模拟电子技术试卷

《模拟电子技术》测试题六一、填空题：（2８分，每空1分）1、BJT是控制器件，FET是控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。3.简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对________信号有较强的放大作用。4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v，则共模信号是v，差模信号为v。。5、要获得低频信号，可选用振荡器；要获得高频信号可选用振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：_________、_____________、____________、____________。7、射极输出器的重要特点是____________、_______________和___________。8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是______，____________和____________。9、理想集成运放的条件是_________、_____________、___________、________和_________________。二、选择题：（20分，每题2分）1、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A、削弱B、增强C、不变D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。a：其反向电流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的（）。a：单向导电性b：反向击穿性c：电容特性5、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）。a：10μAb：15μAc：20μAd：40μA6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流放大系数β为（）。A、β=100B、β=50C、β=150D、β=258.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）a．集电极最大允许功耗ＰＣＭb．集电极最大允许电流ＩＣＭc．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（）的结果。a.开路b.C的容量过小c.C的容量过大d.RL开路10、在非线性失真中，饱和失真也称为（）a顶部失真b底部失真c双向失真三、判断题：（８分，每题１分）1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）1．2.（）（）五、综合题（38分）1.已知如图：VＣＣ=12V，RB=100kΩ，RW=400KΩ，RC＝４ＫΩ，β＝３７.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线（设UBE=0）（8分）RW+VＣＣRＣRＢC2Ｃ19题图VsVCCRCRBVCCR1R2RLvivo2、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc＝12V，RL＝6Ω，vI为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗PCM至少应为多少？（3）每个管子的耐压|V(BR)CEO|应大于多少？（10分）3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=202sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分）①UO=18V:②UO=28V:③UO=9V:④UO=24V:4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替fR,如图(4)所示,试证明（10分）232341/osvRRRRRvRA1R2R3R4RovNvpvsv图(4)RL=6Ω+VEE－VEEUi3题图