科研立项申请书

科研立项（SRTP）立项申请书项目名称：基于高K绝缘层的非晶ITZO薄膜晶体管制备与特性研究申请人：杨树林所在学院：空间科学与物理学院科研导师:宋淑梅共青团山东大学（威海）委员会俄项目类别项目编号大学生科技创新中心填表说明（本页不用打印）一、填写立项申请书前，请先咨询科研导师或有关专业教师。申请书的各项内容要求实事求是，逐条认真填写，表达明确、严谨。二、《山东大学（威海）科研立项（SRTP）立项申请书》为参考模板，学院可针对学院实际进行修改和调整。三、项目名称应切实反映研究内容和范围，最多不超过25个汉字(包括标点符号)。四、每位申请人只允许申报一个项目。若申报作品以组织名义申请，申请人请填写单位名称，如**学院学生会。五、提倡并鼓励每一个立项作品团队吸收一名大一同学参加。六、“项目组成员”不超过5人（含5人）。七、申请书一律要求用A4纸的双面打印，于左侧装订成册。封面字体为仿宋小四；申请书内容字号为小五号，宋体，单倍行距。如表格不够，可以加附页。八、“项目类别”一栏A为自然科学类，B为人文社科类，C为学生组织类，D为横向课题（企事/业项目）；“项目编号”不填，由学校统一编号。承诺书我已经认真阅读了《山东大学（威海）大学生科研作品立项实施办法》，以及山东大学威海分校大学生科技创新中心的其他相关规定和政策,我保证如实填写本表各项内容。如果获准立项，我与本项目组成员承诺严格遵守学校有关政策和规定，认真开展研究工作，按时报送有关材料，实现预期研究成果，保证做到节约开支、专款专用，恪守学术诚信。如有违反，愿意接受学校相应处理。山东大学威海分校有权使用本项目研究成果。申请者（签名）：2014年月日确认函我已经认真评阅了该小组的科研立项申报书，以及山东大学（威海）大学生科技创新活动的相关规定和政策。我认为该件作品具有一定的研究意义、创新性和可行性。如果获准立项，我将认真负责地指导该项目小组成员按要求开展研究工作，监督项目经费的使用情况，取得预期研究成果。指导老师（签名）：2014年月日项目名称基于高K绝缘层的非晶ITZO薄膜晶体管制备与特性研究项目负责人姓名学号学院联系电话任务分工签名杨树林201300830076空间科学与物理学院18463106827总负责项目组成员孙志豪201300830050空间科学与物理学院18463105623样品制备与数据处理张英博201300830086空间科学与物理学院18463107892样品制备与数据处理导师情况姓名宋淑梅单位空间科学与物理学院联系方式13156306947职务/职称副教授[e-mail]姓名单位联系方式职务/职称E-mail项目来源√1、指导老师子课题或URAP项目2、企业、事业、学校相关职能部门课题3、通过专业学习而发现感兴趣的课题4、观察社会，观察生活发现的问题5、其他老师或同学推荐课题6、其他：（请注明）项目概要用氧化物制作薄膜晶体管近年来备受关注，它们有着高的迁移率和透过率，传统的非晶硅迁移率较低、光敏性强，多晶硅薄膜晶体管工艺复杂，而有机薄膜晶体管又难以克服低寿命、低迁移率的弱点，用氧化物制成全透明的薄膜晶体管用在有源矩阵驱动显示器上将大大提高有源矩阵的开口率。本项目便是针对基于高k绝缘层的非晶ITZO（铟锡锌氧化物）薄膜晶体管的制备与特性进行研究。该课题目前的研究现状薄膜晶体管技术是在二十世纪九十年代开始发展起来的大面积半导体器件和电路制造技术，是有源驱动液晶显示和有源驱动有机发光显示的基础。TFT是在玻璃或塑料基板上通过化学沉积、溅射等工艺形成制造电路必需的各层薄膜，通过光刻、掩模、刻蚀等技术进行图形化，最后形成特殊功用的器件结构，组成薄膜晶体管阵列及周边电路，在TFT-LCD中，TFT主要用于驱动液晶像素。而近年来，用氧化物制作薄膜晶体管备受关注。友达光电在显示器国际会议上，发布了采用ITZO（InSnZnO）TFT的56英寸有机EL电视。这种电视机采用出光兴产的ITZO材料，实现了33.2cm2/Vs的载流子迁移率，达到IGZO（InGaZnO）TFT的三倍以上。TFT的元件构造为蚀刻终止层型。阈值电压Vth仅为0.98V，迟滞性也只有0.034V，实现了良好的特性。尽管友达光电未透露这款有机EL电视的性能参数，但以幻灯片介绍了显示图像的照片。试制这种面积的面板并验证其均匀性及可靠性的做法本身就非常了不起。就高分辨率有机EL电视而言，载流子迁移率的差别会大大影响像素设计，因此ITZO可能会成为主流。课题研究可行性论证1我们对研究课题非常感兴趣，可以利用课余时间在指导老师的指导下学习数据处理软件和进行科研立项的各项活动2指导老师也一直在从事相关方面的研究，对于此类研究课题都比较熟悉，能为我们研究提供很好的指导；3之前已经有人在IGZOTFT等其它氧化物薄膜晶体管做出了研究，对于我们的ITZO薄膜晶体管的制备与研究有很多值得借鉴的地方。导师建议导师签字：参考文献1.LilienfeldJE.DeviceforControllingElectricCurrent:USPatent,(1,900,018):1933-1903-1907.2．HosonoH,KikuchiN,UedaN,etal.WorkingHypothesistoExploreNovelWideBandGapElectricallyConductingAmorphousOxidesandExamples.JournalofNon-CrystallineSolids,1996,198-200:165-1693.HosonoH,YasukawaMandH.Kawazoe.NovelOxideAmorphousSemiconductors:TransparentConductingAmorphousOxides.JournalofNon-CrystallineSolids,1996,203:334-344.4.KumomiH,NomuraK,KamiyaT,etal.AmorphousOxideChannelTFTs.ThinSolidFilms,2008,516:1516-1522.5.KamiyaT,HiramatsuH,NomuraK,etal.DeviceApplicationsofTransparentOxideSemiconductors:ExcitonicBlueLEDandTransparentFlexibleTFT.JournalofElectroceramics,2006,17(2):267-275.研究方案研究内容研究厚度、制备温度、脉冲时间等对氧化铪、氧化铝、氧化钽等高k绝缘层性能的影响；研究绝缘层厚度和制备参数、有源层厚度和制备参数、源漏电极厚度等对ITZOTFT性能的影响。研究方法薄膜晶体管可以看成是多层薄膜的有机组合。我们需要对每层薄膜的材料、厚度以及图案作严格的要求。首先采用原子层沉积法在Si衬底或者玻璃衬底上制备氧化铪、氧化铝、氧化钽等高k绝缘层；然后采用射频磁控溅射法通过简单掩膜技术在上述绝缘层上依次制备ITZO有源层和源漏电极，得到ITZO有源层和ITO源漏电极，从而获得ITZOTFT；利用半导体特性测试仪测试TFT的输出特性和转移特性，研究各制备参数对TFT性能的影响。需要解决的关键问题和创新点采用原子层沉积法在Si衬底或者玻璃衬底上成功制备氧化铪、氧化铝、氧化钽等高k绝缘层。研究设计进度安排20136-7月查看相关文献，学习相关知识。20139-11月学习薄膜晶体管的制备并进行制备。20141-3月对制备出的薄膜晶体管的特性进行探究。21144月项目总结和相关论文撰写研究基础我们对研究课题非常感兴趣，可以利用课余时间在指导老师的指导下学习数据处理软件和进行科研立项的各项活动。预期研究成果及其展现形式1、论文发表2、申请到专利（或获得专利申请号）3、调查报告4、制作出实物（制作、发明、程序等）√5、专业论文6、其他形式（请注明）所需仪器设备半导体特性测试仪等申请经费及开支预算申请金额（元）2500经费计算理由及依据支出项目金额依据相关书籍资料300有些相关知识，需要购买资料学习资料打印200网上有关资料打印实验材料费2000购买衬底材料、药品等指导老师意见指导教师（签字）：年月日评审意见学院评审意见批准立项不批准立项评审未通过原因：1．选题不当；2．课题论证不充分；3．课题组力量不强或分工不当；4．资料准备不够；5．不具备完成本课题所需的其他条件；6．经过比较，本课题有更合适的承担人；7．课题创新性或操作性不强；8．其他原因（加以说明）：负责人（签字）：单位（公章）年月日学校审查意见单位（公章）年月日注：《第九届学生科研立项（SRTP）立项申请书》为参考模板，学院可针对学院实际进行修改和调整。