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当前位置:首页 > 电子/通信 > 综合/其它 > 电工学与电子技术B复习题与参考答案-(1)
一、选择题6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D)A.串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。7、由一个三极管组成的基本门电路是(B)A.与门;B.非门;C.或门;D.异或门。8、在脉冲门电路中,应选择(B)的三极管。A.放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大耗散功率高。9、数字集成门电路中,目前生产最多且应用最普遍的门电路是(D)A.与门;B.非门;C.或门;D.与非门。24、对半导体而言,其正确的说法是(C)A.P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电;B.N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电;C.P型半导体和N型半导体本身都不带电;D.在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子25、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为9V、4V、3.7V,则这3个极分别为(A)A.C、B、E;B.C、E、B;C.E、C、B。26、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V、-2.3V、-2V,则这-2.3V的那个极为(B)A.集电极;B.基极;C.发射极。27、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V,则该管为(C)A.NPN型硅管;B.PNP型锗管;C.NPN型锗管;D.PNP型硅管。28、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,UBC0,UCE0,则此管工作在(B)A.放大区;B.饱和区;C.截止区。29、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,UBC0,UCE0,则此管工作在(C)A.放大区;B.饱和区;C.截止区。30、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,UBC0,UCE0,则此管工作在(A)A.放大区;B.饱和区;C.截止区。31、晶体三极管的控制方式为(B)A.输入电流控制输出电压;B.输入电流控制输出电流;C.输入电压控制输出电压。32、场效晶体管的控制方式为(C)A.输入电流控制输出电压;B.输入电压控制输出电压;C.输入电压控制输出电流。33、射极输出器(A)A.有电流放大作用,没有电压放大作用;B.有电流放大作用,也有电压放大作用;C.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。34、某测量放大电路,要求输入电阻高,输出电流稳定,应引入(B)A.并联电流负反馈;B.串联电流负反馈;C.串联电压负反馈;D.并联电压负反馈。35、与DCBA相等的为(C)A.DCBA;B.)()(DCBA;C.DCBA。36、与BCAA相等的为(B)A.A+B;B.A+BC;C.BCA。37、若1ACBAY,则(C)A.ABC=001;B.ABC=110;C.ABC=100。38、已知函数CBBAF,则它的“与非—与非”表达式为(B)。A.CBBAB.CBBAC.ABBC39、组合逻辑电路的分析是指(C)。A.已知逻辑图,求解逻辑表达式的过程;B.已知真值表,求解逻辑功能的过程;C.已知逻辑图,求解逻辑功能的过程。46、如图4所示的晶体管,测得三电极的电位分别是V6U1,V3U2,V3.2U3,则该晶体管的的的类型及各电极的名称为:(A)A.NPN型,①是集电极、②是基极、③发射极B.PNP型,①是发射极、②是基极、③集电极C.NPN型,①是集电极、②发射极、③基极D.PNP型,①是集电极、②发射极、③基极47、PNP型晶体三极管处于放大状态时,各极电位关系必须满足:(B)A.UCUBUE;B.UCUBUE;C.UCUEUB;50、共集电极放大电路的电压放大倍数Au(B)A.大于1;B.小于并接近1;C.等于1;D.远大于1.51、下列哪一个不是逻辑函数的表示方法(C)。A.真值表;B.逻辑图;C.波形图;D.逻辑表达式.53、P型半导体中的多数载流子是(B)A.自由电子;B.空穴;C.正离子。三、填空题6.最常用的半导体材料有硅和锗两种。7.晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V。通常硅二极管的死区电压约为0.5V,锗二极管的死区电压约为0.1V。8.逻辑代数的三种最基本的运算关系有与、或、非;写出异或逻辑函数表达式Y=BABA(其输入变量为A、B),其逻辑符号为:9.晶体二极管是由一个PN结作为管芯,其最主要的电特性是单向导电性:加正向电压时PN结处于导通状态,加反向电压PN结处于截止状态。10.晶体三极管有两个PN结,即发射结和集电结;要具有电流放大作用必须具备的外部条件是:发射结正偏和集电结反偏。11.晶体三极管有三种工作状态:放大状态、饱和状态和截止状态。12.某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是:U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,则该管1脚是E极,2脚是B极,3脚是C极,该管采用硅材料,类型是NPN型。13、在本征半导体掺入微量的3价元素,可形成P型杂质半导体。其中的多子是空穴。=1AB③②①(图4)14、射极输出器的特点是输入电阻高(大),输出电阻低(小)。19.根据晶体管的结构特点,基区的掺杂浓度最低。发射区的掺杂浓度最高。20.就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低(基极电流IB过小)时,输出波形易发生截止失真。21.就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过高(基极电流IB过大)时,输出波形易发生饱和失真。22.整流电路是直流稳压电源的重要组成部分,整流电路的作用是将正弦交流信号转变为脉动直流信号,该电路由二极管元件组成。23.逻辑函数的表示方法有三种:逻辑状态表(真值表)、逻辑函数表达式和逻辑图。26.电子电路包括模拟电路和数字电路两大部分。27.低频功放电路一般有三种工作状态:甲类、乙类和甲乙类。28.理想运放工作在线性区时的两个重要结论是:(1)u+=u—,这种情况称为“虚短”;(2)i+=i—=0,这种情况称为“虚断”。五、简答题7、二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?答:当外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定数值后,电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.5V。8、为什么稳压二极管的动态电阻愈小,稳压效果愈好?答:由稳压二极管的伏安特性可见,动态电阻ZZZIUr愈小,即ZU愈小,随电流ZI变化产生的电压波动愈小,所以稳压效果愈好。9、晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?答:不可以。晶体管的发射区掺杂浓度高而面积小,而集电区掺杂浓度低而面积大。若调换使用,则扩散到基区的载流子的数量将严重不足,致使集电极电流和电流放大系数大为减小。10、有两个晶体管,一个管子AICBO5.0,50;另一个管子AICBO2,150。如果其它参数一样,选用哪个管子较好?为什么?答:两管的穿透电流分别为AAIICBOCEO5.255.0)501()1(1;AAIICBOCEO3022)1501()1(2可见,选用第一个管子较好,因为其穿透电流小,温度稳定性好。11、发现输出波形失真,是否说明静态工作点一定不合适?答:不一定,若工作点合适而信号幅度过大,也会产生波形失真。12、在放大电路中,静态工作点不稳定对放大电路的工作有何影响?答:静态工作点不稳定将引起波形失真,如工作点升高则产生饱和失真,工作点下移则产生截止失真。13、什么叫“虚地”?在反相比例运算放大器电路中,同相输入端接“地”,反相输入端的电位接近“地”电位。既然这样,就把两个输入端直接连起来,是否会影响运算放大器的工作?答:由于运算放大器的开环放大倍数很大,而输出电压为有限值,因此实际允许输入电压很小,可以忽略不计,但并非为零。当同相输入端接“地”时,0u,则0u,反相输入端的电位接近“地”电位,故称“虚地”。若将两个输入端直接连接,则0,iuuu,无输出,运算放大器便不能工作。14、逻辑运算中的1和0是否表示两个数字?答:逻辑运算中的1和0只是表示两个相反的逻辑状态,如高和低、开和关、通和断、是和非等,不是算术运算中的两个数字。15、逻辑代数和普通代数有什么区别?答:逻辑代数或称布尔代数是分析与设计逻辑电路的数学工具。它虽然和普通代数一样也用字母(A、B、C等)表示变量,但变量的取值只有1和0两种,所谓逻辑1和逻辑0,它们不是数字符号,而是代表两种相反的逻辑状态。逻辑代数所表示的是逻辑关系,不是数量关系,这是它与普通代数本质上的区别。在逻辑代数中只有逻辑乘(与运算)、逻辑加(或运算)和求反(非运算)三种基本运算。而在普通代数中有加、减、乘、除等多种运算。六、作图题1、图示电路:已知ui=10tsinV,E=5V,二极管D为理想二极管(正向导通时电压为零),试绘制uo的波形。2、已知下图中E=5V,ui=10tsinV,二极管为理想二极管(正向导通时电压为零),画出输出电压uo的波形。3、A、B的波形如图所示,请绘制Y的波形七、证明题:1、证明图中(a)及(b)所示两电路具有相同的逻辑功能,并写出逻辑状态表。(a))实现BABAY(b)实现BABABBBABAAABABAY))((逻辑状态表:2.证明CDAACDBABACDBABY000011101110证明:CDAACDBABACDAABAA)()(CDB八、计算题4.单管共射放大电路如图所示,已知UCC=12V,RB=300kΩ,RC=RL=3kΩ,三极管为硅管,其电流放大系数β=50。(1)画出该电路的直流通路;(2)估算静态工作点值IBQ、ICQ、UCEQ;(3)估算晶体管的输入电阻rbe;(4)画出该电路的微变等效电路;(5)计算其该电路的动态指标(电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro)。解:(1)画直流通路(2)求静态工作点BEQBQBCCUIRUA38mA1038k300V)7.012(RUUI3BBEQCCBQmAAAIIBQCQ9.1109.138503VVIRUUCQCCCCEQ3.6)9.1312((3)估算晶体管的输入电阻rbemAAAIIBQEQ938.110938.13815013KmAImVrEbe884.0884938.126150200261200(4)画微变等效电路(5)计算放大电路的动态指标BEbirIULbLcoRIRIU8.84884.0333350beLiourRUUAkrRRbeBi881.0884.0300884.0300//kRRCo3评分标准:本小题共18分。正确画出直流通路得2分,求出IBQ、ICQ、UCEQ各得2分;正确画出微变等效电路得2分,求出rbe、Au、Ri、Ro各得2分。别解:(2)求静态工作点AmARUIBCCBQ4004.030012mAIIBQCQ204.050VRIUUCCQCCCEQ63212+UCCuSRSC1C2RBRCRLICIBUCCRCRB(3)估算晶体管的输入电阻rbemAIICQEQ2KmAImVrEbe883.08842261502002612009.84883.0333350beLiourRUUAKrRrbeBi880.0883.0//300//KRrCo35、分压式偏置的交流电压放大电路如下图所示,设晶体管的电流放大系数β=40。求:(1)放大电路的静态值(2)画出微变等效电路(3)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻解:(1)放大电路的静态值VB≈RB2/(RB1+RB2)*UCC=3VIE=(VB-UBE)/RE≈VB/RE=2mAIC≈IE=2mAIB
本文标题:电工学与电子技术B复习题与参考答案-(1)
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