HHNEC-电源管理IC

HHNEC-电源管理IC电源管理IC华虹宏力拥有先进的电源管理IC工艺平台，主要包括BCD(Bipolar，CMOS和DMOS)和CDMOS工艺，基于华虹宏力成熟CMOS平台的BCD/CDMOS工艺，可广泛应用于音频功放、室内外照明、电源管理、工业控制、汽车电子等领域，特别是DC-DC转换器、AC-DC转化器、LED照明和电池管理等产品的最佳工艺选择。0.35μmBCD工艺平台(BCD350G/BCD350GE)?基于0.35μm5VCMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS可同时支持5V与12V的Vgs，且Vds最高可达40V?支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等?提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件?BCD350GE在原有量产的BCD350G工艺基础上，进一步降低了LDMOS的比导通电阻，减少了光罩层数0.18μmBCD工艺平台(BCD180G)?基于0.18μm1.8V/5V标准CMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5VVgs与最高可达40V的Vds?支持最多六层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP/MTP等?提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件0.35μmCDMOS工艺平台(PMU350G)?基于0.35μm3.3V/5VCMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5VVgs与最高可达40V的Vds?支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等?提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件0.18μmCDMOS工艺平台(CD180)?基于0.18μm1.8V/5V标准CMOS工艺，提供5VVgs与最高可达60VVds的LDMOS?支持最多六层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，高压BJT，齐纳二极管，肖特基二极管，厚顶层金属电感和OTP/MTP等?具有极具竞争力的比导通电阻，可为手持移动和消费类电子等产品中的电源管理IC带来成本效益?提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件0.13μmCDMOS工艺平台?基于0.13μm1.8V/5VCMOS工艺，提供可同时支持5V与12VVgs的LDMOS，且Vds最高可达40V?支持最多五层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，高压BJT，齐纳二极管，厚顶层金属等?提供高可靠性的eFlash/eEEPROM，其数据保存能力超过10年，擦写能力可达20万次以上?极具竞争力的比导通电阻有助于缩减芯片面积?提供完整的工艺库，完全可扩展参数的设计工具套件，以及模拟IP与接口IP1μm700VCDMOS工艺平台(BCD700V)?6VCMOS，6V栅电压提供40V到700V的LDMOS?集成的700VMOSFET具有业界领先的比导通电阻，有助于缩减芯片面积?提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户根据需要进行版图设计，缩短设计周期?另外提供高压JFET，高值多晶硅电阻，电容，齐纳二极管等多种选项，方便客户灵活设计0.8μm5V/40VHVCMOS工艺平台?5V和40V栅电压提供5VCMOS和40V的对称与非对称结构HVCMOS?可选择的隔离30VNMOSFET可用于桥式驱动?提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户缩短设计周期?另外提供高值多晶硅电阻，MIP电容，齐纳二极管，多晶熔断等多种选项，方便客户灵活设计?数万片的稳定出货量。广泛用于显示屏的源驱动，开关电源的PWM和PFC控制器，LED照明驱动IC0.5μm/0.35μm5VCMOS工艺平台(CZ6H+/CZ6L+)与0.35μm7VCMOS工艺平台(CZ6-7V)?CZ6H+/CZ6L+是华虹宏力最成熟的模拟工艺平台之一，有超过10年的量产经验，拥有大量经过真实产品验证过的成熟IP。它延续了逻辑器件的成熟稳定特性，并提供多种可供模拟电路设计的器件选择?CZ6-7V是华虹宏力面向7V工作电压而推出的另一模拟工艺平台，主要目标产品应用包括低中压的音频功放和LDO、DC/DC等电源管理芯片0.18μm5VCMOS工艺平台?支持最多四层金属互联层?极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等功率器件华虹宏力有10年以上的功率器件产品的量产经验，多年的量产经验保证了华虹宏力的MOSFET的高品质和高合格率，同时也培养了一支成熟的技术开发团队。开发了各种先进的MOSFET工艺和技术，积累了大量开发经验，使得技术转移和开发更快，成功率更高，极大地降低了客户的产品上市时间。今后几年里，华虹宏力将致力于开发高压和低开启电阻的MOSFET工艺平台与IGBT技术工艺。TrenchHVMOSFET基于华虹宏力在过去累积的LVMOSFET经验，华虹宏力成功开发了沟槽类型的600VMOSFET，并进入量产。华虹宏力创造性地将沟槽应用到600V的MOSFET上，与常规的平面型MOSFET相比，可以有效地降低开启电阻10%以上，该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。?工作电压范围400V~700V?提供厚度低至60um的薄片技术?提供可用于直接焊接的背金?根据产品特性需求，提供客户定制化服务超级结MOSFET基于华虹宏力在过去累积的MOSFET的经验，华虹宏力成功开发了超级结结构的600-700VMOSFET，并进入生产。华虹宏力的超级结技术采用独特的工艺，可以达到优于业界水平的性能和指标。该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。IGBT依托于华虹宏力在MOSFET和SuperJunction方面累积的丰富的经验，华虹宏力与客户合作成功开发了基于沟槽结构的600V-1200V非穿通型和场截止型IGBT。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机、机车拖动、智能电网以及包括风电和太阳能等新能源应用。?1200V非穿通型和轻穿通型IGBT?600V~1200V场截止型IGBT针对变频家电应用?1700V~6500V场截止型IGBT(开发中)，瞄准业界高端工业及能源市场应用汽车电子华虹宏力是一家在汽车电子制造上拥有丰富经验的晶圆代工厂，并拥有杰出的汽车电子质量管理体系。华虹宏力将为不同的汽车电子应用继续研发更为先进的技术及IP解决方案。汽车质量执行综述?零缺陷系统?自2021年起通过ISO/TS16949质量认证?通过来自日本和美国客户及其终端客户的质量审核拥有汽车电子技术迁移的丰富量产经验并保持零退货记录?0.25μm嵌入式闪存量产中，应用于发动机控制和安全气囊控制?0.18μm独立闪存量产中，应用于车用收音机及导航系统?0.35μmSONOS闪存量产中，应用于车用信息娱乐系统?0.15μm逻辑量产中，应用于车载音响系统?功率器件量产中，应用于油泵系统射频华虹宏力针对应用于无线通信与有线光通信的射频技术提供硅衬底全系列工艺解决方案，包括SiGeBipolar/BiCMOS、RFLDMOS、与逻辑工艺兼容的RFCMOS、以及SOIRFCMOS等。0.13μm/0.18μmSiGeBipolar/BiCMOS工艺平台?采用创新的HBT结构，提供了性能和成本的完美结合，已申请超过400项发明专利?提供丰富工艺选项、杰出的性能，并以持续不断的技术开发来更灵活地支持客户产品设计?提供精准的模型和完整的设计工具套件?可根据客户需要提供定制服务，以增强客户竞争力0.13μmRFCMOS工艺平台?与0.13μm通用逻辑工艺平台完全兼容?支持最多七层铝互联层?支持多阈值电压?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感?提供完全可扩展参数的设计工具套件0.18μmRFCMOS工艺平台?与0.18μm通用逻辑工艺平台完全兼容?支持最多六层金属互联层?支持多阈值电压?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感?提供完全可扩展参数的设计工具套件逻辑与混合信号华虹宏力提供从0.5μm至90nm的标准逻辑与混合信号铝制程工艺平台，涵盖8英寸晶圆代工支持的所有先进工艺节点，并提供微缩版的工艺制程，包括0.162μm、0.153μm及0.115μm。这些缩小化标准制程的优势在于客户不需要更改设计，就可以获得更多的芯片，从而降低生产成本。90nm低漏电逻辑与混合信号工艺平台?在趋近于业界通用90nm的物理尺寸上延续1.5V低漏电技术?支持最多七层铝互联层?搭配高密度工艺库，为低功耗设计提供更为经济的解决方案?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容0.13μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台?支持最多七层铝互联层?提供1.2V通用工艺和1.5V、1.8V低漏电工艺，并搭配高密度工艺库?支持多阈值电压?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容0.18μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台?支持最多六层金属互联层?提供1.8V通用工艺和1.8V低漏电工艺，并搭配高密度工艺库?支持多阈值电压?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容?提供广泛的IP支持，包括OTP/MTP、常用的模拟IP及接口IP0.5μm5V与0.18μm3.3V，5V混合信号工艺平台?支持最多四层金属互联层?极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则?提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等嵌入式非易失性存储器华虹宏力一直处于嵌入式非易失性存储器代工领域的领先地位，其嵌入式非易失性存储器工艺平台包含高密度、高性能的嵌入式闪存（eFlash），耐擦写、可靠性高的电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）和兼容逻辑工艺、低成本的一次编程/多次编程存储器（eOTP/MTP），能满足客户不同应用的需求，比如各类智能卡、微控制器和系统控制芯片等。0.25μm~0.13μmeFlash工艺平台华虹宏力拥有两套嵌入式非易失性闪存存储器工艺平台：?其一为自对准浮栅闪存技术的工艺平台，涵盖0.25μm、0.18μm、0.13μm?其二为0.13μm的SONOS工艺平台?提供业界最具竞争力的闪存IP，具备高可靠性，可重复擦写30万次以上，数据保持大于100年。此两套工艺平台均经过大规模量产验证，可以定制各种高速，低功耗以及低成本解决方案的IP针对触控需求，华虹宏力提供创新的单芯片高压解决方案—0.13μm-32V工艺平台。该工艺基于成熟的0.13μm嵌入式闪存平台，集成了HVCMOS（32V）器件，兼容原平台上各种容量的嵌入式闪存/EEPROM，SRAM，完整的模拟IP，高性能的IO库和低功耗数字单元库，目前，该平台在热点触控类应用领域得到了广泛的认可，超过上万片出货。0.35μm~0.13μmeEEPROM工艺平台华虹宏力拥有三套嵌入式电可擦只读存储器工艺平台：?其一为自对准浮栅技术的工艺平台，涵盖0.13μm、90nm?其二为0.13μm的SONOS工艺平台?其三为前道0.5μm、后道0.35μm/0.25μm的浮栅工艺平台作为领先的智能卡芯片代工提供商，华虹宏力的代工产品涵盖电信卡、U-key、社保卡、银行卡以及众多安全芯片，在国内均超过了50%以上市场份额。2021年华虹宏力电信卡芯片出货量达17亿张，占全球3成以上市场份额。0.5μm~0.11μmeOTP/eMTP工艺平台为客户提供最完整和最高性价比的8位MCU的代工方案：?5V与3.3V单电压工艺