正中神经电刺激促创伤性脑损伤昏迷后觉醒的机制

SICENCE新闻发布作者：冯珍稿号：NRR_644_15NeuralRegenRes：正中神经电刺激促创伤性脑损伤昏迷后觉醒的机制正中神经电刺激能对脑损伤昏迷患者产生积极影响，但其作用机制尚未能完全解释。有研究认为正中神经电刺激通过影响神经递质水平变化产生作用。而谷氨酸是一种兴奋性神经递质，可通过激活N-甲基-D-天冬氨酸受体促进TBI后神经元的存活。而N-甲基-D-天冬氨酸受体对神经发育、组织重构、突触形成和突触可塑性至关重要。但N-甲基-D-天冬氨酸受体在正中神经电刺激介导的觉醒中的作用还有待阐明。前期研究发现正中神经电刺激能上调创伤性脑损伤昏迷大鼠前额皮质中OrexinA及其受体1的表达，参与昏迷促醒过程。由于orexin能神经元和N-甲基-D-天冬氨酸受体在蓝斑-皮质投射系统中密切相关，而在前额皮质中orexin-A和谷氨酸协同也有着紧密的联系，且orexin-A能加强谷氨酸能神经传递。因此中国南昌大学第一附属医院的冯珍等使用OX1R拮抗剂进一步了解正中神经电刺激的促醒作用机制。冯珍等利用Westernblot和免疫组化染色技术分析了大鼠创伤性脑损伤昏迷后6，12和24h前额皮质中N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达变化，显示创伤性脑损伤昏迷大鼠前额皮质中N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达随时间的延长而增加，且正中神经电刺激(30Hz，0.5ms，1.0mA，15min)促进N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达，而侧脑室注射OX1R拮抗剂SB334867降低这种影响。同时正中神经电刺激也增加创伤性脑损伤昏迷大叔苏醒的比例，而OX1R拮抗剂也能抑制这种变化。因此认为正中神经电刺激可能通过orexin-A介导N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达，促进创伤性脑损伤昏迷的觉醒。相关文献发表于《中国神经再生研究（英文版）》杂志2016年6月第6期。Article:Mechanismsresponsiblefortheeffectofmediannerveelectricalstimulationontraumaticbraininjuryinducedcoma:orexin-A-mediatedN-methyl-DaspartatereceptorsubunitNR1upregulation,byZhenFeng,QingDu(DepartmentofRehabilitation,theFirstAffiliatedHospitalofNanchangUniversity,Nanchang,JiangxiProvince,China)FengZ,DuQ(2016)Mechanismsresponsiblefortheeffectofmediannerveelectricalstimulationontraumaticbraininjury-inducedcoma:orexin-A-mediatedN-methyl-D-aspartatereceptorsubunitNR1upregulation.NeuralRegenRes11(6):951-956.欲获更多资讯：请与《中国神经再生研究（英文版）》杂志国际发展部联络；联络电话：[phone]，或用电子邮件联络：[e-mail]。文章全文请见：正中神经电刺激促创伤性脑损伤昏迷后觉醒机制：上调orexin-A介导N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达SICENCE新闻发布作者：冯珍稿号：NRR_644_15中国国家自然科学基金项目（81260295）；江西省自然科学基金项目（20132BAB205063）摘要：我们既往研究显示，正中神经电刺激能明显增强创伤性脑损伤昏迷大鼠前额皮质中orexin-A及其受体1的表达，符合正中神经电刺激有助于促进觉醒的相关研究结果。为进一步了解正中神经电刺激促觉醒的机制，我们分析了创伤性脑损伤昏迷大鼠经正中神经电刺激后的觉醒及N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的动态变化。Westernblot和免疫组化染色结果显示，创伤性脑损伤昏迷大鼠前额皮质中N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达随时间延长而增加，且给予30Hz，0.5ms，1.0mA，15min正中神经电刺激，可促进N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达，且苏醒大鼠数量增加，而侧脑室注射orexin-A受体1拮抗剂SB334867可降低这种影响。故作者认为正中神经电刺激可能通过上调orexin-A介导N-甲基-D-天冬氨酸受体亚基NR1的表达，从而促进了创伤性脑损伤昏迷的觉醒。关键词：神经再生；NR1；正中神经电刺激；创伤性脑损伤；昏迷；失眠；Orexin-A；前额皮质