第11章存储器

自测题1．半导体存储器从存、取功能上可以分为只读存储器和随机存取存储器两大类。2．RAM按所采用的存储单元工作原理的不同，可以分为静态存储器和动态存储器。３．ROM的内部电路是由地址译码、存储矩阵、输入输出缓冲和存储器控制器组成。４．动态MOS存储单元是利用MOS管栅极电容存储信息的，为了不丢失信号，必须定时地给栅极电容补充电荷。５．半导体存储器中，ROM属于组合逻辑电路，而RAM可归属于时序逻辑电路。习题［题11.1］假设存储器的容量为256ⅹ8位，则地址代码应取几位。解：8。［题11.2］使用８片1024ⅹ8位的ROM组成4Kⅹ16的存储器。解：［题11.3］使用ROM电路的阵列逻辑图实现余3码转换成5421BCD码的码制转换电路。解：（1）根据题意，按码制转换的对应关系列出真值表WXYZB5B4B2B100110100010101100111100010011010101111000000000100100011010010001001101010111100（2）画出ROM点阵图m7m2m14m0m6m8m12m5m11m1m9m13m10m3m4m15XYWZB5B4B2B1YXWZ［题11.4］使用4片2114（1024ⅹ4位的RAM）和3线-8线译码器74LS138接成一个4Kⅹ4位的RAM。［题11.5］用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数：1234YABCDABCDABCDABCDYABCDABCDABCDABCDYABDBCDYBDBD列出ROM应有的数据表，画出存储矩阵的点阵图。解：由题中给定的逻辑函数知1510501138722210463028105713154由此画出实现上述逻辑函数的逻辑图如下图所示。［题11.6］用一片256ⅹ8位的ROM产生如下一组组合逻辑函数。123456YABBCCDDAYABBCCDDAYABCBCDABDACDYABCBCDABDACDYABCDYABCD列出ROM的数据表，画出电路的连接图，表明各输入变量与输出函数的接线端。13679111213141520123468912371113141540124851560Y将A、B、C、D四个输入变量与芯片八位地址线中的低四位地址相连，由该四位输入变量决定的地址空间中存放的八位数据中，低六位存放由A、B、C、D代为上式得到的Y1~Y6值，输出变量由芯片的低六位依次输出。电路实现如下：［题11.7］PROM实现的组合逻辑电路如题图P11.8所示。图P11.8(1)分析电路功能，说明当XYZ为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。(2)XYZ为何种取值时，函数F1=0，函数F2=0。(1)由图可知，逻辑函数F1、F2由PROM矩阵组成。因此输入和输出间11XYZF1F2的逻辑关系可直接写成与-或表达式。12FXYZXYZXYZXYZFXYZXYZXYZXYZ由上式看出：当XYZ＝000,001，100,101时，F1＝1；当XYZ＝011,101,110，111时，F2＝1。（2）从F1、F2的逻辑表达式中看出，当XYZ＝010,100时，F1＝F2＝0