TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工2

TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺--《半导体技术》2008年12期本文献来源中国知网次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。【作者单位】：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;中国科学院长春方圆光电技术有限责任公司;中国科学院研究生院【关键词】：薄膜晶体管;5次光刻;背沟道刻蚀型;背沟道保护型;a-Si岛【分类号】：TN305.7【DOI】：CNKI:SUN:BDTJ.0.2008-12-008【正文快照】：0引言在TFT-LCD中,TFT的功能相当于一个开关管。常用的TFT是三端器件,一般在玻璃基板上制作半导体层,在其两端有与之相连接的源极和漏极,并通过栅极绝缘膜,与半导体相对置,利用施加于栅极上的电压来控制源、漏电极间的电流[1-2]。在玻璃基板上制作TFT,较常用的工艺是背沟道保护Asanewresearch5photoengravingprocess(5PEP)isdividedintobackchanneletchingandbackchannelprotection.5PEPchangedtheTFT(thinfilmtransistor)structureandtheprinciple.Comparingwith7photoetchingcraft,ithasgreatprogressofreducingtheproductioncycleandequipment,promotingtherateofyieldswithlowcost.Theprocedurestepofbackchanneletchingandthebackchannelprotection5PEPwassettled,anditwascarriedoutthrough50.8mmliquidcrystaldisplayinsmallbatch.Thea-SiislandissuesandtheSiNxetchingcrossbreakswerediscussed.Thereasonabletechnologicalparameterswereobtained,itenables5PEPapplyinsmall-sizedliquidcrystaldisplayTFTlotproduction.【Keyword】：TFT;5PEP;back-channel-etching;back-channelprotection;a-Siisland......