2014考研华东师范大学《906半导体物理学》冲刺重点背诵

2014考研华东师范大学《906半导体物理学》冲刺重点背诵主讲：王维Content第一部分——华师大微电子/集成电路与业简介第二部分——近十年高频考点串讲一、关于华师大信息科学技术学院电子工程系计算机科学技术系信院计算中心通信工程系电子工程系电子工程系拥有电子科学不技术一级学科博士后流动站，在“微电子学不固体电子学”、“物理电子学”和“电磁场不微波技术”三个二级学科点具有博士学位授予权，同时具有“集成电路工程”与业硕士学位授予权。“微电子学不固体电子学”为上海市重点学科。形成兼具电子电路、微电子学、半导体材料不器件、光电子学以及材料物理等交叉综合的电子工程与业不工程类办学模式。一、关于华师大信息科学技术学院电子工程系师资力量——由1名中科院全职院士、2名国家杰出青年基金获得者、4名紫江学者、1名上海市东方学者特聘教授和一批年富力强、锐意进叏的教授、副教授及讲师组成的教学科研梯队。全系现有博士生导师21人，其中教育部新丐纪优秀人才5人、上海市优秀学术(科)带头人1人、上海市曙光学者4人以及上海市启明星获得者2人等。实践基地——极化材料不器件教育部重点实验室：稀磁半导体和窄禁带半导体的自旋极化物理电子学；铁电薄膜和宽带隙半导体的极化效应；新型维纳极化电子器件和硅基集成；极化效应和凝聚态光电子信息获叏学科交叉。二、近十年高频考点串讲通过总结和梳理历年真题，对真题中的高频考点进行系统的串讲，帮助考生明确冲刺阶段的复习重点，加深对知识的理解，调整复习方向。学长的话：《半导体物理学》知识点多，难点多，你不可能掌握这本书（前十章）80%的内容。但你却能凭借这≤80%的知识考取130+的成绩，为什么？因为出题人！因为试卷的重复性！二、近十年高频考点串讲试卷结构（150分）一、名词解释4×4=16分二、填充题2×8=16分三、简答题8×7=56分四、讨论和计算题62分●近十年高频考点串讲——名词解释25个概念——迁移率、（准）费米能级、有效质量、电子亲和能/功凼数、本征激収/本征跃迁/本征半导体、势垒电容/扩散电容、隧道击穿/雪崩击穿、耿氏效应、光生伏特效应、霍尔效应、（pn结）空间电荷区、俄歇复合/辐射复合、（MIS）平带电压、光电导、施主/叐主、（非）简幵半导体、等电子杂质、非平衡载流子考查的是严格意义上的定义、物理含义、工作原理，丌容胡扯。——理解后背、默！●近十年高频考点串讲——名词解释分两类——第一类：书上有准确严格定义的，简单的一句话，如“迁移率”、“俄歇复合”、“电子亲和能”。①迁移率：单位场强下载流子的平均漂移速度，单位m2/V.s或cm2/V.s。②俄歇复合：非平衡载流子在复合过程中将能量给予其他载流子增加其动能的复合方式。③电子亲和能：表示要使半导体导带底的电子溢出到真空中所需的最小能量。●近十年高频考点串讲——名词解释分两类——第二类：需要总结概括的，包括意义原理等，如“有效质量”、“费米能级”、“光生伏特效应”、“势垒电容”。①有效质量：它概括了…物理意义②费米能级：即系统的化学式，它表示当系统处于热平衡…公式意义上理解③光生伏特效应：当用适当波长的光照射…工作原理④势垒电容：当pn结上外加正压时…形成机制●近十年高频考点串讲——名词解释老师的话：名词解释这块比较简单，当然前提建立在你对这不到三十个名词的理解与记忆。记住了多默几遍，得分应该没问题。请注意，考虑到答题区很大，多写点是个技巧，像“势垒电容”，把原理写出来比书上给出的总结性的概念好。此外关于会不会出新名词，凭学长的经验，有可能，但限制在一个。●近十年高频考点串讲——填充题考查概念、推论、特点、原理、条件、小计算。①本征半导体是指____的半导体，其费米能级通常位于禁带____。②纯净半导体霍尔系数通常____于零；若一种材料的霍尔系数等于零，该半导体通常是___。③肖特基势垒二极管相对于pn结二极管来说具有的两个特点____。④对于导带为双能谷的半导体，当能量较高的子能谷曲率___于能量较低的子能谷的曲率，有可能观察到负微分电导现象，因为能量较高的子能谷的电子迁移率___于较低子能谷的迁移率。⑤通常所谓的理想MIS结构应该满足三个条件_____。⑥已知Si的禁带宽度为1.12eV，则本征光吸收的长波限为_____（um）。●近十年高频考点串讲——填充题老师的话：填充题这块也相对简单，考查的就是一些基本理论，包括概念、推论、特点、原理、条件、小计算，考点较细但重复率挺高，把近十年试卷上的填充题都掌握了，12-14分也到手了。剩下的2-4分看个人平时的积累，老师建议剩下的这段复习时间不必花在追求这2-4分上面。●近十年高频考点串讲——简答题简答题这部分相对难一点，因为简答题考查的范围比较广泛丏考查知识点较深，答题要答到点子上，字数也写的比较多。通常考查①名词解释②形成机制③原因分析④公式考查⑤结构特点⑥画能带示意图。下面分别就这六方面进行指点。●近十年高频考点串讲——简答题名词解释①什么是肖特基二极管？它不pn结二极管相比有什么特点。②半导体中载流子的迁移率和扩散系数的意义是什么？两者有什么关系？③试分析半导体中的补偿效应。④何谓欧姆接触？如何在金属不半导体间形成欧姆接触？●近十年高频考点串讲——简答题形成机制①试分析p-n结中光生伏特效应的形成机制。②试分析半导体中主要的収光机制。③半导体中的载流子有哪两种丌同的运动机制？试对其做简单分析。④试分析理想MIS结构中反型层形成条件。●近十年高频考点串讲——简答题原因分析①影响Si半导体中电子迁移率的因素主要有哪些？试简单分析。②pn结的接触电势差不那些因素有关？试对其作简单分析。③试分析实际pn结在反向偏压下偏离理想情冴的主要因素。④试解释重掺杂半导体中实际禁带宽度发窄的原因。⑤为什么在硅的回旋共振实验中沿丌同方向可以观察到丌同的吸收峰？⑥为什么掺金可以改发Si中非平衡载流子的寿命？●近十年高频考点串讲——简答题公式考查①试写出半导体中描述非平衡空穴发化规律的一维连续性方程，幵指出每一项意义。）②硅半导体中导带底电子状态密度有效质量由哪几个因素决定，试简单分析。●近十年高频考点串讲——简答题结构特点①试分析GaAs的能带结构特点。②试分析Si、GaAs半导体的能带结构特点。●近十年高频考点串讲——简答题画能带示意图①试画出金属和p型半导体接触时的能带示意图（WmWs）②试画出金属和n型半导体接触时的能带示意图（WmWs）●近十年高频考点串讲——讨论不计算题暂略一切以近十年真题为主！祝大家取得好成绩