直流溅射ITO薄膜近期工作总结

直流溅射ITO薄膜近期工作总结TFT&SOP刘洋材料溅射类型编号Ar：O2膜厚（nm）编号方阻（Ω/□）电阻率（10-3Ω·CM）ITORFRFO140:0170.5RF51440.75RF5241.5RFO240:1131.5RF610.5M6575/9731RF620.74MRFO340:285RF7112M102000/45050RF725.3MRFO440:348.8RF8125~50M122000~244000RF82一、实验目的：测量RF溅射不同氧分压对ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，RF溅射功率80W，工作气压1.0Pa，真空条件8.7×10-4Pa，Ar:O2=40:0/40:1/40:2/40:3，溅射时间10min；实验仪器：溅射台，膜厚仪；实验材料：硅片，1*1CM玻璃片；实验结果：氧分压增加，溅射得到ITO氧空位减少，载流子浓度减少，电阻率升高。相比DC溅射，RF溅射ITO薄膜过程中对氧气更敏感。材料溅射类型编号膜厚（nm）电阻率（10-3Ω·CM）ITODC3~500.8924~1000.8885~1500.7116~2000.672二、实验目的：测量DC溅射不同厚度对ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，DC溅射功率60W，工作气压1Pa，真空条件5.9×10-4Pa，Ar:O2=40:1；实验仪器：溅射台，膜厚仪；实验材料：4inch玻璃片；实验结果：直流溅射薄膜厚度增加，电阻率降低，紫外光吸收边随着薄膜厚度的增加而向长波方向移动，载流子对紫外光的吸收增加，即载流子的浓度增加导致。材料溅射类型编号基底温度（℃）电阻率（10-3Ω·CM）ITODC11RT0.49121000.65132000.34143000.15三、实验目的：测量DC溅射基底温度对ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT/100/200/300℃，DC溅射功率60W，工作气压1Pa，真空条件9×10-4Pa，Ar:O2=40:1，时间5min，膜厚120nm~140nm左右；实验仪器：溅射台，膜厚仪；实验材料：4inch玻璃片；实验结果：温度升高有助于晶粒生长，增加载流子迁移率，提高ITO薄膜结晶程度，ITO薄膜电阻率降低，透过率降低。紫外光吸收边随着基底温度的升高而向长波方向移动，载流子对紫外光的吸收增加，即载流子的浓度增加。材料溅射类型编号工作气压（Pa）电阻率（10-3Ω·CM）ITODC190.30.49200.50.61211.01.58221.5300四、实验目的：测量DC溅射气压对ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，DC溅射功率60W，工作气压0.3/0.5/1.0/1.5Pa，真空条件6×10-4Pa，Ar:O2=40:1，溅射时间5min；实验仪器：溅射台，膜厚仪；实验材料：4inch玻璃片；实验结果：直流溅射气压增加，电阻率增加，而紫外光吸收边随着工作气压增加并没有发生移动，载流子浓度变化不大，电阻率增加可能由于薄膜表面均方根粗糙度增加，对载流子的散射增加导致。Q&A