电脑内存性能指标有哪些

精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜电脑内存性能指标有哪些篇一：计算机组装内存的性能指标计算机组装内存的性能指标内存对计算机的整体性能影响很大，几乎所有任务的执行效率都会受到内存性能的影响。因此要想更加深入地了解内存，就必须掌握内存的各项性能指标。1．容量容量是评判内存性能的基本指标之一，其容量越大，内存可一次性加载的数据量也就越多，从而有效减少CPU从外部存储器调取数据的次数，提高CPU的工作效率和计算机的整体性能。目前，内存的常用容量单位已经成为GB，常见内存的容量也都达到了1GB或2GB。2．主频内存主频采用MHz为单位进行计量，表示该内存所能达到的最高工作频率。内存的主频越高，表示内存所能达到的速度越快，性能自然也就越好。目前，主流内存的频率为800MHz、1066MHz、1333MHz。至于之前667MHz的内存，则基本上已经被市场所淘汰。3．延迟时间内存延迟表示内存进入数据存取操作就绪状态前所要等待的时间，通常用4个相连的阿拉伯数字来表示，如3-4-4-8、精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜4-4-4-12等，分别代表CL-TRP-TRCD-TRAS。一般而言，这4个数字越小，表示内存的性能越好。?CL在内存的4项延迟参数中，该项最为重要，表示内存在收到数据读取指令到输出第一个数据之间的延迟。CL的单位是时钟周期，即纵向地址脉冲的反应时间。?TRP该项用于标识内存行地址控制器预充电的时间，即内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。?TRCD该项所表示的是从内存行地址到列地址的延迟时间。?TRAS延迟该数字表示内存行地址控制器的激活时间。篇二：内存性能参数详解内存性能参数详解速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDR2与DDR的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。DDR2的定义：DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。2、封装和发热量：DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。PostCAS：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决二：双通道内存双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔865/875系列，而AMD方面则是NVIDIANforce2系列。双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔Pentium4比AMDAthlonXP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔Pentium4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（QuadDataRate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔Pentium4的FSB分别是400/533/800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和XXGB/sec，而DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和XXGB/sec，在这里可以看到，双通道DDR400内存刚好可以满足800MHzFSBPentium4处理器的带宽需求。而对AMDAthlonXP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（DoubleDataRate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔Pentium4平台，其FSB分别为266/333/400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR266/DDR333/DDR400就能满足其带宽需求，所以在精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜AMDK7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDRSDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDRSDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDRSDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但