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一、填空题(25分).同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL的数值大小上有ILIH。1.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是智能功率集成电路。2.晶闸管断态不重复电压UDSN与转折电压UBO数值大小上应为,UDSMUBO。3.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于2U2,设U2为相电压有效值。4.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差180°。5.对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使输出电压平均值降低。6.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施。7.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y、Δ二种方式。8.抑制过电压的方法之一是用RC吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。10.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在同一桥臂的上、下二个开关元件之间进行。11.改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变输出电压基波的幅值。12.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是平台。13.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。14.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。15.晶闸管是三端器件,三个引出电极分别为:阳极、阴极和门极。22.处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极承受正向电压,且门级有触发电流时,才能使其开通。23.晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的,条件要求环境温度为40℃。24.在晶闸管单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始承受正向电压算起,到触发脉冲到来时刻为止,这段时间的电角度称为触发角。25.在电感性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为2.452U。26.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔,依次在电源电压的正半周触发共阴极组的各晶闸管。27.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下,三相可控整流电路比单相可控整流电路可获得较高的输出电压。28.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。29.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。30.有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成反极性相连,且满足|Ud||Ed|。31.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路,分为垂直控制和横向控制二种方式。32.SPWM有两种调制方式:单极性和双极性调制。33.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。34.载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为fr,三角波的频率为fc,则载波比表达式为K=rcf/f。35.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和斩波电路控制型。1.处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极加正向电压,且在门极加正向触发电压时,才能使其开通。2.造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是阳极电压过高。3.功率集成电路PIC分为二大类,一类是智能功率集成电路,另一类是高压集成电路。4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角a大于不导电角δ时,晶闸管的导通角Ø=π-α-δ。5.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。6.确定最小逆变角βmin要考虑的三个因素是晶闸管关断时间taf所对应的电角度δ,安全裕量角Ø0和换向重叠角γ。7.三相全控桥式有源逆变电路,每个晶闸管导通角1200,每隔60°产生一次换相。8.RC电路可用作直流侧的过电压保护元件。9.金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。10.晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度,且前沿尽可能陡。11.电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。12.电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。13.在PWM斩波器中,电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号。14.在升压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,导通比31Kv,则负载电压U0=24V。15.功率晶体管的驱动电路,一般有恒流驱动电路和比例驱动电种型。二、单项选择题(10分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。16.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流(①)①减小至维持电流IH以下②减小至擎住电流IL以下③减小至门极触发电流IG以下④减小至5A以下17.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和(④)①基极最大允许直流功率线②基极最大允许电压线③临界饱和线④二次击穿触发功率线18.对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL的关系是(②)①IH≈(2~4)IL②IL≈(2~4)IH③IH=IL④IH≥IL19.可关断晶闸管,(GTO)的电流关断增益βaff的定义式为(①)①minGAII②AGIImin③AGIImin④minGAII20.单相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为(②)①U2②22U③222U④26U21.单相半控桥式整流电阻性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的目的是(④)①90°②120°③150°④180°22.单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的目的是(④)①增加晶闸管的导电能力②抑制温漂③增加输出电压稳定性④防止失控现象的产生23.电阻性负载二相半波可控整流电路,控制角a的范围是(④)①30°~150°②0°~120°③15°~125°④0°~150°24.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,处于关断状态的晶闸管承受的的反向电压的期间角为(④)①120°②120°—β③180°—β④β25.在三相全控式变流电路直流电动机托动系统中,当a时,网侧功率因数为(①)①0cos②0cos③0cos④cos正负不定26.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,输出电压平均值Ud的表达式是(①)①Ud=-2.34U2cosβ②Ud=1.17U2cosβ③Ud=2.34U2cosβ④Ud=-0.9U2cosβ27.可在第二象限工作交流电路是(③)①单相全控桥②单相半控桥③单相反并联(双重)全控桥④三相半波可控变流电路28.在高压直流输电系统中,变流器1和变流器2中间的直流环节起着功率传输作用,控制率流向的方法是(④)①调节变流1侧变压器②调节变流器2侧变压器③同时调节两侧变压器④调节变流器1和变流器2的Ud1、Ud2的极性和大小29.若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值,可采用的控制方法是(③)①减小三角波频率②减小三角波幅度③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率30.SPWM逆变器有两种调制方式:双极性和(①)①单极性②多极性③三极性④四极性31.以下各种过流保护方法,动作速度排在第二位的是(③)①快速熔断器过流保护②过流继电器保护③快速开关过流保护④反馈控制过流保护32.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路,分为垂直控制和(②)①时间比控制②横向控制③定频调宽④瞬时值控制33.对于移相控制电路,为了限制最小移相控制角和设置移相范围,可在输入控制信号的输入控制信号的输入端再叠加一个(②)①交流电压②偏移电压③同步信号④触发信号34.KC04型集成触发电路的引脚1和15输出的触发脉冲是两个相位互差180°(②)①负脉冲②正脉冲③双脉冲④尖峰脉冲35.电流源型逆变器,在每一个周期的0~600期间,晶闸管T6,T1导通,输出电流为ia=+Id,ib=-I-d,ic=0,则在2400~3000期间(③)①ia=-Id,ib=Id,ic=0,②ia=Id,ib=0,ic=-Id,③ia=-Id,ib=0,ic=+Id,④ia=0ib=-Ld,ic=+Id,36.定宽调频控制方式中,导通比Kt的改变会导致改变斩波器的(①)①输出电压频率②输出电压最大值③电源电压④输出电流幅值37.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms,则开通时间Tab=(③)①1ms②2ms③3ms④4ms38.恒流驱动电路中,加速电容C的作用是(①)①加快功率晶体管开通②延缓功率晶体管关断③加深功率晶体管的饱和深度④保护器件39.恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是(①)①加速功率管关断②加速功率晶体管开通③过电流保护④减小延迟时间40.为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用(②)①dtdu抑制电路②抗饱和电路③dtdi抑制电路④吸收电路15.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(②)①一次击穿②二次击穿③临界饱和④反向截止16.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(①)①大功率三极管②逆阻型晶闸管③双向晶闸管④可关断晶闸管17.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是(①)①干扰信号②触发电压信号③触发电流信号④干扰信号和触发信号18.当晶闸管随反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在(②)①导通状态②关断状态③饱和状态④不定19.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是(④)①90°②120°③150°④180°20.单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为(②)①2U22②2U2③2U22④2U621.单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为(③)①2U2②2U22③2U22④2U622.单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是(①)①0°~90°②0°~180°③90°~180°④180°~360°23.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=(③)①π-α②π+α③π-δ-α④π+δ-α24.对于三相半波可控整流电路,换相重叠角与哪几个参数有关(①)①α、负载电流Id以及变压器漏抗Xc②α以及负载电流Id③α和U2④α、U2以及变压器漏抗Xc25.三相半波可控整流电路的自然换相点是(②)①交流相电压的过零点②本相相电压与相邻电压正半周的交点处②比三相不控整流电路的自然换相点超前30°③比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°26.可在第一和第四象限工作的变流电路是(①)①三相半波可控变流电路②单相半控桥③接有续流二极管的三相半控桥④接有续流二极管的单相半波可控变流电路27.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是(④)①功率晶体管②IGBT③功率MOSFET④晶闸管28.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是(③)①增大三角波幅度②增大三角波频率③增大正弦调制波频率④增大正弦调制波幅度29.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为(③)①减小输出幅值②增大输出幅值③减小输出谐波④减小输出功率30.电流源型逆器中间直流环节贮能元件是(②)。①电容②电感③蓄电池④电动机一、单项选择题(本大题共20小题,每小题1分,共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.晶闸管的伏安特性是指(B)A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2.晶闸管电流的波形系数定义为(A)A.VARVfIIKB.VVARfIIKC.Kf=IVAR·IVD.Kf=IVAR-IV3.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的(D)A.转折电压B.反向击穿电压C.阈值电压D.额定电压4.具有自关断能力的电力半导体器件称为(A)A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件5.单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时,晶闸管承受正向电压的最大值为
本文标题:电力电子复习题(第五版)
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