DB13T 1632-2012 太阳能级多晶硅块

ICS29.045H82DB13河北省地方标准DB13/T1632—2012太阳能级多晶硅块Solargradepolycrystallinesoliconblock2012-09-28发布2012-10-15实施河北省质量技术监督局发布DB13/T1632—2012I前言本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准起草单位：英利集团有限公司。本标准起草人：张晓芳、李英叶、刘学峰、鲁晓辉。DB13/T1632—20121太阳能级多晶硅块1范围本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。本标准适用于太阳能级P型多晶硅块。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T1550-1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法GB/T1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557-2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558-2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法3分类产品按照外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应≥40cm，或由供需双方协商。4要求4.1外观太阳能级多晶硅块外观在有效高度内要求无目视可见裂纹、崩边、崩块、缺口。4.2性能太阳能级多晶硅块的性能要求，见表1。在表中未列出的规格要求由供需双方协商。表1太阳能级多晶硅块性能要求项目要求氧含量O/(atoms/cm3)O≤1.0×1018碳含量C/(atoms/cm3)C≤8.0×1017电阻率ρ/(Ω·cm)0.5≤ρ≤4少子寿命τ/μsτ≥1DB13/T1632—201224.3尺寸4.3.1太阳能级多晶硅块侧面表面粗糙度Ra≤0.8μm。4.3.2太阳能级多晶硅块相邻两面角度为90º±0.3º，如图1所示。4.3.3太阳能级多晶硅块倒角长度为1.5mm±1.0mm，倒角角度为45º±10º，如图1所示。4.3.4太阳能级多晶硅块截面中，a、b尺寸为125mm±0.5mm或156mm±0.5mm，如图1所示。4.4太阳能级多晶硅块有效切割范围内不允许出现红外探伤可视杂质。图1硅块截面图5试验方法5.1太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查。5.2太阳能级多晶硅块氧含量检验按GB/T1557进行。5.3太阳能级多晶硅块碳含量检验按GB/T1558进行。5.4太阳能级多晶硅块电阻率检验按GB/T1551进行。5.5太阳能级多晶硅块少子寿命检验按GB/T1553进行。5.6太阳能级多晶硅块侧面表面粗糙度检验用粗糙度仪或相应精度的量具进行，测试点选取硅块侧面任何一点，两端面不用测量。5.7太阳能级多晶硅块的相邻两边的角度检验用万能角度尺或相应精度的量具进行。5.8太阳能级多晶硅块外形尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行。5.9太阳能级多晶硅块的倒角角度检验用万能角度尺或相应精度的量具进行。5.10太阳能级多晶硅块基体杂质阴影检测用红外探伤仪或相应测量仪器进行。DB13/T1632—201236检验规则6.1检验分类检验分为出厂检验和型式检验。6.1.1出厂检验出厂检验项目为：外观、电阻率、少子寿命、尺寸、杂质，要求产品100%检验。6.1.2型式检验型式检验的项目为本标准规定的所有项目。有下列情况之一时，产品应进行型式检验：a)生产的试验定型鉴定；b)正式生产后，如生产工艺有较大的变动，可能影响硅块性能时；c)停产超过一年重新恢复生产时；d)出厂检验结果与上次型式检验有较大差异时；e)质量监督机构提出进行型式检验的要求时。6.2判定规则全部项目检验合格则判定该产品合格。7包装、标志、运输、贮存7.1包装根据产品的实际尺寸、质量、包装数量等参数设计防震材料进行包装，并在内部附加必要的缓冲材料以提供足够的边缘保护，防止磕碰、震动等，特殊要求由供需双方协商。7.2标志包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识，包装运输标志应符合GB/T191-2008的规定，并注明：a)生产厂名和地址；b)产品名称、产品件数、规格；c)生产日期；d)其他。7.3运输太阳能级多晶硅块在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。7.4贮存产品应贮存在清洁、干燥环境中。_________________________________