DB61∕T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则

ICS27.160F12DB61陕西省地方标准DB61/T512—2011太阳电池用单晶硅片检验规则2011-04-20发布2011-05-01实施陕西省质量技术监督局发布DB61/T512—2011I前言本标准参考SEMIM6—2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965—2005《硅单晶切割片和研磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。本标准由陕西省工业和信息化厅归口。本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。本标准为首次发布。DB61/T512—20111太阳电池用单晶硅片检验规则1范围本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550—1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1553—2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555—2009半导体单晶晶向测定方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T6618—2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB/T6619—2009硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法SEMIMF1535—2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1线痕sawmark硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。3.2径向电阻率变化radialresistivitytolerance晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数表示。又称径向电阻率梯度。3.3晶片厚度thicknessofslicesDB61/T512—20112晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。3.4总厚度变化（TTV）totalthicknessvariation晶片厚度的最大值与最小值间的差。4技术要求4.1表面质量表面质量要求见表1。表1硅片表面质量项目最大缺陷限度备注线痕20μm外缘1mm范围除外。表面沾污无边缘每片2个，圆周弦长最大到0.1mm，深0.1mm不接受贝壳状崩边。崩边/缺口裂缝/鱼尾纹无4.2机械性能4.2.1规格及尺寸一般为准正方形硅片，规格125mm×125mm型、156mm×156mm型，如图1所示。尺寸要求见表2，或者根据实际使用，供需双方商定。图1DB61/T512—20113表2硅片尺寸规格A（边长）/mmB（标称直径）/mmC（弦长）a/mmD（倒角投影）a/mmE（相邻面垂直度）6″125±0.3150±0.382.921.0590°±0.3°6.5″125±0.3165±0.3107.78.668″156±0.3200±0.3125.115.43注：标称直经是指准方形单晶硅棒滚圆后的直径。亦可由供需双方协商确定。a为参考尺寸。4.2.2硅片厚度和总厚度变化硅片厚度应在140μm～240μm的范围，用户有特殊要求时，由供需双方商定。总厚度变化（TTV）不大于30μm。4.2.3弯曲度硅片弯曲度不大于30μm。4.2.4翘曲度硅片翘曲度不大于75μm。4.3电性能要求4.3.1电阻率硅片电阻率要求见表3。4.3.2径向电阻率变化硅片径向电阻率变化要求见表3。表3电性能参数导电类型电阻率/Ω·cm径向电阻率变化/%少数载流子寿命/μs晶向及偏离度P一档二档≤15≥10100±1°0.5～11～3N1.5～20≤2050～100100±1°注：本表中少数载流子寿命值是经过钝化的测试值。4.3.3导电类型硅单晶导电类型要求见表3。4.3.4少数载流子寿命硅单晶少数载流子寿命要求见表3。4.4晶体完整性DB61/T512—20114硅单晶晶体完整性由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。4.5晶向及偏离度硅单晶晶向及偏离度要求见表3。5试验方法5.1表面质量在检验面光照度不小于800Lx、硅片距双眼约30cm～50cm距离条件下，用游标卡尺（精度0.02mm）测量或目测。5.2规格及尺寸规格及尺寸用游标卡尺（精度0.02mm）、直角尺、塞尺等测量。5.3硅片厚度和总厚度变化硅片厚度和总厚度变化按GB/T6618—2009的3.2扫描式测量。5.4弯曲度硅片弯曲度按GB/T6619—2009的方法2——非接触式测量。5.5翘曲度硅片翘曲度测量按GB/T6620规定的方法进行。5.6电阻率硅片电阻率测量按GB/T6617规定的方法进行。5.7径向电阻率变化硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073规定的方法进行。5.8导电类型硅单晶导电类型测试按GB/T1550—1997的方法A——热探针、热电势导电类型测试方法进行。5.9少数载流子寿命少数载流子寿命测试按GB/T1553—2009附录A——高频光电导衰减法或SEMIMF1535—2007规定的方法进行。5.10晶体完整性硅单晶晶体完整性测试按GB/T1554规定的方法进行。5.11晶向及偏离度硅单晶晶向及偏离度测试按GB/T1555—2009的方法1——X射线衍射定向法进行。DB61/T512—201156检验规则6.1组批硅片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的硅片组成。6.2抽样按GB/T2828.1规定的一次抽样方案，其它项目如表4所示，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。6.3出厂检验出厂检验项目包括硅片表面质量、规格及尺寸、厚度和总厚度变化、电阻率、径向电阻率变化（见表4）。产品应经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。6.4型式检验型式检验包括本标准规定的全部检验项目（见表4），型式检验每年应进行1次。有下列情况之一时，亦应进行型式检验：a)新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时；b)正常生产而原材料、工艺、关键设备等有较大改变，可能影响产品质量时；c)产品停产半年以上，恢复生产时；d)供需双方发生产品质量争议需要仲裁时；e)国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时。表4检验项目及合格质量水平序号检验项目型式检验出厂检验技术要求试验方法检验水平合格质量限(AQL)1硅片表面质量●●4.15.1II2.52规格及尺寸●●4.2.15.2II1.03硅片厚度和总厚度变化●●4.2.25.34硅片弯曲度●○4.2.35.45硅片翘曲度●○4.2.45.56硅片电阻率●●4.3.15.67硅片径向电阻率变化●●4.3.25.78硅单晶导电类型a●○4.3.35.89硅单晶少数载流子寿命●○4.3.45.9S-21.010硅单晶晶体完整性a●○4.45.1011硅单晶晶向及偏离度a●○4.55.11注：●为必检项目；○为选检项目。a由硅棒技术要求来保证。6.5判定规则6.5.1硅片出厂检验按GB/T2828.1规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量限(AQL)见表4。DB61/T512—20116出厂检验的项目全部合格，则该检验批合格，产品可交付，否则出厂检验不合格，产品不能交付。抽检不合格的产品批，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可重新组批、提交检验。6.5.2硅片型式检验按GB/T2828.1规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量水平(AQL)见表4。型式检验所有项目全部合格，则判定型式检验合格，否则型式检验不合格。若型式检验不合格，则判定本批产品不合格，针对不合格批产品，查明原因、采取纠正措施后，重新进行型式检验。_________________________________