模拟电子技术试题10

5-1《模拟电子技术》试卷10一、判断下列说法是否正确，用“错”或“对”表示判断结果。（共10分）1.只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。2.引入直流负反馈可以稳定静态工作点。3.负反馈越深，电路的性能越稳定。4.零点漂移就是静态工作点的漂移。5.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。6.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。7.半导体中的空穴带正电。8.P型半导体带正电，N型半导体带负电。9.实现运算电路不一定非引入负反馈。10.凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。二、选择填空（共10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。（A）φA=-1800，φF=+1800（B）φA=+1800，φF=+1800（C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。5-2（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。（A）（B）（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A）大（B）小（C）相等三、分析题（共20分）1、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位（V）①0.76.23电极名称①②0610②③533.7③材料类型2、（5分）电路如图3-1，判断它们能否振荡；若不能试修改电路，使之能够振荡。3、（5分）电路如图3-2所示，A1、A2为理想运放，指出A1、A2各组成什么电路，并说明D1、D2的作用。图3-1(a)图3-1(b)图3-25-3四、计算题（共60分）1、（5分）图4-1电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。2、（5分）在图4-2OCL电路中，已知T1、T2管的VUCES1，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。3、（5分）在图4-3电路中，要求其输入电阻为20kΩ，比例系数为-15，试求解R、RF和R的阻值。4、（5分）求解图4-4电路的运算关系式。图4-1图4-2图4-3图4-45-45、（10分）在图4-5电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，rbe=1.2kΩ，RB=500kΩ，RC=RL=5kΩ，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（2）估算信号源内阻为RS=1.2kΩ时，SusUUA0的数值。6、（10分）在图4-6电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1mA，RB1=RB2=1kΩ，RC1=RC2=10kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β1=β2=100，rbe1=rbe2=2kΩ。估算：（1）电路静态时T1和T2管的集电极电位；（2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0图4-5图4-65-57、（10分）设图4-7各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。8、（10分）将图4-8电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和R1的最大值。图4-7(a)图4-7(b)图4-81234567