TC4421A中文数据手册(Microchip)「EasyDatasheet」

2006MicrochipTechnologyInc.DS21946A_CN第1页TC4421A/TC4422A特性•高峰值输出电流：10A（典型值）•输出级低穿通电流/交叉导通电流•宽输入供电电压范围：-4.5V至18V•高连续输出电流：2A（昀大值）•匹配的快速上升和下降时间：-负载为4700pF时为15ns-负载为47,000pF时为135ns•匹配的短传输时延：42ns（典型值）•低供电电流：-逻辑1输入——130µA（典型值）-逻辑0输入——33µA（典型值）•输出阻抗低：1.2Ω（典型值）•闭锁保护：可承受1.5A的反向输出电流•输入端可承受昀高为-5V的输入电压•与TC4420/TC4429和TC4421/TC4422MOSFET驱动器引脚兼容•节省空间并增强散热的8引脚DFN封装应用•用于超大负载线路的线路驱动器•脉冲发生器•驱动大功率的MOSFET和IGBT•本地电源开关•电机和螺线管驱动器•LF起动器概述TC4421A/TC4422A是早先TC4421/TC4422系列单输出MOSFET驱动器的性能提升版本。这些器件是强电流缓冲器/驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）。TC4421A/TC4422A除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。TC4421A/TC4422A器件还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射（groundbounce）小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受昀高为4kV的静态放电。TC4421A/TC4422A的输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。TC4421A/TC4422A系列的9AMOSFET驱动器采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门/线路容性驱动的应用。封装形式(1)8引脚1234VDD5678OUTPUTGNDVDDINPUTNCGNDOUTPUTTC4421ATC4422A5引脚TO-220VDDGNDINPUTGNDOUTPUTTC4421ATC4422A焊片与VDD同电势注1：两个功能相同的引脚必须同时连接才能正常工作。2：DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。TC4421ATC4422AVDDOUTPUTGNDOUTPUTPDIP/SOIC8引脚DFN(2)VDDINPUTNCGND23456781TC4421ATC4422AVDDOUTPUTGNDOUTPUTTC4421ATC4422AVDDOUTPUTGNDOUTPUT9A高速MOSFET驱动器中文手册全文下载easyds.cnTC4421A/TC4422ADS21946A_CN第2页2006MicrochipTechnologyInc.功能框图有效输入输出输入GNDVDD300mV4.7VTC4421ATC4422A反相同相130µA降低交叉导通和前驱电路输出C=25pF中文手册全文下载easyds.cn2006MicrochipTechnologyInc.DS21946A_CN第3页TC4421A/TC4422A1.0电气特性绝对昀大值†供电电压...............................................................+20V输入电压...........................(VDD+0.3V)至(GND–5V)输入电流（VINVDD).......................................50mA†如果器件运行条件超过上述各项绝对昀大额定值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是允许条件的极大值，我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下运行。器件长时间工作在绝对昀大额定值条件下，其稳定性可能受到影响。直流特性电气规范：除非另有说明，否则TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.41.8—V逻辑0，低输入电压VIL—1.30.8V输入电流IIN–10—+10µA0V≤VIN≤VDD输入电压VIN–5—VDD–0.3V输出高输出电压VOHVDD–0.025——V直流测试低输出电压VOL——0.025V直流测试高输出电阻ROH—1.251.5ΩIOUT=10mA，VDD=18V低输出电阻ROL—0.81.1ΩIOUT=10mA，VDD=18V峰值输出电流IPK—10.0—AVDD=18V连续输出电流IDC2——A10V≤VDD≤18V，TA=+25°C（仅TC4421A/TC4422ACAT）（注2）闭锁保护承受反向电流IREV—1.5—A占空比≤2%，t≤300µs开关时间（注1）上升时间tR—2834ns图4-1，CL=10,000pF下降时间tF—2632ns图4-1，CL=10,000pF传输时延tD1—3845ns图4-1，CL=10,000pF传输时延tD2—4249ns图4-1，CL=10,000pF电源电源电流IS—130250µAVIN=3V—35100µAVIN=0V输入工作电压VDD4.5—18V注1：设计可确保开关时间。2：测试数据仅为特征值，未经生产测试。中文手册全文下载easyds.cnTC4421A/TC4422ADS21946A_CN第4页2006MicrochipTechnologyInc.直流特性（在整个工作温度范围内）温度特性电气规范：除非另有说明，否则处于整个温度范围且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.4——V逻辑0，低输入电压VIL——0.8V输入电流IIN–10—+10µA0V≤VIN≤VDD输出高输出电压VOHVDD–0.025——V直流测试低输出电压VOL——0.025V直流测试高输出电阻ROH——2.0ΩIOUT=10mA，VDD=18V低输出电阻ROL——1.6ΩIOUT=10mA，VDD=18V开关时间（注1）上升时间tR—3845ns图4-1，CL=10,000pF下降时间tF—3340ns图4-1，CL=10,000pF传输时延tD1—50.460ns图4-1，CL=10,000pF传输时延tD2—5360ns图4-1，CL=10,000pF电源电源电流IS—200500µAVIN=3V—50150µAVIN=0V输入工作电压VDD4.5—18V注1：设计可确保开关时间。电气规范：除非另有说明，否则TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件温度范围规定温度范围（V）TA–40—+125°C昀高结温TJ——+150°C存储温度范围TA–65—+150°C封装热阻5引脚TO-220热阻θJA—71—°C/W无散热片8引脚6x5DFN热阻θJA—33.2—°C/W典型4层板，带有到地平面的过孔8引脚PDIP热阻θJA—125—°C/W8引脚SOIC热阻θJA—155—°C/W中文手册全文下载easyds.cn2006MicrochipTechnologyInc.DS21946A_CN第5页TC4421A/TC4422A2.0典型性能曲线注：除非另有说明，否则TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-1：上升时间—电源电压曲线图2-2：上升时间—容性负载曲线图2-3：下降时间—电源电压曲线图2-4：下降时间—容性负载曲线图2-5：上升和下降时间—温度曲线图2-6：交越能量—电源电压曲线注：以下图表为基于有限数量样本所作的统计，仅供参考。所列特性未经测试，我公司不作任何担保。在一些图表中，所列数据可能超出规定的工作范围（如：超出规定的电源电压范围），因而不在担保范围内。0204060801001201401601804681012141618SupplyVoltage(V)RiseTime(ns)22,000pF10,000pF1,000pF100pF050100150200250300100100010000100000CapacitiveLoad(pF)RiseTime(ns)5V10V15V0204060801001201401601804681012141618SupplyVoltage(V)FallTime(ns)22,000pF10,000pF1,000pF100pF050100150200250300100100010000100000CapacitiveLoad(pF)FallTime(ns)5V15V10V2025303540455055-40-25-105203550658095110125Temperature(°C)Time(ns)tRISEtFALLVDD=15V1E-91E-81E-74681012141618SupplyVoltage(V)CrossoverEnergy(A·sec)10-710-810-9中文手册全文下载easyds.cnTC4421A/TC4422ADS21946A_CN第6页2006MicrochipTechnologyInc.注：除非另有说明，否则TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-7：传输时延—电源电压曲线图2-8：传输时延—输入幅度曲线图2-9：传输时延—温度曲线图2-10：静态供电电流—电源电压曲线图2-11：静态供电电流—温度曲线图2-12：输入门限—温度曲线30354045505560657075804681012141618SupplyVoltage(V)PropagationDelay(nS)tD2tD1CLOAD=10,000pF40455055606570752345678910InputAmplitude(V)PropagationDelay(ns)tD1tD2VDD=12V30354045505560-40-25-105203550658095110125Temperature(°C)PropagationDelay(ns)tD2tD1VDD=12VVIN=5VCLOAD=10,000pF204060801001201404681012141618SupplyVoltage(V)IQUIESCENT(µA)INPUT=HighINPUT=Low20406080100120140160180200220-40-25-105203550658095110125Temperature(°C)IQUIESCENT(µA)INPUT=LowINPUT=HighVDD=18V1.01.11.21.31.41.51.61.71.81.92.0-40-25-105203550658095110125Temperature(°C)InputThreshold(V)VIHVILVDD=12V中文手册全文下载easyds.cn2006MicrochipTechnologyInc.DS21946A_CN第7页TC4421A/TC4422A注：除非另有说明，否则TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-13：输入门限—电源电压曲线图2-14：高阻态输出阻抗—电源电压曲线图2-15：低阻态输出阻抗—电源电压曲线图2-16：供电电流—容性负载曲线（VDD=18V）图2-17：供电电流—容性负载曲线（VDD=12V）图2-18：供电电流—容性负载曲线（VDD=6V）1.01.11.21.31.41.51.61.71.81.92.04681012141618Suppl