武汉理工大学无机材料科学基础2008考研真题答案

武汉理工2008年研究生入学考试试题参考答案一、填空题1，4，,122，空位，间隙质点3，溶解，晶体4，dxdeDJ，微观5，平行于表面的方向上，表面自由能6，交变应力，高周疲劳，低周疲劳7，晶界过剩的自由能，晶界两侧自由能之差是使界面向曲率中心平移的驱动力8，接触界面上的化学反应，反应物通过产物层的扩散9，冷却熔融温度10，平行二、1（1）S2-做六方最紧密堆积，Zn2-也做六方最紧密堆积，占四面体空隙的1/2（2）配位数都为4，[SZn4][ZnS4](3)六方柱晶体中ZnS分子数为6，平行六面体中分子数为2.（4）其结构中无对称中心，加热使整个晶体温度变化，结果在该晶体C轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一侧出现负电荷的性质。2硅酸盐晶体结构非常复杂，但不同结构之间具有下面的共同特点：（1）结构中Si4+离子位于O2-离子形成的四面体中心，构成硅酸盐的基本结构单元[SiO4]四面体。（2）[SiO4]四面体的每个顶点，即O2-离子最多只能为两个[SiO4]四面体所共用。（3）两个相邻的[SiO4]四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。（4）[SiO4]四面体中心的Si4离子可部分的被Al3+所取代，取代后结构本身并不发生变化，即所谓同晶取代，但晶体的性质却发生很大的变化。三、1P153正离子为标准CaxZr1-xO2-x..''2oOZrZrOVOCaOCa以负离子为标准Ca2yZr1-yO2-y..''2222iOZrZrOCaOCaOCa2（1）可能，首先要确定金属氧化物中，主要是金属离子位置上的置换。原子或离子尺寸的影响，1-r1/r2=10%15%电价因素，为了保证形成固溶体的电中性，不等价置换不易形成连续固溶体。晶体结构类型影响，两者晶体结构一致。（2）原子或离子尺寸的影响，1-r1/r2=15%，晶体结构类型的影响，两者晶体结构类型不一致。所以看其系统的固溶度是有限的。四、1，因为与Ca2+和F-相比，Pb2+、I-之间有较大的极化性能。能够极化使表面原子重构，降低系统能量，所以PbI2的表面双电层厚度比CaF2大。2，、0814.0cos),,OAl/,),O(Al3232液（固）液（固AgAg所以不能润湿。五、P174,178粘度2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2碱金属氧化物的阳离子所带电荷少，半径大，为系统提供“自由氧”而使Si/O比值下降，从而使原来的硅氧负离子解聚为较简单的结构单元，使或性能降低，粘度减小。一般Si/O比值越大，熔体中聚合阴离子团越大，e/r比值越小，相互作用力越小，因此这些聚合阴离子团就部分被排挤到熔体表面，降低表面张力，粘度越小。一价金属阳离子的加入以断网为主，它的加入使聚合阴离子团解聚。使得e/r增大，粘度增大。所以粘度2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2形成玻璃能力2Na2O·SiO2Na2O·SiO2Na2O·2SiO2一般聚合阴离子团的尺寸越大，这些负离子团位移，转动，重排就越困难，质点在冷却过程中调整成规则排列的晶体就越难，就越易形成玻璃。六、P420△Gr＝33*)2(3434GvrLS△GV＋·LS当时…………………………………………………………………①……………………………………………………………………②把②带入①得△Gr=23163GvLS2，Vc=33*)2(3434GvrLS3332GvrLS*233162rLScGGvGV七、解：对FeO,易形成负离子过剩型非化学计量化合物,其缺陷反应式为：另外,在MgO的烧结中是正离子起扩散起控制作用的烧结过程,因而氧气氛和氧分压较高是有利的。八、DcDNi固溶体类型不同，扩散机制不同，导致扩散系数不同。碳在面心立方铁中形成间隙固溶体，按间隙扩散机制进行扩散，扩散活化能小，扩散系数大。镍在面心立方铁中形成置换固溶体，按空位扩散机制进行扩散，扩散活化能大，扩散系数小。九．1，图略2，D不一致熔融三元化合物，F一致熔融三元化合物3，E1低共融点LA+C+DE2低共熔点LC+D+FE3双降点L+F+ADE4低共融点LC+B+FE5低共融点LF+A+B4，）、、（产物为结晶结束液相消失CDARAAEEEERDCALDALDAFLFALAL432)(11)(331