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一、反应时间T(nS):分为:T(nS)Td(on)(nS)Tr(nS)1461859二、驱动功率P(mW):P=驱动功率P(mW)栅源电荷Q(nC)14.529三、热效应E(J):相关:通态电阻RDS(ON)通态漏极电流ID(ON)MOSFET选用原则开启时间Ton导通延迟时间Td(on)+上升时间TrWF=0.5CU2F=0.5*U2*F*Q/U=0.5*F*QUontTd(off)(nS)Tf(nS)1158栅源电压U(V)驱动信号频率F(KHz)10100MOSFET选用原则判断延迟时间Td(off)+下降时间Tf关断时间Toff
本文标题:mos
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