第1章《自测题习题》参考答案

模拟电子技术基础自测题与习题参考答案刘波粒刘彩霞主编高等教育出版社HigherEducationPress目录目录第1章半导体二极管及其基本电路.......................1第2章双极型晶体管及其基本放大电路..................6第3章场效应管及其基本放大电路.....................18第4章多级放大电路与频率响应........................26第5章放大电路中的反馈..............................40第6章功率放大电路..................................50第7章集成运算放大电路..............................60第8章集成运算放大电路的基本应用...................73第9章信号发生电路.................................91第10章直流电源....................................102模拟电子技术基础1第1章半导体二极管及其基本电路自测题1.1填空题1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于________，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。2．半导体中的漂移电流是在作用下形成的，扩散电流是在作用下形成的。3．当温度升高时，二极管的正向压降将_______，反向电流将_______。4．面接触型二极管由于它的PN结结电容，适用于_____等低频电路中。5．二极管最主要的特性是_________，它有两个主要参数，一个是反映正向特性的_________，另一个是反映反向特性的_______________。6．在常温下，硅二极管的开启电压约为____V，导通后在较大电流下的正向压降约为____V；锗二极管的开启电压约为_____V，导通后在较大电流下的正向压降约为_____V。7．硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在状态。8．两只硅稳压管的稳压值分别为Z16VU，Z29VU。把它们串联相接可得到_____、_____、_____和_____的稳压值。把它们并联可得到_____和_____稳压值。9．光照强度加强，PN结呈现的电阻会变。答案：1．杂质浓度，温度。2．电场，浓度差。3．减小，增大。4．大，整流。5．单向导电性，最大整流电流FI，最大反向工作电压URM。6．0.5，0.7，0.1，0.2。7．反向击穿。8．15V，9.7V，6.7V，1.4V，6V，0.7V。9．小。1.2选择题1．在本征半导体中加入适量的_____元素可以形成N型半导体，加入_____元素可以形成P型半导体。A．二价；B．三价；C．四价；D．五价。2．PN结外加正向电压时，扩散电流_____漂移电流，耗尽层_____；当PN结外加反向电压时，扩散电流_____漂移电流，耗尽层_____。A．大于；B．小于；C．等于；D．变宽；E．变窄；F．不变。3．关于PN结正偏说法正确的是_____。2第1章自测题与习题参考答案A．P端加正电压，N端加负电压；B．N端加正电压，P端加负电压；C．P端、N端都加正向电压；D．P端、N端都加反向电压。4．用万用表的100ΩR挡和1kΩR挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是_____。A．100ΩR挡的测量值比1kΩR挡测量值大；B．100ΩR挡的测量值比1kΩR挡测量值小；C．相同。5．理想二极管的正向电阻为。A．零；B．无穷大；C．约几千欧；D．约几十欧6．二极管的最大反向工作电压是100V，它的击穿电压约为______。A．50V；B．100V；C．150V；D．200V。7．在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为______。A．2.6kΩ；B．1.3kΩ；C．2.6Ω；D．条件不足，无法计算。8．稳压管电路如题1.2.8图所示。两稳压管的稳压值ZU均为6.3V，正向导通电压D0.7VU，其输出电压为______。A．6.3V；B．0.7V；C．7V；D．14V。9．稳压管稳压电路如题1.2.9图所示，其中Z16VU，Z27VU，且具有理想的特性。由此可知输出电压OU为______。A．6V；B．7V；C．1V；D．0V。答案：1．D、B。2．A、E、B、D。3．A。4．B。5．A。6．D。7．C。8．C。9．C。1.3判断题1．在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体。（）2．因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）3．漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）模拟电子技术基础34．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流通过。（）5．PN结方程可以描述PN结的正、反向特性，也可以描述其反向击穿特性。（）6．二极管的反向饱和电流与外加反向饱和电压有关，但与温度无关。（）7．型号为2CW14的稳压管稳压值是在6~7.5V之间，说明该稳压管的稳压值是在6~7.5V之间可变。（）8．二极管的动态电阻dr随静态工作点电流的增大而减小。（）9．发光二极管要正向偏置，光电二极管要反向偏置。（）答案：1、3、8、9对；2、4、5、6、7错。习题1.1电路如题1.1图所示。设电路中的二极管为硅管，输入信号i10sin(mV)uωt，DD10VV，电容器C对交流信号的容抗可以忽略不计，试计算输出电压ou。解：由直流通路得D3100.7=1.82mA5.110I，则有TdD26mV14.3Ω1.82mAUrI再由微变等效电路（图略）可得输出电压交流分量3oi314.3//5.1103.6sin(mV)14.3//5.11025uuωt1.2设题1.2图所示电路中的二极管性能均为理想，试求电路中的电压ABU。解：（a）D3VU，D截止，AB12VU。4第1章自测题与习题参考答案（b）D110VU，D225VU，D2优先导通，D1截止，AB15VU。1.3在题1.3图所示的电路中。已知输入电压i6sin(V)uωt，若二极管的正向压降为0.7V，试绘出ou的变化规律。解：当i1.7Vu时，D1导通，D2截止，o1.7Vu；当i1.7Vu时，D2导通，D1截止，o1.7Vu；当i1.7V1.7Vu时，D1、D2均截止，oiuu。故ou为上削顶下削底，且幅值为1.7V的波形（图略）。1.4在题1.4图所示的硅二极管电路中。已知1kΩR，输入电压i6sin(V)uωt。试用折线模型（th0.5VU，D200Ωr）分析ou的变化规律。解：在等效电路中，两二极管可由图1.4.2(c)来表示。当i0.5V0.5Vu时，D1、D2均截止，oiuu当i0.5Vu时，D1导通，D2截止，DoiththD()ruuUUrR，其最大值为Domimthth3D200()(60.5)0.51.42V200110rUUUUrR同理，当i0.5Vu时，om1.42VU。图略。1.5在锗二极管构成的题1.5图所示电路中，已知110VE，215VE，1265kΩRRR，37kΩR，48kΩR，510kΩR。试判断二极管是导通还是截止。解：6A2655155V510RUERR，4B2438158V87RUERR，模拟电子技术基础52BC1215105V55RUERR，由BCBCUUU得CBBC853VUUU，则CACA352VUUU，表明D反偏而截止。1.6在题1.6图所示的电路中。已知稳压二极管Z8VU，限流电阻3kΩR，输入电压i12sin(V)uωt，试画出ou的波形。解：当i8Vu时，ZD起稳压作用，o8Vu；当i0.7V8Vu时，ZD截止，oiuu；当i0.7Vu时，ZD导通，o0.7Vu。图略。1.7在图1.5.2（b）所示的稳压管电路中，I30VU，限流电阻1.5kΩR，稳压管的稳压值为12V，Zmax20mAI，Zmin4mAI。试求：（1）当L2kΩR时的电流LI、RI和ZI；（2）当负载LR时的电流ZI；（3）当输入电压IU由原来的30V升高到33V，且负载L500ΩR时，电流LI、RI和ZI。解：（1）因为LIZL23017.14V21.5RUURR，稳压管起稳压作用，OZ12VUU，OLL126mA2UIR，IOR301212mA1.5UUIR，ZRL1266mAIII。（2）当负载开路时，IZZR301212mA1.5UUIIR。（3）LIZL0.5338.25V0.51.5RUURR，稳压管不起稳压作用，故Z0I，IRLL3316.5mA1.50.5UIIRR。