存储器读写实验

《计算机组成原理》实验报告学院：专业：班级学号：学生姓名：实验日期：指导老师：成绩评定：五邑大学计算机信息学院计算机组成原理实验室实验三一、实验名称：存储器读写实验二、实验目的：1、牚握半导体静态随机存储器RAM的特性和使用方法；2、掌握地址和数据在计算机总线的传递关系。3、了解运算器和存储器如何协同工作；三、实验内容：1、学习静态RAM的存储方式，往RAM的任意地址里存放数据，然后读出并检查结果是否正确。2、组成计算机数据通路，实现计算机的运算并存储功能。四、实验设备：EL-JY-II8型计算机组成原理实验系统一套，排线若干。五、实验步骤：1、Ⅰ、单片机键盘操作方式实验2、注：在进行单片机键盘控制实验时，必须把K4开关置于“OFF”状态，否则系统处于自锁状态，无法进行实验。3、实验连线：4、实验连线图如图3－4所示。5、连线时应按如下方法：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。(注意：F3只用一个排线插头孔）MDJ2MDJ1MAJ1CEWEAD7……AD0BD15……BD8BD7……BD0WEILARIWRF3T3E4E3E5数据总线主存储器电路控制总线地址总线微控器接口图3－4实验三键盘实验接线图2．写数据：6、拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。7、在监控指示灯滚动显示【CLASSSELECt】时按【实验选择】键，显示【ES--__】输入03或3，按【确认】键，监控指示灯显示为【ES03】，表示准备进入实验三程序，也可按【取消】键来取消上一步操作，重新输入。再按【确认】键，进入实验三程序。8、监控指示灯显示为【CtL=--】，输入1,表示准备对RAM进行写数据，在输入过程中，可按【取消】键进行输入修改，按【确认】键。9、监控指示灯显示【Addr--】，提示输入2位16进制数地址，输入“00”按【确认】键，监控指示灯显示【dAtA】，提示输入写入存储器该地址的数据（4位16进制数），输入“3344”按【确认】键，监控指示灯显示【PULSE】，提示输入单步，按【单步】键，完成对RAM一条数据的输入，数据总线显示灯（绿色）显示“0011001101000100”，即数据“3344”，地址显示灯显示“00000000”，即地址“00”。(1)监控指示灯重新显示【Addr--】，提示输入第二条数据的2位十六进制的地址。重复上述步骤，按表3－1输入RAM地址及相应的数据。地址（十六进制）数据（十六进制）0033337134344235355A5555A36666CFABABF87777E69D9D表3－1实验三数据表3．读数据及校验数据：按【取消】键退出到监控指示灯显示为【ES03】，或按【RST】退到步骤2初始状态进行实验选择。拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。在监控指示灯显示【ES03】状态下，按【确认】键。监控指示灯显示为【CtL=--】，输入2,表示准备对RAM进行读数据，按【确认】键。监控指示灯显示【Addr--】，提示输入2位16进制数地址，输入“00”，按【确认】键，监控指示灯显示【PULSE】，提示输入单步，按【单步】键，完成对RAM一条数据的读出，数据总线显示灯（绿色）显示“0011001101000100”，即数据“3344”，地址显示灯显示“00000000”，即地址“00”。监控指示灯重新显示【Addr--】，重复上述步骤读出表3－1的所有数据，注意观察数据总线显示灯和地址显示灯之间的对应关系，检查读出的数据是否正确。注：6116为静态随机存储器，如果掉电，所存的数据全部丢失！Ⅱ、开关控制操作方式实验注：为了避免总线冲突，首先将控制开关电路的所有开关拨到输出高电平“1”状态，所有对应的指示灯亮。本实验中所有控制开关拨动，相应指示灯亮代表高电平“1”，指示灯灭代表低电平“0”。连线时应注意：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。1、按图3－5接线图接线：MDJ2MDJ1MAJ1CEWEAD7……AD0BD15……BD8BD7……BD0WEILARIWRfinT3CELARWE数据总线主存储器电路控制开关地址总线微控器接口DIJ2DIJ1数据输入电路DIJ-GC-G控制总线f/8脉冲源T32、拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。3、往存储器写数据：以往存储器的（FF）地址单元写入数据“AABB”为例，操作过程如下：(操作)(显示)(操作)(显示)(操作)1.C–G=12.置数据输入电路D15—D0＝“0000000011111111”3.CE=14.C-G=0绿色数据总线显示灯显示“0000000011111111”1.LAR=12.T3=1（按【单步】）地址寄存器电路黄色地址显示灯显示“11111111”1.C-G=12.置数据输入电路D15—D0＝“1010101010111011”3.LAR=04.C-G=0(显示)(操作)绿色数据总线显示灯显示“1010101010111011”1.WE=12.CE=03.T3=1(按【单步】)4WE=04、按上述步骤按表3－2所列地址写入相应的数据地址（二进制）数据（二进制）000000000011001100110011011100010011010000110100010000100011010100110101010110100101010101010101101000110110011001100110110011111010101110101011图3－5实验三开关实验接线图111110000111011101110111111001101001110110011011表3－25、从存储器里读数据：以从存储器的（FF）地址单元读出数据“AABB”为例，操作过程如下：(操作)(显示)(操作)(显示)(操作)(显示)1.C-G=12.置数据输入电路D15—D0＝0000000011111111”3.CE=14.C-G=0绿色数据总线显示灯显示“0000000011111111”1.LAR=12.T3=1(按【单步】)MAR电路黄色地址显示灯显示“11111111”1.C-G=12.LAR=03.WE=04.CE=0绿色数据总线显示灯显示“1010101010111011”6、按上述步骤读出表3－2数据，验证其正确性。六、实验结果选择通道0001输入00010001输出（十六进制）0011选择通道0010输入00000101输出（十六进制）0006选择通道0011输入00001111输出（十六进制）000F七、分析讨论实验中的静态存储器由2片6116（2K×8）构成，其数据线D0~D15接到数据总线，地址线A0~A7由地址锁存器74LS273(集成于EP1K10内)给出。黄色地址显示灯A7-A0与地址总线相连，显示地址总线的内容。绿色数据显示灯与数据总线相连，显示数据总线的内容。因地址寄存器为8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10接地，所以其实际容量为28＝256字节。6116有三个控制线，/CE（片选）、/R（读）、/W（写）。其写时间与T3脉冲宽度一致。当LARI为高时，T3的上升沿将数据总线的低八位打入地址寄存器。当WEI为高时，T3的上升沿使6116进入写状态。八、心得体会