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1、武汉理工2008年研究生入学考试试题参考答案一、填空题1,4,,122,空位,间隙质点3,溶解,晶体4,dxdeDJ,微观5,平行于表面的方向上,表面自由能6,交变应力,高周疲劳,低周疲劳7,晶界过剩的自由能,晶界两侧自由能之差是使界面向曲率中心平移的驱动力8,接触界面上的化学反应,反应物通过产物层的扩散9,冷却熔融温度10,平行二、1(1)S2-做六方最紧密堆积,Zn2-也做六方最紧密堆积,占四面体空隙的1/2(2)配位数都为4,[SZn4][ZnS4](3)六方柱晶体中ZnS分子数为6,平行六面体中分子数为2.(4)其结构中无对称中心,加热使整个晶体温度变化,结果在该晶体C轴垂直方向的一端出现正电荷,在相反的一侧出现负电荷的性质。2硅酸盐晶体结构非常复杂,但不同结构之间具有下面的共同特点:(1)结构中Si4+离子位于O2-离子形成的四面体中心,构成硅酸盐的基本结构单元[SiO4]四面体。(2)[SiO4]四面体的每个顶点,即O2-离子最多只能为两个[SiO4]四面体所共用。(3)两个相邻的[SiO4]四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。(4)[SiO4]四面体中心的Si4。
2、离子可部分的被Al3+所取代,取代后结构本身并不发生变化,即所谓同晶取代,但晶体的性质却发生很大的变化。三、1P153正离子为标准CaxZr1-xO2-x..''2oOZrZrOVOCaOCa以负离子为标准Ca2yZr1-yO2-y..''2222iOZrZrOCaOCaOCa2(1)可能,首先要确定金属氧化物中,主要是金属离子位置上的置换。原子或离子尺寸的影响,1-r1/r2=10%15%电价因素,为了保证形成固溶体的电中性,不等价置换不易形成连续固溶体。晶体结构类型影响,两者晶体结构一致。(2)原子或离子尺寸的影响,1-r1/r2=15%,晶体结构类型的影响,两者晶体结构类型不一致。所以看其系统的固溶度是有限的。四、1,因为与Ca2+和F-相比,Pb2+、I-之间有较大的极化性能。能够极化使表面原子重构,降低系统能量,所以PbI2的表面双电层厚度比CaF2大。2,、0814.0cos),,OAl/,),O(Al3232液(固)液(固AgAg所以不能润湿。五、P174,178粘度2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2碱金属。
3、氧化物的阳离子所带电荷少,半径大,为系统提供“自由氧”而使Si/O比值下降,从而使原来的硅氧负离子解聚为较简单的结构单元,使或性能降低,粘度减小。一般Si/O比值越大,熔体中聚合阴离子团越大,e/r比值越小,相互作用力越小,因此这些聚合阴离子团就部分被排挤到熔体表面,降低表面张力,粘度越小。一价金属阳离子的加入以断网为主,它的加入使聚合阴离子团解聚。使得e/r增大,粘度增大。所以粘度2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2形成玻璃能力2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2一般聚合阴离子团的尺寸越大,这些负离子团位移,转动,重排就越困难,质点在冷却过程中调整成规则排列的晶体就越难,就越易形成玻璃。六、P420△Gr=33*)2(3434GvrLS△GV+·LS当时…………………………………………………………………①……………………………………………………………………②把②带入①得△Gr=23163GvLS2,Vc=33*)2(3434GvrLS3332GvrLS*233162rLScGGvGV。
4、七、解:对FeO,易形成负离子过剩型非化学计量化合物,其缺陷反应式为:另外,在MgO的烧结中是正离子起扩散起控制作用的烧结过程,因而氧气氛和氧分压较高是有利的。八、DcDNi固溶体类型不同,扩散机制不同,导致扩散系数不同。碳在面心立方铁中形成间隙固溶体,按间隙扩散机制进行扩散,扩散活化能小,扩散系数大。镍在面心立方铁中形成置换固溶体,按空位扩散机制进行扩散,扩散活化能大,扩散系数小。九.1,图略2,D不一致熔融三元化合物,F一致熔融三元化合物3,E1低共融点LA+C+DE2低共熔点LC+D+FE3双降点L+F+ADE4低共融点LC+B+FE5低共融点LF+A+B4,)、、(产物为结晶结束液相消失CDARAAEEEERDCALDALDAFLFALAL432)(11)(331。
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