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Ch2,巨磁电阻(GMR)效应本节内容1,振荡的层间耦合(1986)2,金属量子阱中的自旋极化3,GMR效应(1988)重点:Mott的两流体模型1,层间耦合问题的提出?相邻FM层间的耦合作用与中间NM分隔层的厚度有关?多层膜中的电子的本征状态?Grunberg(1986)布里渊散射Fe/Cr/FeFM层间的振荡耦合――普适现象Parkin的贡献(1990)Co/Ru,振荡周期约12埃Co/Cu“困扰”FM层间的振荡耦合――直接观察(SEMPA)Unguiris等(1991)Fe单晶/Cr尖劈/Fe薄膜FM层间的振荡耦合――SMOKE丘子强等1992Fe/Mo/FeFM层间的振荡耦合――VSM阎明朗等1994,NiFe/Mo/NiFe2,多层膜中,电子的状态真空中的金属薄膜行波――平行方向电子连续谱E(k//)=k//2驻波――垂直方向电子分立谱E(k⊥)波函数是由包络函数调制的快振荡的Bloch函数Bloch函数的波长=2a(a晶格常数)包络函数波长由薄膜厚度决定。(厚度是半波长整数倍)薄膜上的量子阱态铁磁金属薄膜(自旋极化的)量子阱s-d散射机制薄膜Cu(100)在fccCo(100)基底上自旋极化的光发射谱(下左图)能带结构图(下右图)层间耦合的理论•计算不同的NM厚度、不同的自旋状态的总能量。•比较哪个磁状态有利?•总能量→库仑作用→DOS→波函数→非磁层厚度、铁磁层自旋状态。•注意:长程静磁(偶极)耦合!交换作用(1)氢分子三重态或单态←交换作用符号←电子云(波函数)的重叠情况←电子波函数性质(2)RKKY作用铁磁或反铁磁态←交换作用的振荡←f电子自旋之间,通过s电子间接交换作用←f电子局域波函数+s电子平面波波函数振荡周期决定于s电子Fermi波长铁磁金属量子阱FM/NM/FM中,铁磁层间的振荡耦合铁磁FM层之间的耦合能量,随非磁层厚度增加而振荡振荡周期(波矢)为(与自由电子气比较)各种3d、4d金属的结果相近?11—12A反铁磁金属量子阱AFM/NM/AFM蔡健旺等NiFe/FeMn/Cu/FeMn困难:反铁磁体的“磁化特性”方法:交换偏置表征振荡周期:加倍(21A)10203040500102030405060Exchangebias(Oe)ThicknessofCuspacer(A)28A26A第二次(11月10日)上一次的内容(1)FM/NM多层膜中,相邻FM层之间的耦合随NM层厚度变化→振荡衰减(2)单层厚度为若干纳米(3)NM层中电子处于“磁性量子阱”问题(1)多层膜的磁滞回线?答:a,M―H关系:H之下,体系的磁化状态由总自由能量极小条件确定c,FM排列时,外场能+磁晶各向异性能(几个奥)d,反铁磁排列时,外场能+磁晶各向异性能(几个奥)+层间反铁磁耦合能(几百奥)问题2单层膜厚度t的限制金属:t(≈2nm)《λ(≈20nm)《Ls(≈200nm)a,增大分子。需远小于”自旋弛豫长度“。两流体近似。b,减小分母。需远小于”平均自由程“。弹性散射。*平均自由程λ(10-30纳米)自旋弛豫长度Ls(100-500纳米)00)(RRRMRH巨磁电阻(GMR)效应Fert(1988)Fe/Cr超晶格?Grunberg(1986)相邻磁矩反铁磁排列MBE优质材料Mott两流体模型(1)N.H.Mott,Proc.Roy.Soc.A153,699(1936)近似:电子与(热激发)自旋波散射可以忽略,(低于居里点)只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。(s-d散射)约定:与磁矩同方向的电子处于主要子带(majority)相反方向自旋电子处于次要子带(minority)两流体模型(2)散射过程中没有自旋反转S↑电子未被d↑(majority)电子散射,对电导贡献大(d↑在Fermi面没有状态)S↓电子被d↓(minority)电子散射,对电导贡献小(d↓有效质量太大)结果:电导的自旋相关因子1两流体模型(3)α测量值:Co和Ni大;Fe较小;Cu为零I.A.CammpbellandA.Fert(1982)Mott两流体模型(4)计入Spin-flip散射(热自旋波散射),高温电阻率低温电阻率(Spin-flip散射)4][0Mott模型和GMR效应(1)Mott模型和GMR效应(2)按Mott模型(看上图)1,电子自旋与所在层磁矩相同时,s电子与(Majority)d电子散射弱,电子自旋与所在层磁矩相反时,s电子与(Minority)d电子散射强。RRRRMott模型和GMR效应(3)2,如果,平均自由程(单层厚度)磁电阻比率其中,111RRR4RRR222221111RRRRRRRMRt1RR结束
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