您好,欢迎访问三七文档
当前位置:首页 > 电子/通信 > 综合/其它 > 电子结构分析初步(PDF34页)
电子结构分析初步李震宇(USTC)Outline几何结构与可视化工具电荷/自旋密度相关电荷布居极化与偶极修正磁性单电子轨道相关能带与态密度Instabilities总能相关力、应力~zyli/teaching.html分子结构开放边界条件点群对称性晶体结构周期边界条件(PBC)7个晶系、14种布拉伐格子、230种空间群对称性PBC的扩展超胞表面结构与Slab模型晶向:晶面、Miller指数:(hkl){hkl}123[]lll123lll123111::::hklxxxVMDP4VASPVASPDataViewerXcrysdenMoldenMaterialsStudioMedeA可视化IsosurfaceContourmap电荷转移化学键差分电荷密度共价键离子键G/ZnOG/Al-ZnOG/Li-ZnO基于分子轨道的布居分析Mulliken布居Löwdin布居先对基组作正交化,使得对基矢的依赖变小自然布居分析先作Occupancy-weighted正交化得到NAO基本可以达到基组收敛,但仍趋向于高估电荷布居。)()(PSPSTrN,occijijPcc|Sic基于整体性质的布居分析静电势拟合conformationaldependenceforflexiblemoleculesill-conditioned,especiallyforinneratomsHirshfeld布居AIMbyBader拓扑分析:zerofluxsurface)()(Rrrd()()dqWdrrr1])()[()(RrRrrW0n电子局域化函数电子局域化程度可以通过球平均条件对分布几率来描述,其最低阶(二阶)Talyor展开系数为一个正比于局域化程度的归一ELF函数可以通过均匀电子气作为参考体系得到ELF的应用原子壳层结构分子中的电子局域化程度成键类型分析局域吸引子:键、非键、芯XeZnN2极化与Berry位相在周期边界条件下偶极矩P的方向与单胞取法有关Well-defined的量为绝缘体宏观极化率的变化对应初末态波函数的相位差),(),(tntrrP偶极修正Slab模型中存在垂直表面的偶极矩时,PBC导致体系的能量随单胞大小收敛很慢在真空中增加一个偶极层自洽地抵消表面偶极层静电势外加电场能量的修正力的修正3034()[()]0extzazzzar()()extrrEEE[]()IIIFnZRE磁性自旋密度泛函理论波函数变成旋量密度变成2×2矩阵密度泛函KS方程自旋密度泛函理论通常只有在,也即密度矩阵是对角的情况下才容易得到交换关联能量的可靠近似可以通过对角化得到的表达式或者等价地通过如下定义得到对共线(collinear)磁性体系,KS哈密顿矩阵是对角的共线磁序FM、AFM、SDW…铁磁反铁磁亚铁磁自旋密度波非共线磁序与旋轨耦合非共线KS方程自旋轨道耦合能带结构能带结构给出单电子态能量随k点的变化常和态密度画在一起3()(())4nndDkk色散与带隙色散相互作用越强,色散越强能隙无色散k电导channel直接带隙(强光学吸收)间接带隙(弱光学吸收)IP、AE、WF电离能(IP)为拿走一个电子所需要的能量电子亲和能(EA)为得到一个电子所释放的能量IP和EA可以通过△SCF方法计算功函数为电子从金属逃逸时所需要克服的功真空能级等于无穷远处有效势的值,为了加快收敛,通常只考虑静电部分计算功函数时最好完全避免wraparounderrorEvacLUMOHOMOWEvacEf能带折叠与投影选取不同大小的原胞时,其对应的布里渊区会发生相应的变化0π/aπ/a-π/a-π/2a0π/2a单胞取一个原子单胞取两个原子能带投影对低维体系,为了清楚的识别表面态,常将高维带结构投影到低维分态密度半导体掺杂p型和n型掺杂载流子有效质量p型掺杂n型掺杂222*kEmInstabilitiesLargeDOSatEfsuggestsaninstabilityPeierls相变当一维原子链中的原子两两结合时,会形成成键态和反键态,但由于有贡献的是占据态,因此体系的总能会降低。Stoner铁磁理论考虑自旋极化很小的情形修正为常数则波函数不变,态密度发生平移有磁矩的条件,即3d易形成铁磁0011[()()]()22FEMnEIMnEIMdEFM1)0(F1)(0FEIn000345345ddddddWWWnnn原子受力能量的梯度Hellmann-Feynman定理成立的条件:(1)是的本征函数;(2)正交归一,即MP2、CC等不满足变分原理的方法不适用对依赖原子位置的不完备基组不适用dEdgFR|ˆ|RRHE|Hˆ|0|R状态方程(EOS)如果已知压强与体积的关系,通过对压强积分可以得到能量与体积的关系拟合状态方程可以得到体模量EquilibriumvolumeandshapeofacrystaldependontheXC-typeused:LDA:overbinding!a0toosmallPBE,PW91:underbinding!a0toolargeresultsareimprovedusingspeciallydesignedfunctionals(PBEsol,HSE),…ddEP22dEdddPB基组截断basissetchangesdiscontinuouslyincreaseENCUT(by30%)toperformlatticerelaxationsFccCu弹性力学性质Elasticity:stress-strainrelation(应力——应变关系)应力张量:弹性系数:rr)(E1;C上机实践体相Si能带结构体相Si态密度体相MgB2分态密度体相MgB2电荷转移(Bader布居分析)Ni(110)表面态
本文标题:电子结构分析初步(PDF34页)
链接地址:https://www.777doc.com/doc-76637 .html