用于生长蓝宝石衬底晶体的高纯5n氧化铝饼料的制备方法

用于生长蓝宝石衬底晶体的高纯5n氧化铝饼料的制备方法申请号/专利号：2011100318212一种用于生长蓝宝石晶体的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征在于：生产车间净化需在１０００级以上；制备步骤为：在聚氨酯球磨罐中加入５Ｎ纯度的30纳米氧化铝粉、５Ｎ纯度的30nmρ型氧化铝、去离子水和5n氧化铝陶瓷球，球磨混合3小时，填入氧化铝陶瓷模具中以５０0ＭＰａ压强预压制，再等静压，得到的毛坯，将毛坯放入烧结炉中，5n惰性气体保护，０．５小时升温到１８５０℃，在１８５０℃保持０．５小时，，得到的５Ｎ纯度的氧化铝饼。利用本发明的制备方法获得到的氧化铝烧结体生长出的蓝宝石晶体无色透明、无缺陷少，可用来制备用于ＬＥＤ基底的高端蓝宝石晶片。申请日：2011年02月20日公开日：2011年08月07日授权公告日：申请人/专利权人：杭州万景新材料有限公司申请人地址：杭州发明设计人：张爱民专利代理机构：北京利华专利事务所代理人：王华专利类型：发明专利