？中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的收集CCD工作过程的第二步是电荷的收集，是将入射光子激励出的电荷收集起来成为信号电荷包的过程。为了收集电荷，必须制造一个收集区。不仅要把生成的电荷尽量收集起来，而且保证所收集的电荷不被复合。收集区：势阱。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的收集MOS电容器MOS电容器是所有MOS(金属-氧化物-半导体)结构中最简单的，它是CCD的构成基础；弄清楚这种结构的原理对理解CCD的工作原理是非常有用的。MOS电容器有二种类型：表面沟道和埋沟。这二种类型MOS电容器的制造只有些微地不同；然而，由于埋沟电容结构具有很多显著的优点，因此这种结构成了CCD制造工艺的首选。事实上今天制造的所有CCD几乎都利用埋沟结构。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的收集MOS电容器二氧化硅电极N型硅P型硅光生电子－空穴对耗尽区埋沟电容是在一个p-型衬底上建造的；在p-型衬底表面上形成一个n-型区(~1μm厚)；然后，生长出一层薄的二氧化硅(~0.1μm厚)；再在二氧化硅层上用金属或高掺杂的多晶硅制作电极或栅极；至此完成了MOS电容的制作。qEp电子的势能：q是电子的电荷量，而为静电势2-6中国科学院长春光学精密机械与物理研究所无偏置时，n-型层内含有多余的电子向p-型层扩散，p-型层内含有多余的空穴并向n-型层扩散；这个结构与二极管结的结构完全相同。上述的扩散产生了内部电场，在n-型层内电势达到最大。np沿此线的电势示于上图.电势CCD厚度方向的截面图这种‘埋沟’结构的优点是能使光生电荷离开CCD表面，因为在CCD表面缺欠多，光生电荷会被俘获。这种结构还可以降低热噪声（暗电流）。电荷的收集MOS电容器电子势能最小的地方位于n-型区内并与硅-二氧化硅(Si-SiO2)的交界面有一定距离这个势能最小(或电位最高)的地方就是多余电子聚集的地方。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所CCD曝光时，每个像元有一个电极处于高电位。硅片中这个电极下的电势将增大，成为光电子收集的地方，称为势阱。其附近的电极处于低电位，形成了势垒，并确定了这个像元的边界。像元水平方向上的边界由沟阻确定。电荷的收集MOS电容器电势电势势能势能中国科学院长春光学精密机械与物理研究所CCD曝光时，产生光生电荷，光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加，电势将逐渐变低，势阱被逐渐填满，不再能收集电荷，达到饱和。势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。np电势最大电势区电荷的收集MOS电容器中国科学院长春光学精密机械与物理研究所实际的埋沟结构埋沟结构的两边各有一个比较厚(~0.5-1.5μm)的场氧化物区。该区与高掺杂的p-型硅一起形成形成沟阻，该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感，始终保持形成势垒。电荷的收集MOS电容器栅极N型埋沟场氧化物沟阻P型衬底耗尽区信号电荷氧化物中国科学院长春光学精密机械与物理研究所埋沟结构的MOS电容的主要特点是：•能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱；•能调整或控制栅极下面的势能；•储存电荷的位置(势能最小处)离Si-Si02交界面有一定的距离；•低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷(取决于工作条件可以从数十秒到数小时)；•所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生；•能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面，而且损失非常低。电荷的收集MOS电容器中国科学院长春光学精密机械与物理研究所像元边界电荷包p-型硅n-型硅SiO2绝缘层电极结构像元边界入射的光子光子入射到CCD中产生电子空穴对，电子向器件中电势最高的地区聚集，并在那里形成电荷包。每个电荷包对应一个像元。电荷的收集电荷收集的效率与电势的分布、复合寿命和扩散长度有关。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所电荷的收集复合寿命由光子激发出的电子在重新跃迁回价带(与空穴复合)之前可以在硅晶格内活动的时间是有限的。这个过程的时间常数称为复合寿命，其大小取