2011年11月电子技术期中考试试题

2011--2012学年上学期11电子（春）【电子技术】期中考试试题班级11电子（春）姓名学号时间120分钟2011-11题号一二三四五六总分得分一、填空题（30×1分）1、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。2、常见的半导体材料有和两种；构成各种半导体器件的核心是。3、硅二极管的死区电压V，锗管的死区电压为V，硅管的导通管压降为Ｖ，锗管的导通管压降为V。4、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数读数都为∞，则此二极管，若两次读数都接近于０，则此二极管，若一次读数很大，一次读数很小，则此二极管。5、三极管的输入特性曲线是指在一定的条件下，和之间的关系曲线。而输出特性曲线是指在一定的条件下，和之间的关系曲线。６、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。７、变容二极管是通过改变的大小来调节容量大小的。8、三极管电流放大系数太小，电流放大作用；电流放大系数太大，会使三极管的性能。9、半导体具有特性、特性、特性。10、使用万用表电阻挡测二极管正反两次电阻，应该使用和档位。二、选择题（10×2分）1、PN结的基本特性是（）A．放大B．稳压C．单向导电性D．伏安特性2、半导体二极管，其中区的引出线称二极管的负极。（）A．NB．PC．SiD．Ge3、光电二极管的正常工作状态是（）A．导通状态B．截止状态C．反向击穿状态D．任意状态4、发光二极管的正常工作状态是（）A．导通状态B．截止状态C．反向击穿状态D．任意状态5、变容二极管的正常工作状态是（）A．导通状态B．截止状态C．反向击穿状态D．任意状态6、用万用表测量发光二极管时使用（）档位。ARⅩ1BRⅩ10CRⅩ100DRⅩ10K7、三极管放大的实质是（）A.将小能量换成大能量B.将低电压放大成高电压C.将小电流放大成大电流D.用较小的电流控制较大的电流8、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极9、NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）A.UcUeUbB.UcUbUeC.UcUbUeD.UcUeUb10、三极管的伏安特性是指它的（）A.输入特性B.输出特性C.输入特性和输出特性D.正向特性三、选择题（10×1分）1、二极管具有单向导电性。（）2、二极管加正向电压时一定导通，加反向电压时一定截止。（）3、二极管是线性元件。（）4、光电二极管与发光二极管都使用在反向工作状态。（）5、二极管的反向饱和电流是衡量二极管质量优良的重要参数，其值越小越好。（）6、三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管（）7、晶体管的发射区和集电区是由同一类半导体材料构成的，所以集电极和发射极可以互换使用。（）8、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（）9、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。（）10、若增大变容二极管两端的反向电压，则结电容减小。（）四、简答题（4×3分）1、为什么不能用万用表的R*1、R*10K挡测量二极管的正反向电阻？2、简要分析发光二极管、光电二极管、变容二极管使用时分别处于那种状态下？3、三极管的输出特性分三个区域，简述其各自需要满足什么条件？4、对与三极管NPN型和PNP型处于放大状态时，各个电极的电位关系是什么？五、分析题（4×5分）1、测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图所示，在图中标出各管的管脚极性和第三只管脚电流的方向，并分析此三极管是NPN型还是PNP型三极管。2、根据图中各晶体管对地电位数据分析各管的情况，说明是处于放大状态、截止状态还是饱和状态。0.1mA5.1mA3V3.7V3.3V2.7V8V2V3V0V2V3、如图中电路所示，假设二极管是硅管，判断各二极管是导通还是截止？并求出UAO.(1)(2)4、若测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U1、U2、U3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型？并确定三个电极。（1）U1=2.5VU2=6VU3=1.8V（2）U1=-4.8VU2=-5VU3=0V六、实验题（8分）目的：判别二极管的好坏与引脚的极性。材料：MF47型指针式万用表一个，二极管一个（色环已磨损，无法判断正负极）。要求：分别写出判断二极管好坏与极性的过程与方法，并详细写出操作步骤。