第三章代表性工艺

第三章代表性工艺3.1标准双极工艺•基本特征•制造工序N型埋层外延层生长隔离扩散深N+扩散基区注入发射区扩散接触、金属化、覆盖保护层•可用器件NPN晶体管•可用器件NPN晶体管衬底PNP晶体管横向PNP晶体管基区电阻发射区电阻基区埋层电阻电容上下隔离•工艺扩展双层金属肖特基二极管高值薄层电阻高值薄层注入由浅的轻掺杂P型注入形成3.2多晶硅CMOS工艺•基本特征采用多晶硅，实现自对准•制造工序外延生长、N阱扩散反型槽沟道终止注入LOCOS工艺阈值调整多晶硅淀积源漏注入接触、金属化、覆盖保护层•可用器件NMOS晶体管PMOS晶体管衬底PNP晶体管多晶硅电阻NSD和PSD电阻电容•工艺扩展双层金属浅槽隔离扩展漏区高压晶体管3.3模拟BiCMOS工艺•基本特征•制造工序N型埋层、外延生长N阱扩散和深N＋区基区注入反型槽沟道终止注入LOCOS阈值调整多晶硅淀积及光刻源/漏注入金属化及保护层•可用器件NPN晶体管衬底PNP晶体管横向PNP晶体管基区电阻•工艺扩展介质隔离DIBiCMOS纵向NPN晶体管DIBiCMOS纵向PNP晶体管3.4其它工艺高压DMOS部分低压部分隔离部分的实物照片3.5一个集成电路的例子功率集成电路的高压部分的版图照片器件的照片1器件的照片2器件的照片3器件的照片4器件的照片5器件的照片6