半导体制造技术导论chapter8离子注入工艺

1Chapter8离子注入2目标•至少列出三种最常使用的掺杂物•辨认出至少三种掺杂区域•描述离子注入的优点•描述离子注入机的主要部分•解释通道效应•离子种类和离子能量的关系•解释后注入退火•辨认安全上的危害3离子注入•简介•安全性•硬件•制程•概要4材料设计光罩IC生产厂房测试封装最终测试加热制程光刻离子注入与光阻剥除金属化化学机械研磨介电质沉积晶圆晶圆制造流程图蚀刻与光阻剥除5简介:掺杂半导体•什么是半导体?•为什么半导体需要被掺杂?•什么是n型掺杂物?•什么是p型掺杂物?6简介•掺杂半导体•两种掺杂的方法–扩散–离子注入•离子注入的其他应用7掺杂半导体：扩散•等向性制程•无法单独控制掺杂物的轮廓和掺杂物的浓度•在1970年代中期以后被离子注入取代.8掺杂半导体：扩散•最先用来掺杂半导体•在高温炉中完成•使用二氧化硅光罩•仍然使用在掺杂物驱入(drive-in)•在超浅接面形成的应用9沉积掺杂氧化层硅基片二氧化硅沉积掺杂氧化层10氧化硅基片二氧化硅11驱入硅基片二氧化硅掺杂接面12剥除和清洗硅基片二氧化硅掺杂接面13掺杂半导体：离子注入•用在原子和核的研究•1950年代观念便已被提出•在1970年代中期才被引进到半导体制造.14掺杂半导体：离子注入•单独控制掺杂物轮廓(离子能量)和掺杂物浓度(离子束的电流和注入的时间组合控制)•非等向性掺杂物轮廓•容易达到重掺杂物(如：磷和砷)的高浓度掺杂.15栅极的对准失误栅极氧化层n-型硅n-型硅p+S/Dp+S/D金属匣极金属匣极对准的对准失误的16多晶硅n+P型硅n+二氧化硅P+离子注入：磷17离子注入和扩散的比较光阻二氧化硅硅硅离子注入扩散掺杂区域接面深度18扩散离子布植高温,硬光罩低温,光阻光罩等向性掺杂物浓度非等向性掺杂物轮廓不能单独控制离子浓度和接面深度能单独控制离子浓度和接面深度批量制程批量和单晶圆制程离子注入和扩散的比较19离子注入控制•离子束电流和注入时间控制掺杂物的浓度•离子能量控制接面深度•掺杂物浓度是非等向性20离子注入的应用应用掺杂预先非晶化深埋氧化层多晶阻挡层离子N型:磷,砷,锑P型:硼硅或锗氧氮21其他的应用•氧离子注入为了硅覆盖绝缘层(SOI)组件•锗预先非晶化注入在钛薄膜为较好的退火•锗预先非晶化注入在硅基片做为轮廓控制•…...22阻滞机制•离子贯穿进入基片•和晶格原子发生碰撞•逐渐失去能量，最后停在基片里面•有两种阻滞机制23两种阻滞机制•原子核阻滞–与晶格原子的原子核碰撞–引起明显的散射–造成晶体结构的混乱和损害.•电子阻滞–和晶格原子的电子产生碰撞–入射离子路径几乎是不变的–能量的转换非常的小–晶格结构的损害可以忽略24阻滞机制•总阻滞力Stotal=Sn+Se•Sn:原子核阻滞,Se:电子阻滞•低能量,高原子序的离子注入：主要是原子核阻滞•高能量,低原子序的离子注入：主要是电子阻滞25阻滞机制随机碰撞(S=Sn+Se)通道式(SSe)背向散射(SSn)离子26阻滞功率与离子速度原子核阻滞电子阻滞IIIIII离子的速度阻滞功率27离子轨迹和投影射程投影射程离子的轨迹碰撞离子束真空基片至表面的距离28投影射程ln(浓度)投影射程基片表面从表面算起的深度290.0100.1001.000101001000注入能量(keV)投影射程(mm)BPAsSb硅中掺杂离子的投影射程300.000.200.400.600.801.001.20硅(Si)二氧化硅(SiO2)氮化硅(Si3N4)铝(Al)遮蔽层厚度(微米)SbAsPB200keV掺杂离子所需的阻挡层厚度光阻(PR)31•如果入射角度正确,离子可以不与晶格离子碰撞且行进一个很长的距离•引起一个不是想得到的掺杂物分部轮廓非常少的碰撞多数的碰撞注入制程：通道效应32通道效应通道离子碰撞离子晶格原子q晶圆表面33碰撞的q晶圆表面碰撞的通道的碰撞后的通道效应34碰撞后的通道效应碰撞碰撞通道掺杂物浓度到表面的距离35注入制程：通道效应•避免通道效应的方法–晶圆倾斜,通常倾斜角度是7°–屏蔽氧化层–硅或锗的非晶态注入制程•阴影效应–离子被结构阻挡•藉旋转晶圆或在注入后退火期间的小量掺杂物扩散解决阴影效应36多晶硅基片掺杂区阴影区离子束阴影效应37阴影效应多晶硅基片掺杂区退火及扩散之后38问与答•为什么人们不试着应用通道效应以不是很高的离子能量来形成很深的掺杂接面?•离子束并非完美的平行，许多离子在穿入基片之后立刻会和晶格原子发生许多的原子核碰撞。一部分的离子可以沿着通道深入基片，而很多其他离子则被阻滞成常态的高斯分佈.39损害制程•注入的离子转移能量给晶格原子–原子从晶格的束缚能释放出来•释放出来的原子和其他的晶格原子碰撞–晶格原子释放成自由原子数增多–损害会持续发生直到所有的自由原子停止•一个高能量的离子可以导致数千个晶格原子的偏离位置40由单一离子造成的损伤重离子单晶硅损伤区轻离子41•离子和晶格原子碰撞并且将晶格原子敲离开晶格的束缚•基片的注入区变成非晶态结构注入前注入后注入制程：损伤42注入制程：退火•掺杂物原子必须在单晶体晶格位置且和四个硅原子产生键结，能够有效的提供电子(donor,N-type)或是电洞(acceptor,P-type)•从高温获得的热能，帮助非晶态原子复原成单晶体结构43掺杂物原子晶格原子热退火44掺杂物原子晶格原子热退火45掺杂物原子晶格原子热退火46掺杂物原子晶格原子热退火47掺杂物原子晶格原子热退火48掺杂物原子晶格原子热退火49掺杂物原子晶格原子热退火50掺杂物原子晶格原子热退火51退火前退火后注入制程：退火52快速加热退火(RTA)•在高温下，退火的速度远高于扩散•快速加热步骤(RTP)广泛使用在注入后退火•RTA非常快速(小于一分钟),较好的晶圆对晶圆的均匀性,较佳的热积存控制,和掺杂物扩散的最小化53快速加热步骤和高温炉退火多晶硅硅RTP退火高温炉退火多晶硅硅二氧化硅匣极源极/漏极匣极54问与答•为什么高温炉的温度无法像RTP系统一样急速上升及冷却?•高温炉有非常高的热容量，需要非常高的加热功率以快速升高温度。由于温度会过高(overshoot)或是过低(undershoot)，所以很难做到快速升温而没有大的温度震盪.55离子注入：硬件•气体系统•电机系统•真空系统•离子射束线系统56离子注入机57注入制程气体和蒸气:P,B,BF3,PH3,和AsH3选择离子:B,P,As选择离子能量选择离子束电流下一步骤注入机58离子注入机气体柜离子源真空帮浦真空帮浦电机系统电机系统磁铁分析仪离子束终端分析仪晶圆电浆泛注系统59离子注入：气体系统•特殊的气体递送系统控制有害的气体•更换气体钢瓶需要特殊的训练•氩气用来吹除净化和离子束校正60离子注入：电机系统•高压系统–决定控制接面深度的离子能量•射频系统–部分离子源使用射频以产生离子61离子注入：真空系统•需要高度真空以加速离子及减少碰撞•平均自由路径射束线的长度•10-5到10-7托•涡轮泵和冷冻泵•排放系统62离子注入：控制系统•离子束的能量、种类和电流•装载和卸除晶圆的机械部分•控制晶圆的移动，以达到均匀的注入•中央处理单元(CPU)电路板–不同的控制板会收集来自注入机内各系统的讯号，并送到CPU电路板处理–CPU传送指令回到注入机的各系统中63离子注入：射束线系统•离子源•萃取电极•质谱仪•后段加速•电浆泛注系统•终端分析仪64离子源真空泵真空帮浦质谱仪离子束线终端分析仪晶圆电浆泛注系统后加速电极萃取电极抑制电极射束线系统65离子注入机：离子源•热钨灯丝发射热电子•热电子和源气体分子碰撞，使原子分解或离子化•离子从源反应室被萃取并且加速成离子束线•射频和微波功率也可以用来离子化源气体66离子源电弧电力供应~120V灯丝电力,0-5V,最高电流200A+-抗阴极电极板钨灯丝磁铁源气体源或蒸气源电浆磁力线67射频离子源射频射频线圈电浆掺杂气体-+萃取电极离子束68微波离子源磁力线微波磁场线圈ECR电浆萃取电极69离子注入：萃取•萃取电极将离子抽出并加速到约50keV•必须要有足够的能量才能使质谱仪选择出正确的离子种类70萃取系统示意图离子束I离子源电浆萃取电力60keV抑制电力高达10kV++–抑制电极萃取电极萃取狭缝俯视图终端底盘–71离子注入：质谱仪•在磁场中，螺旋转动半径和磁场强度与(质量/电荷)比值有关•用来作同位素分离以产生丰富的U235•只有正确的(质量/电荷)可以穿过狭缝•纯化注入的离子束72离子布质机的质谱仪离子束太小的m/q比值太大的m/q比值正确的m/q比值磁场(向外方向)飞行管道73BF3电浆中的离子离子原子量或分子量10B1011B1110BF2911BF30F23810BF24811BF24974问与答•仅20%的硼原子是10B•10B+离子浓度仅11B+的1/4•10B+离子束电流约11B+的1/4•将要耗费四倍的时间注入，生产量较低10B+比11B+要轻，所以在相同能量时可以比11B+穿透的更深。为何我们不使用10B+来做深接面?75离子注入：后段加速•增加(有时候减少)离子能量使离子到达组件决定所需的接面深度•电极有高直流电压•可调整的垂直叶片控制离子束电流76离子注入：电浆泛注系统•离子造成晶圆带电•晶圆带电会致生非均匀掺杂与电弧缺陷•电子被泛注(flooding)到离子束以中和晶圆上的电荷•从热钨丝放射热电子产生氩电浆77后加速系统离子束后加速电力高达60kV抑制电力高达10kV++–抑制电极加速电极终端底盘–78离子射束电流控制固定的界定孔径可调式垂直叶片离子束79离子束轨迹弯曲中性原子轨迹离子轨迹晶圆偏压电极80电荷中性化系统•离子注入使晶圆带正电•造成晶圆带电效应•驱除正离子,引起射束线放大和不均匀的离子分布•电弧型态放电引发晶圆表面的缺陷•使匣极氧化层崩溃，低良率•需要将带电效应消除或最小化81带电效应++++离子轨迹晶圆82电荷中性化系统•需要提供电子以中性化离子•电浆泛注系统•电子枪•电子淋浴器83电压泛注系统直流电力灯丝电流+钨灯丝电浆氩离子束晶圆电子84电子枪离子束电子枪二次电子热灯丝电子晶圆二次电子靶85晶圆处理器•离子束直径:~25mm(~1”),•晶圆直径:200mm(8”)或更大•需要移动离子束或晶圆或两者，使离子束均匀地扫描整个晶圆–旋转轮式–旋转盘式–单晶圆扫描86旋转轮式晶圆处理系统旋转速率:最高到2400rpm摇摆周期:~10sec离子束注入带区晶圆旋转臂87旋转盘式晶圆处理系统离子束晶圆88单晶圆扫描系统离子束扫描电极扫描离子束晶圆移动89离子注入：射束阻挡器•吸收离子束的能量•离子束检测器–射束电流、射束能量和射束形状量测•水冷式的金属平板用来带走所产生的热量，并阻挡x光辐射90离子注入：终端分析仪•法拉第电荷检测器•用来校正射束电流、能量和形状91离子阻挡器示意图离子束磁铁晶圆冷却平板石墨俯视图法拉第电流侦测器92离子注入制程•CMOS应用•CMOS离子注入的要求•注入制程评估93CMOS离子注入规范注入步骤0.35mm,64Mb0.25mm,256Mb0.18mm,1GbN型井区井区P/600/21013P/400/21013P/300/11013抗接面击穿P/100/51013As/100/51012As/50/21012临界电压B/10/71012B/5/31012B/2/41012多晶硅注入P/30/21015B/20/21015B/20/31015多晶硅扩散阻隔--N2/20/31015低掺杂漏极(LDD)B/7/51013B/5/11014B/2/81013Halo(45注入)--As/30/51013源极/漏极接触B/10/21015B/7/21015B/6/21015P型井区井区B/225/31013B/200/11013B/175/11013抗接面击穿B/30/21013B/50/51012B/45/51012临界电压B/10/71012B/5/310