电子实训(理论)试题

1电子实训试题（理论）姓名班级成绩一、填空题（每空1.5分，共33分）1．使用万用表测量电阻时首先应该。．2．三极管中，e代表b代表c代表。3．常用的整流元件是。4、选择二极管时主要考虑两个参数：一是IF，二是URM5、二极管的作用有、和等。6、晶体三极管在输出特性中表现出的三个工作状态为：、___________和。7、三极管工作在放大状态时，必须使发射结加偏置，集电极加偏置。8、晶体三极管放大器中，静态工作点设置太低时，将产生______失真，静态工作点设置太高时，将产生失真。9、当三极管工作在区时，关系式IC＝βIB才成立；当三极管工作在时，IC≈0；当三极管工作在区时，UCE≈0。10、晶闸管不仅具有能力，而且还有能力。二、判断题（将判断结果填入括号中，正确填“”，错误填“”，每题2分，共20分）（）1、当测得二极管的正反向电阻均很大时，说明二极管已损坏。（）2、“静态”是指放大电路无输入信号时的工作状态。（）3、硅材料二极管导通时电压为0.7V，锗材料为0.3V。（）4、温度对半导体器件的导电性能影响较大。（）5、乙类功率放大器存在的主要问题是交越失真。（）6、三极管三个电极之间的大小关系是：IE=IB+IC（）7、甲类功率放大器效率高。（）8、两级放大电路的电压放大倍数分别为100和150，则总的电压放大倍数为250。（）9、硅材料二极管的门坎电压为0.5V。（）10、三极管既能放大电流又有放大电压。三、单项选择题（下列各题备选答案中只有一个是正确的。请将正确答案的代号填入题首括号内。每小题4分，共32分）（）1、晶体二极管的正向电阻一般为。A、几十到几百欧B。几百到几千欧C。几欧到几十欧（）2、单相半波整流电路，如果负载电路为10A，则流过二极管的电流为A．4.5A、B。5A、C。10A（）3、直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是。A、电阻阻值有误差B、晶体管参数受温度影响C、电源电压不稳（）4、改变三极发放大器的静态工作的方法一般改变A、基极偏值电阻B、集电极负载电阻C、电源电压（）5、、三极管基极电流为0.1mA，发射极电流为4mA，则集电极电流为：A、4.1mAB、4mAC、3.9mA（）6、NPN型晶体管构成的共射极放大电路，当Rb减小时，Ic将：A、减小B、增加C、不变（）7、把交流电转换为直流电的过程叫（）。A、变压B。稳压C。整流D。放大（）8、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生：A、截止失真B、饱和失真C、交越失真四、综合题（15分）1、试画出晶闸管和单结晶体管的图形符号，并标注各管脚的名称（8分）2、试判断下图中各三极管所处的工作状态（7分）6V2V2.7V4.5V4V4.7V12V-1V0.7V