碲化镉太阳能电池

碲化镉太阳能电池人名人名目录发展历史工作原理制备工艺提高电池性能的方法产业现状和展望Part.1发展历史Part.2工作原理碲化镉层及后处理硫化镉层背接触Part.3制备工艺PVD技术：该法可以控制沉积速率、组分以及掺杂CSS技术：镀膜速度快，容易获得高效率产品，均匀性设计对热场设计依赖性强，原材料更换需要特别设计，主要技术公开，后续器件工艺与其他技术兼容VTD技术：镀膜速度快，均匀性高，产量大，材料利用率高，无需更换原材料，技术独有性强，后续器件工艺与其他技术兼容溅射法：设备投入少，易调控，成本低，集成程度好导致CdTe膜的再次结晶化和晶粒的长大，减少晶界缺陷能够在CdTe和CdS之间形成界面层，降低界面缺陷态浓度热处理能够钝化缺陷、提高吸收层的载流子寿命CdTe吸收层的后处理222()()2()()()()()CdTesCdClsCdgTegClgCdTesCdCls碲化镉层及后处理硫化镉层背接触Part.3制备工艺硫化镉薄膜制备方法大致有６种：化学水浴沉积法、溅射法、真空蒸发法、丝网印刷、金属－有机物化学气相沉积和近空间升华法。化学水浴沉积法（CBD）:设备简单，无需真空条件，所需温度较低，成本低且薄膜质量高，应用最为广泛。形成的薄膜附着与均匀性较好，但时间长、利用率低、污染大、不兼容等缺点不利于碲化镉层及后处理硫化镉层背接触Part.3制备工艺表面化学腐蚀，形成p型重掺杂与金属形成欧姆接触的半导体肖特基缺陷Part.4提高电池性能的方法玻璃衬底和ＴＣＯ减反膜和透过率更好的材料硫化镉层用其他材料替换,使窗口层和吸收层晶格匹配更好背接触层铜的扩散行为碲化镉层ＣｄＴｅ生长时通０２，沉积后进行后处理增加载流子寿命?现状展望Part.5现状和展望优势成本低结构简单：碲化镉薄膜太阳能电池组件的全流程生产时间小于2.5小时转换效率高具有最高的理论光电转换效率，约为30%温度系数低晶体硅太阳能电池组件的温度系数为-0.45%/℃至-0.50%/℃，而碲化镉薄膜温度系数约为-0.25%/℃所以更适合于高温、沙漠及潮湿地区等严苛应用环境弱光效应好光谱响应范围较宽，因此对弱光的敏感度高，使其无论在清晨、傍晚，还是阴云雨天等弱光环境下都能发电劣势碲化镉局限性具有很强的自补偿效应，很难像硅等半导体一样通过掺入杂质元素，电控电学性能，CdTe载流子浓度低，薄膜电阻率大，因而影响电池的电流输出碲的供应不足碲(Te)是一种银白色稀有类金属元素，主要伴生于铜、铅锌等金属矿产中，广泛应用于冶金、电子、化学、玻璃等产业领域现状展望Part.5现状和展望未来ＣｄＴｅ电池的研究重点开路电压Thankyou